上个月SK海力士代表理事兼社长郭鲁正在首尔举行的SK AI峰会上发表主题演讲，宣布推出全球首款48GB的HBM3E，通过16层堆叠实现。据TrendForce报道，2024年临近结束前，SK海力士已经为16层堆叠HBM3E明年的大规模生产做好准备，而且早期测试显示出可喜的结果。

有消息人士透露，SK海力士正在为16层堆叠HBM3E生产集成新设备并优化现有设施，目标是在2025年上半年供货。看起来SK海力士在HBM3E上会继续领先于竞争对手，至少时间表上是这样的。虽然市场普遍认为从HBM4开始才能实现16层堆叠要，但是SK海力士并没有在HBM3E上选择放弃，一直坚持开发，以确保产品的稳定性。

SK海力士在16层堆叠HBM3E上应用了量产获得验证的先进MR-MUF技术，同时还在积极开发作为后端工艺的混合键合（Hybrid Bonding）。SK海力士计划2025年初向客户提供样品，预计会用于英伟达Blackwell架构产品的下一次迭代中。

据The Elec报道，SK海力士在HBM产能扩张取得长足进展的同时，还锁定了英伟达以外的大客户，来自博通的订单，预计2025年下半年开始供应HBM芯片。随着SK海力士与博通达成协议，SK海力士可能会再次调整DRAM产能，以满足新增订单的迫切需求。

SK海力士原计划在2025年将1b DRAM产能提高到每月14万至15万片300mm晶圆，现在有可能进一步提高到每月16万至17万片300mm晶圆。为此SK海力士还打算推迟1c DRAM新设备的安装时间，以应付眼前的订单。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，该趋势下要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

围绕M15X的建设及HBM产能提升计划被认为是SK海力士应对HBM需求攀升的回应，计划于2025年11月竣工，并开始量产HBM产品。

美国商务部宣布，已根据《芯片法案》为SK海力士的商业半导体制造项目提供4.58亿美元的直接拨款，以及5亿美元的贷款。这部分资金是在今年8月签署的初步条款备忘录以及完成尽职调查之后提供的，将根据SK海力士完成项目的阶段情况支付资金。

这笔补贴将支持SK海力士位于印第安纳州西拉斐特的项目，投资总额约为38.7亿美元，用于建设人工智能（AI）产品的存储器封装工厂和先进的封装制造和研发设施，预计创造约1000个新的设施工作岗位和数百个建筑工作岗位，填补了美国半导体供应链的关键空白。

此外，通过SK海力士与普渡大学的合作，双方将计划在印第安纳州建立一个研究中心，一起研究、开发、大规模生产和封装的下一代HBM，在美国半导体生态系统中发挥重要作用。

SK海力士表示：“随着AI时代的正式到来，高性能企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD）的需求正在急剧增加，能够实现其高容量的QLC技术正在成为业界标准，为了顺应这种趋势，公司开发出了适用该技术的61TB产品，并推向市场。”

PS1012的容量达到了61TB，支持PCIe 5.0标准，相比于基于PCIe 4.0的产品带宽增大了一倍，数据传输速度可达32GT/s，顺序读取性能是以前一代规格产品的两倍，可达13GB/s。同时新产品支持OCP 2.0版本，提高了数据中心服务器设备的兼容性。

SK海力士计划今年内向全球服务器制造商提供样品进行产品评估，并计划在明年第三季度将产品群扩大至122TB。此外，SK海力士也将同时进行基于321层4D NAND技术的244TB产品开发，继续引领数据中心超大容量固态硬盘市场。

据TrendForce报道，市场调查数据显示，2025年人工智能（AI）的需求仍然超过了HBM供应量，为此SK海力士正在加快M15X的扩建速度，以便尽早提升HBM产能，解决市场的供应短缺问题。SK海力士计划将部分DRAM业务的员工从总部转移到清州园区，负责M15X运行所需的基础设施设置和设备安装。

SK海力士的清州园区目前拥有M11、M12和M15晶圆厂，主要作为NAND闪存的生产基地。围绕M15X的建设及HBM产能提升计划，被认为是SK海力士应对HBM需求攀升的回应。M15X计划于2025年11月竣工，并开始量产HBM产品。

随着人工智能时代的到来，半导体业界认为DRAM市场进入了中长期增长时代。SK海力士预计HBM的年均增长率将达到60%以上，该趋势下要想确保HBM产品的产量达到与普通DRAM相同的水平，则至少需要相对于普通DRAM至少两倍以上的生产能力。

据TrendForce报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始向英伟达发货。

有消息称，SK海力士在今年3月就推出了HBM4的原型芯片，就有以3nm工艺生产的基础裸片，相比于5nm工艺，性能提升幅度达到了20%至30%。不过性能只是一方面，成本也是SK海力士需要考虑的地方。台积电之所以加入12nm工艺生产HBM4基础裸片的选择，就是为了在满足性能要求的前提下带来成本优势，而3/5nm工艺则可以在更低功耗下达到HBM4预期的速度，或者带来更高的性能。

目前SK海力士的HBM3E依赖于自己的技术生产基础裸片，选择与台积电合作也是为了拉开与竞争对手三星的差距。此前有报道称，三星打算采用4nm工艺生产HBM4的基础裸片。

三星在2021年推出了集成AI处理器的HBM2内存，名为“HBM-PIM (processing-in-memory) ”，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。三星在每个内存模块内注入了一个AI处理器，从而将处理操作转移到HBM本身，减轻了内存与一般处理器之间转移数据的负担。三星最初打算将PIM技术扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上，但后来迟迟没有行动。三星在2022年曾对AMD Instinct MI100计算卡进行改造，加入了HBM-PIM芯片，然后使用96张经过改造的Instinct MI100计算卡构建了一个大型计算系统。

SK海力士在2022年宣布开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术，首款基于该技术的产品为GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。去年SK海力士就展示了该技术打造的AiMX加速卡原型产品，专门用于生成式人工智能（AI），比如ChatGPT。

有业内分析师认为，三星和SK海力士根据各自标准开发产品使得行业难以采用统一的标准，使得推广工作变得困难，最终促使了双方在PIM产品大规模商业应用之前就其标准化工作进行合作。据了解，双方正在进行的讨论，主要集中在为每个标准化项目确定适当的规范上。

据Business Korea报道，当三星还努力地在HBM领域追上SK海力士时，后者开始在NAND闪存技术上发力，前一段时间宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，双方正悄悄拉起新一轮市场争夺战。很长时间里，三星是存储器市场的排名第一的厂商，无论DRAM还是NAND闪存，产能和技术上都保持着领先，而SK海力士是相对规模较小的厂商。不过随着新款NAND闪存的到来，SK海力士在NAND闪存领域开始获得技术优势，这是一个重要的里程碑。

按照SK海力士的说法，相比上一代238层NAND闪存，321层1Tb TLC 4D NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。三星今年也带来了最新的第9代V-NAND闪存技术，不过单元堆叠层数大概在290层，低于SK海力士。

尽管现阶段三星仍然在销售上占据了更大的市场份额，但是基于SK海力士在HBM和eSSD产品的强劲表现，差距在迅速缩小。其实除了HBM外，SK海力士的DDR5在过去两年里的表现也是可圈可点，倘若三星在DRAM和NAND闪存市场都被SK海力士赶上，那将是沉重的打击。

SK海力士表示，从2023年6月量产当时最高的238层NAND闪存产品，并向市场供货，现在又率先推出了超过300层的NAND闪存，再一次突破了技术界限。这次的新产品积极应对了面向人工智能（AI）的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士在这次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士的技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层新品，由此最大限度地减少了工艺变化，相比上一代产品的生产效率提升了59%。

在SK海力士看来，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储市场方面占据了有利地位。使得SK海力士不仅在以HBM为代表的DRAM市场占得先机，也在NAND闪存领域具备了超高性能存储器产品组合，跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。

据TrendForce报道，电动汽车制造厂商特斯拉（Tesla）最近与SK海力士洽谈，将大批量购入eSSD，价值高达1万亿韩元（约合7.2亿美元/人民币51.3亿元）。特斯拉希望SK海力士能够大规模、长期稳定地供应eSSD。

进入人工智能时代后，因需要更快速地处理大量数据，eSSD正在逐步取代过往的HDD，成为服务器首选的存储设备。与HDD相比，eSSD的体积更小、功耗更低、处理速度更快，随着AI服务器需求提升，eSSD订单急速增加。有报告称，eSSD可以在五年内将电子成本降低至HDD的五分之一，并且将总成本降低46%。SK海力士由于其子公司Solidigm可以提供性价比更高的QLC eSSD，带动了NAND闪存业务的增长。

此前特斯拉首席执行官埃隆-马斯克（Elon Musk）曾表示，特斯拉每年在AI服务器和半导体上投资约100亿美元，以增强自动驾驶和机器人所需的AI技术。显然SK海力士在QLC eSSD的强大竞争力吸引了特斯拉的注意，从而准备签下大额订单。

财报显示，2024财年第三季度的收入为17.5731万亿韩元（约合127.2亿美元/人民币906.77亿元），同比/环比增长94/7%；营业利润为7.03万亿韩元（约合50.89亿美元/人民币362.75亿元），同比扭亏为盈，环比增长29%，继续保持着5万亿韩元的水平；净利润为5.7534万亿韩元（约合41.65亿美元/人民币296.88亿元），同比扭亏为盈，环比增长40%；营业利润率为40%，净利润率为33%。

SK海力士表示，营业利润和净利润也大幅超过半导体超级繁荣期的2018年第三季度（营业利润为6.4724万亿韩元，净利润为4.6922万亿韩元）的业绩记录，这得益于面向AI的存储器需求以数据中心客户为主持续表现强势。尤其是HBM产品的销售额大幅增长，实现环比增长70%以上、同比增长330%以上。此外，DRAM和NAND闪存产品的平均售价（ASP）都环比增长10%以上，推动了营业利润创下历史新高。

展望未来，SK海力士将持续投资于通用人工智能（AGI）的研发，实施以高附加值产品为主扩大销售并确保盈利的战略，顺应面向AI的存储器需求的增长趋势。在DRAM方面，第三季度DRAM总销售额中HBM产品占据了30%的比重，预计第四季度将达到40%，同时12层HBM3E产品按计划将在今年第四季度开始供货。在NAND闪存方面，SK海力士专注于投资效率和生产优化的同时，将扩大目前市场需求迅速增长的高容量eSSD的销售。

SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM）至第五代HBM（HBM3E），公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”

据官方的介绍，12层堆叠的HBM3E采用了12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。为了实现此目标，SK海力士将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。此外，SK海力士还解决了将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题，将先进MR-MUF工艺应用到新产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士确认，将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E产品。

SK海力士表示：“CXL作为继HBM之后的下一代面向AI的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的CXL优化软件HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统Linux中。这标志着不仅是如HBM等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。”

HMSDK能够根据传统存储器与扩展CXL存储器之间的带宽差异，灵活进行差异化存储分配。在无需对现有应用程序进行任何调整的前提下，实现了存储器组合的带宽扩展30%以上。该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，能够将高频使用数据迁移至更快的存储器中，从而使性能较传统系统提升了12%以上。

今年下半年，首批支持CXL 2.0标准的服务器处理器就会出现，标志着CXL内存模块将正式进入商业化阶段。目前SK海力士正对96/128GB的CXL 2.0内存模块进行客户验证，并计划在年底实现量产。

上个月SK海力士系统架构副总裁Park Kyung出席了在韩国首尔举行的学术活动，其中谈及了人工智能（AI）与存储器的进展和相互关系，认为现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，新型的CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

SK海力士在Semicon Taiwan 2024上还指出，定制化将成为HBM的一个重要趋势，标准和定制HBM之间的主要区别在于基础逻辑芯片，因为已经集成了客户的IP，不过两者具有相似的核心芯片。与其他DRAM产品不同，HBM在定价和设计方面将越来越多地脱离标准DRAM框架，转向更专业的生产。

此前有报道称，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作。

事实上，SK海力士对直接将逻辑芯片与HBM堆栈集成特别感兴趣，同时客户也对3D封装表现出了兴趣。SK海力士打算在未来三年内将小芯片技术集成到其内存控制器中，以改善成本管理。SK海力士表示，Chiplet不仅应用于HBM产品，还将用在SSD的SoC主控上。

据Business Korea报道，Park Kyung强调人工智能系统的性能严重依赖于内存，现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，但现在的大型语言模型（LLM）需要处理尽可能多的数据，要求存储芯片尽可能地靠近，这意味着现有的系统架构需要改变，从半导体到应用程序都必须同时改变，才能解决问题。

Park Kyung进一步阐述了SK海力士为解决这些问题所做的努力，积极地开发96GB的DDR5和支持CXL 2.0的128GB内存模块，并计划今年下半年实现商用化。Park Kyung认为，CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

Compute EXpress Link（CXL）作为一种开放性的互联协议，最新规范已来到CXL 3.0。其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上，能让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并提供更高的带宽及更好的内存一致性。

SK海力士和三星都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，计划加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。