据TomsHardware报道，SK海力士正在与美国商务部谈判，内容涉及为Solidigm投资450亿美元建造新的NAND闪存工厂。过去几年里，美国政府一直积极推动国内半导体制造，包括用于PC和数据中心的各类芯片。

与此同时，SK海力士寻求中国大陆地区工厂的生产线扩建及技术升级，包括DRAM和NAND闪存。不过受制于美国政府的设备管制措施，使得这些项目推进起来都断断续续，并不是那么顺利。SK海力士希望利用在美国新建NAND闪存工厂的机会，交换向中国大陆地区工厂运送新的设备，认为这是一个双赢的举措。

目前大连工厂生产的NAND闪存主要数据中心产品，Solidigm需要提升产能和技术应付市场日益增长的需求。升级能让Solidigm增加收入，这部分资金可以投入到美国新建工厂项目中，很大可能实现互利共赢。不过在此之前，要先确保新的设备能够运抵大连工厂。

据TrendForce报道，最近三星和SK海力士在中国大陆的NAND闪存制造厂都到了升级的关键时期。其中三星计划将其西安工厂生产线从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，SK海力士则将其大连工厂生产线从192层NAND闪存提升至238层NAND闪存，而且寻求进一步提升到生产300层以上NAND闪存，不过这需要获得美国政府的批准。

三星和SK海力士如果迫切希望升级，很大程度是来自长江存储（YMTC）带来的竞争压力。目前长江存储主要以生产160层和232层NAND闪存为主，少量生产294层NAND闪存，并计划提高至300层以上。

不过三星和SK海力士最大障碍仍然是美国政府的设备管制措施，每年都需要获得许可，才能在其中国大陆地区的工厂安装美国供应商的设备。目前三星和SK海力士正在与美国政府进行协调，希望能够更接近于韩国本土工厂的生产标准。

虽然目前三星还没有正式官宣zNAND-T和zNAND-I，但是可以了解到，zNAND-T专注于大容量、高性能AI数据中心应用，提供高吞吐量和带宽。zNAND-T与zNAND-O类似，采用了垂直堆叠的NAND闪存芯片，通过硅通孔（TSV）连接，这种架构与高带宽闪存（HBF）相关。另外zNAND-I旨在提供最高的IOPS，即存储设备每秒可完成多少读写操作的指标，反映了单个操作执行的频率，适用于特别需要频繁访问少量临时数据的AI推理工作负载。

三星已经在今年8月的一次行业活动上，介绍了zNAND-O的设计。其兼顾高空间效率、低延迟与优异I/O性能，专为支持实时数据密集型AI应用的边缘计算环境而设计，目标是将DRAM般的速度与NAND闪存的高存储容量结合起来，满足生成式AI和LLM日益增长的数据处理需求。按照三星的计划，2028年将会提供zNAND-O样品。

三星并非唯一针对不同AI工作负载开发NAND闪存产品的存储器制造商，SK海力士也在2025年下半年逐步构建起AI-NAND（AIN）系列，涵盖AIN P（性能）、AIN D（密度）和AIN B（带宽）。其中AIN P目标为高达100M IOPS，AIN D优先考虑存储密度，目标达到PB级别，AIN B则专注于带宽，类似于HBF。

Omdia自2002年第一季度开始追踪半导体市场以来，总共统计了97个季度的数据，仅有10个季度的环比增长超过10%。可是从2025第三季度开始，最近四个季度的环比增幅都达到了两位数，预计2026年第三季度将延续这一趋势。

市场对DRAM和NAND闪存需求出现了前所未有的持续增长，生产关系变动影响了供需平衡，导致平均销售价格（ASP）和收入大幅上涨。在2026年第二季度里，存储部分就占据了一半以上的收入。非存储芯片收入的环比增长也超过了10%，同样远高于季节性增长。根据2002年至2025年之间的数据，非存储芯片收入在第二季度的增长率一般略高于3%。

Omdia预计全球半导体收入在2026年第三季度将突破5000亿美元，前三个季度累计收入将超过1.25万亿美元，比2025年全年收入高出50%以上。按照现在的市场趋势，创纪录的季度收入将会继续。

据TrendForce报道，近日铠侠首席执行官太田裕雄（Hiroo Ota）表示，没有与SK海力士进行联合生产的谈判，作为竞争对手及股东，展开更紧密的合作很可能面临反垄断调查，这种做法并不可取。

另一方面，由于铠侠与闪迪（SanDisk）也存在合资合作伙伴关系，双方拥有共同投资的工厂和技术平台，也让SK海力士的潜在生产合作变得复杂。闪迪最新的文件指出，尽管与铠侠的合作仍在持续，但是双方被限制与第三方合作生产NAND闪存，或超出约定的产量进行生产。

在AI持续驱动的需求下，存储供应不断收紧，NAND闪存价格也是越来越高。尽管更高的价格意味着铠侠能够赚得更多，但是今年4月刚上任的太田裕雄认为NAND闪存价格已经上涨得足够高了，已经指示团队不要在与客户的谈判中大幅提高报价，称超大规模企业的预算也是有限的，过高的成本将削弱AI领域的投资意愿。

在太田裕雄看来，现在铠侠的首要任务是稳定NAND闪存价格。最近一些大客户已经与铠侠签下至2030年的长期供应协议（LTA），比如苹果，传闻这部分客户已经接近覆盖铠侠50%的产能。

据TrendForce报道，苹果最近在NAND闪存采购上转向长期供应协议（LTA），对于一家以强劲议价能力著称的买家来说，是一次标志性的转变。过去长期供应协议主要集中在HBM，但是现在开始逐渐覆盖到DRAM和NAND闪存。

铠侠（Kioxia）一直以来都被视为苹果的重要供应商及合作伙伴，传闻苹果已经与其签署了NAND闪存的长期供应协议。有消息称，苹果的这笔交易可能超出了典型的供应合同，不但期限达到了三年至五年，而且价格没有上限。这种做法并不多见，之前只在SK海力士出现过。

市场现在的关注点是，苹果在锁定NAND闪存供应后，是否会将长期供应协议的策略扩展到DRAM领域。潜在的对象包括了三星、SK海力士和美光，苹果很可能为后续的LPDDR5X和LPDDR6采购进行规划。

据Counterpoint Research最新数据显示，本季度三星虽以28%的营收份额稳居榜首，但较Q1的29%及去年同期的32%相比，市场占有率已经有所下降。SK海力士以19%紧随其后，美光则凭借高昂的售价策略，将份额提升至15%，成功跻身前三。相比之下，铠侠（14%）与闪迪（11%）表现平稳，而长江存储成为最大黑马，其市场份额从一年前的9%一路攀升至Q2的14%，增长势头迅猛。

究其根源，人工智能基础设施的爆发式需求是幕后推手。企业与超大规模云服务商正疯狂囤积高容量闪存用于AI服务器，制造商也因企业级产品利润远高于消费级SSD而主动倾斜产能。这直接导致客户端SSD供应收紧，即便出货量持平，消费者仍需面对持续走高的硬盘价格。

值得注意的是，长江存储的崛起恰逢巨头们全力追逐高利润的企业订单，使其得以在消费及中端市场填补空白、快速收割份额。业内普遍预计，由于新增NAND产能建设周期长达数年，且AI需求毫无放缓迹象，市场价格有望在2027年才迎来实质性企稳。

据TrendForce报道，Vera Rubin平台出货开始提升，对存储的影响已经从HBM延伸到NAND闪存，其中TLC NAND闪存现货价格从6月的低谷反弹，逐渐走高。市场数据显示，本周价格相比上周上涨了4.97%，相比三周前上涨了11.6%。虽然英伟达的大部分TLC NAND闪存供应是通过长期协议来获得保障，但是相关需求仍然给现货市场带来了压力，从而引发了价格的持续上涨。

之前有消息称，继通用型DRAM、HBM、以及晶圆代工领域建立合作关系后，三星与英伟达进一步扩大合作范围，延伸到了NAND闪存领域。三星已经向英伟达大批量供应第9代V-NAND闪存，另外也在推动第10代V-NAND闪存的量产，以满足英伟达CMX方面的需求。

另外今年铠侠（Kioxia）推出了新款CM10系列PCIe 6.0 SSD，首次搭载了最新的第十代BiCS FLASH TLC闪存，是一款支持CMX架构的产品。其相较于上一代产品，顺序读取性能提升约92%，随机读取性能提升约85%，而且支持直接冷板液冷散热。

三星保持着头名的位置，受惠于AI服务器需求拉动NAND闪存平均销售价格，且eSSD出货占比持续提高，推动营收环比增长70.7%，升至230.6亿美元，不过对应市场份额小幅下降至29.3%，跌到了30%以下；SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）排在第二名，得益于321层NAND闪存持续放量，大容量QLC eSSD持续高需求，加上平均销售价格带动，营收环比增长89.5%，至142.7亿美元，对应市场份额为18.2%；美光升至第三名，营收环比增长99.2%至118.5亿美元，市场份额为15.1%；铠侠（Kioxia）下降一位，跌至第四名，营收环比增长79.9%至107.2亿美元，市场份额略微下降至13.6%；闪迪（Sandisk）排在第五名，营收环比增长50.7%，至89.7亿美元，市场份额为13.9%，与上一季度持平。

展望2026年第三季，尽管智能手机、PC终端因BOM（物料清单）成本垫高推升整机售价，但是动能较弱，主要动力来自AI服务器对eSSD的需求。考虑到原厂普遍优先在DRAM/HBM上投入，NAND闪存新增产能有限，预计平均销售价格将继续支撑营收增长。

第九代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，并实现了更快速部署的先进存储解决方案，应用于云端及数据密集型应用。与之前的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存相比，新技术通过六平面架构和性能提升，提供了更高的读写带宽，同时功耗表现也会更好。

铠侠表示，引入基于第九代BiCS FLASH的新一代高性能QLC 3D闪存技术是其产品路线图上的重要里程碑，凸显了与闪迪合作的持续实力。通过最大化CBA技术的灵活性，正在创造NAND闪存创新的新机遇，帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

据TECHPOWERUP报道，SK海力士正在为其位于中国大陆的NAND闪存工厂重新进行资本、人力资源和战略规划，打算2027年将大连工厂的NAND闪存产量将提高50%，以更好地满足市场的需求。过去受制于美国政府的设备管制措施及存储市场低迷的行情，使得该项目基本处于停滞状态，拖延了较长的一段时间，现在则需要加速。

目前Solidigm的月产能为10万片晶圆，掌握着大概25%的数据中心SSD市场份额，如果增长50%，意味着达到约15万片晶圆。Solidigm早已在去年初确认退出消费市场，新增产能显然是面向企业用户。未来大连二厂将能生产238层NAND闪存，提供245TB的QLC eSSD，大连一厂也将切换生产线，更换老旧设备，生产192层NAND闪存。

Solidigm还计划在纳斯达克上市，目标估值高达50万亿韩元（约合353.26亿美元/人民币2385亿元）。

据Wccftech报道，三星和SK海力士正在评估来自中微半导体（AMEC）的制造设备，可能最终安装在其中国大陆的工厂里。在设备采购受限制的情况下，三星和SK海力士选择拓展新的采购渠道，也为国产设备提供了更多的市场机会。

三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。三星花了十年的时间，分两期工程建设，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约35%至40%的NAND闪存产能。目前三星计划升级生产线，从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，然后再提升至400层第10代V-NAND闪存。

SK海力士在大连有NAND闪存工厂，在无锡有DRAM工厂，前者占据了其NAND闪存总产量的40%至45%，后者则占据了其DRAM总产量的35%至40%。SK海力士打算2026年下半年重启大连二厂的扩建工程，新的生产线能生产238层NAND闪存，月产能目标为3万至5万片晶圆。另外SK海力士计划升级无锡工厂的DRAM工艺，从1znm（第三代10nm级别）升级至1αnm（第四代10nm级别）。

新一代QLC 3D闪存技术采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。铠侠和闪迪还采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，让其成为了业界首个NAND I/O接口速率达到4.8Gbps的QLC 3D闪存技术。

另外还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，提高了I/O数据输出传输能效。随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

官方已经确认，这次的新技术也是基于第十代BiCS FLASH闪存技术。上个月采用相同技术的TLC闪存的样品已开始出货，总层数也是332层，不过位密度为29 Gb/mm²，显然QLC闪存在存储密度方面有着更大的优势。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

TrendForce指出，为应对AI基础建设扩张，各大DRAM原厂已启动产能扩充计划。2026年供应商通过提高既有厂区产能、加速制程升级来支撑位元供给扩张。2027年虽有数家供应商规划新产能投产，但受限于建厂工期、设备移机等约束，多数新厂投片放量落在下半年，显著产出贡献要在2028年才能体现。

更关键的是，HBM制造流程所需的晶圆投入远高于一般DRAM，新增投片量无法等比例转换为有效位元产出，这将限制2027年DRAM整体供给成长幅度。

在需求端，北美云端服务商持续提高资本支出，英特尔、AMD新一代CPU平台加速出货，加上Agentic AI逐步商业化，2027年全球服务器出货量增速将较2026年的17%进一步扩大。单机HBM搭载容量增长及SOCAMM等新规格导入，也显著拉动单机存储容量。反观智能手机、笔记本等消费终端，因成本转嫁导致整机售价上调，消费意愿受抑，出货预计延续下滑。

预计2026年DRAM供需差额约-1%至-2%，由于需求增长持续超过供应扩张，2027年供需缺口将进一步扩大。

2026年NAND Flash原厂主要通过制程升级增加位元供给。由于AI服务器、高容量企业级固态硬盘需求旺盛，供应商持续提高企业级SSD的供给比重，以规避消费端需求平淡可能带来的获利风险。随着各大厂加速升级至高层数产品，以及新厂产能逐步释放，2027年位元供给成长幅度将超越2026年，市场产出规模迎来显著扩张。

在需求端，服务器部署需求稳健，云端服务商与企业客户对高速、大容量企业级SSD的采购力度强劲。其中，QLC SSD表现最为突出，凭借更高的存储密度和更具竞争力的单位成本，将成为支撑2027年NAND Flash位元需求增长的核心动力。相较之下，消费电子市场因终端售价陆续上调，消费电子产品的需求预计将保持低迷。

2027年NAND Flash供需充分比将转为正值，表明市场将从供应受限的环境过渡到更加平衡的市场环境。在产能陆续释放、消费电子需求仍偏弱的情况下，价格可能面临一定下行压力。然而，若Agentic AI的普及取得突破性进展，AI服务器对高速SSD的需求将再度大幅拉升，届时整体供需格局或重新趋近平衡。