CZ53C系列专为兼容内置行车记录仪与哨兵停车监控的车辆设计，可支持长达40,000小时的7×24循环录像，长时间记录依然稳定可靠。其插入USB-C端口后，仅突出约10毫米，小巧贴合，轻松适配车内狭小空间，不会影响车辆内饰布局。

新产品所使用的USB-C端口支持USB 3.2 Gen1标准（5Gbps），读取速度最高可达400MB/s，查看和导出车监控录像更加高效。

新款E31移动SSD的整体尺寸为85 x 45 x 10 mm，重量约为33.2克，没有旋转盘片和易损活动部件，结构坚固耐用，具备高达2米的跌落防护。其整体轻薄小巧，可轻松放入口袋或小包，随时随地携带重要文件，轻装随行，不会增加负担。

新产品采用了USB 3.2 Gen2 Type-C接口，数据传输速度可达10000MB/s，连接即用，无需繁琐设置，让工作与创作更高效、更省心。可支持Windows 10及更高版本、macOS 13及更高版本、Android 13及更高版本、iOS 15/iPadOS及更高版本。

宝可梦便携SSD超梦版和宝可梦USB-C闪存盘梦幻版采用了带有触感的2D触感造型，围绕着各自特性进行了独特的设计，带有USB-C接口，而且具备用户对闪迪存储产品便携性、兼容性和可靠性的期待。无论是备份照片、整理游戏资源、转移创意项目，还是扩展兼容设备的存储空间，新产品将日常存储变成实用的收藏品，提供了随身携带最重要时刻、回忆和创造的新方式。

宝可梦便携SSD超梦版采用了紧凑的外形设计，性能是传统产品的五倍，提供了最大顺序读取速度为1000MB/s，提供了500GB和1TB容量可选，并具有耐用设计，防跌深度可达2米。宝可梦USB-C闪存盘梦幻版采用了小巧的口袋式设计，提供了128GB容量，兼容手机和电脑。

500GB和1TB的宝可梦便携SSD超梦版价格分别为119.99美元（约合人民币807.14元）和199.99美元（约合人民币1345.27元），128GB的宝可梦USB-C闪存盘梦幻版价格为27.99美元（约合人民币188.28元），已经开始上市销售。

铠侠表示，NAND闪存市场预计在中长期内持续增长，主要受代理型AI、物理AI和设备端AI的推动。通过兴建Fab3，铠侠旨在通过扩大生产和确保尖端NAND闪存产品的稳定供应，来满足市场不断增长的需求，希望能够抓住这一市场机遇。Fab 3工厂的具体建设进度和投资将根据市场趋势确定，另外投资计划还取决于当地政府的支持。

铠侠和闪迪（包括之前的西部数据）在半导体行业拥有最长、最成功的合资合作伙伴关系，已经持续超过25年。双方的合作推动了数十年来NAND闪存技术的创新和发展，过去25年在日本累计投资超过了500亿美元。未来顺应市场趋势，双方将对三重县四日市市与岩手县北上市的工厂提供持续的基础设施建设支持，并继续提供先进的技术，以满足全球范围内由AI和数据驱动的增长需求。

今年1月，铠侠和闪迪已确定将位于日本三重县四日市市的工厂合资协议延长五年，至2034年12月31日。

Sandisk NAS 600 SATA SSD主要面向创意专业人士和小型企业，采用了SATA III接口，最大顺序读取速度为560 MB/s，最大顺序写入速度为520 MB/s，4K随机读取最大为87K IOPS，4K随机写入最大为77K IOPS。耐久度方面，500GB、1TB、2TB和4TB分别对应为350TBW、600TBW、1300TBW和2500TBW。

Sandisk NAS 800 NVMe SSD专为部署运行高负载或关键业务负载任务而设计，采用了PCIe 5.0 x4接口，M.2 2280外形规格，最大顺序读取速度为14900MB/s，最大顺序写入速度为13200MB/s，另外4K随机读取最大为2300K IOPS，4K随机写入最大为2100K IOPS。耐久度方面，960GB、1.92TB、3.84TB和7.68TB分别对应为1750TBW、3500TBW、7000TBW和14000TBW。

新产品将于下个月在全球范围内上市，Sandisk NAS 600 SATA SSD的起售价为179.99美元（约合人民币1210.13元），Sandisk NAS 800 NVMe SSD起售价为309.99美元（约合人民币2084.16元）。

据TrendForce报道，近日闪迪在投资者日上，提供了更多有关HBF的细节，表示首批样品计划在2027年推出，量产时间预计放在2028年。通过将HBM级别的读取带宽结合其8-16倍的容量，HBF有望解决AI的“存储墙”问题。

闪迪的分析显示，配备HBF的四块GPU在运行大型AI模型时，输出词元的速度与八块搭配HBM的GPU相当。这表明HBF不但缓解了存储容量的限制问题，还减少了对额外GPU的需求，并最终降低AI推理基础设施的成本。HBF作为一种新的存储技术，主要是将NAND闪存叠加，而非取代DRAM的作用。虽然HBF提供了接近HBM的带宽，容量更大且成本更低，但是延迟也会更高。

业界也认为，HBF不太可能完全取代HBM，不过可能会拆分AI计算架构。现在行业总体上抱着积极的态度，预计最终会打造一种混合存储层级结构，成为大规模AI商业化的关键推动力。

第九代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，并实现了更快速部署的先进存储解决方案，应用于云端及数据密集型应用。与之前的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存相比，新技术通过六平面架构和性能提升，提供了更高的读写带宽，同时功耗表现也会更好。

铠侠表示，引入基于第九代BiCS FLASH的新一代高性能QLC 3D闪存技术是其产品路线图上的重要里程碑，凸显了与闪迪合作的持续实力。通过最大化CBA技术的灵活性，正在创造NAND闪存创新的新机遇，帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

新一代QLC 3D闪存技术采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。铠侠和闪迪还采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，让其成为了业界首个NAND I/O接口速率达到4.8Gbps的QLC 3D闪存技术。

另外还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，提高了I/O数据输出传输能效。随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

官方已经确认，这次的新技术也是基于第十代BiCS FLASH闪存技术。上个月采用相同技术的TLC闪存的样品已开始出货，总层数也是332层，不过位密度为29 Gb/mm²，显然QLC闪存在存储密度方面有着更大的优势。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

HBF是介于HBM和固态硬盘之间的新型存储层级，不仅具备与HBM类似的高速数据传输能力，还可基于NAND闪存大幅提升容量。在AI推理普及、数据处理需求激增的背景下，其高带宽与可扩展容量特性优势备受瞩目。

HBF技术规范定义了两种容量配置，分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量；并按三个等级（Grade 1~3）设定带宽标准，数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。HBF与处理器之间采用行业标准UCIe互联，为HBF与GPU、CPU等不同类型的处理器灵活连接奠定了基础。另外规范涵盖互联接口与电气特性、HBF Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。

这次的HBF技术规范规范由全球最大的开放式数据中心技术合作组织OCP（Open Compute Project）正式发布，未来将成为行业通用开放标准，而非企业私有标准。

SANDISK 520 SATA SSD专为IT专业人士、内容创作者和专业消费者设计，用于驱动高性能PC。其提供了500GB、1TB、2TB和4TB四种容量可选，最大顺序读取速度为560 MB/s，最大顺序写入速度为525 MB/s；最大4K随机读取为89K IOPS，最大4K随机写入为76K IOPS；耐久度方面，最高可达1000TBW（4TB型号），MTTF能达到225万小时；可享五年有限质保。

SANDISK 320 SATA SSD针对那些使用固态硬盘替换掉机械硬盘的用户，带来了高速启动的性能体验。其提供了250GB、500GB、1TB和2TB四种容量可选，最大顺序读取速度为545 MB/s，可享三年有限质保。

用户可以免费下载官方提供的Acronis True Image for SANDISK数据迁移软件，简化升级流程。另外还能使用SANDISK Dashboard（仅限于Windows），帮助监控固态硬盘，包括性能表现和存储空间大小，并保持固件的更新。

目前SANDISK 520 SATA SSD和SANDISK 320 SATA SSD还没有正式上市，官方也没有提供定价信息。

第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）和OPS（On-Pitch Select Gate Drain）技术，自第八代BiCS FLASH以来这两项技术就一直沿用。其中CBA是将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。OPS则是通过创新的横向收缩技术，进一步提升位密度。

第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存的层数从第八代BiCS FLASH的218层增至332层，总层数增加了38%，经过优化平面布局后，位密度提升了59%，超过29Gb/mm2，实现了业界领先的1TB TLC闪存密度；NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps，提升了33%；写入和读取效率分别提升了18%和30%；I/O能效提升，数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%；采用Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，引入了PI-LTT技术，以实现高速、低功耗运行。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

据TrendForce报道，闪迪正在推动下一代HBF技术的开发，希望能解决限制容量的结构问题，从而加入更多的存储单元。根据闪迪早前申请的一份专利，显示将计算芯片堆叠在NAND闪存上方，另外同一中介层上还能放置HBM芯片，位于计算芯片与NAND闪存周围，最终将这些模块封装在一起。

闪迪的这一做法源于HBM固有的局限性，尤其是容量方面的限制，另外还有HBF尚未完全解决的挑战，包括延迟、能效、以及系统层集成的复杂性。为了克服HBM的容量问题，闪迪和SK海力士提出了HBF，与HBM类似的设计理念，垂直堆叠多层NAND闪存，并通过硅孔孔（TSV）连接，形成统一的内存堆栈。这次提出的是一种3D堆叠的新设计，将一个基于CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术构建的NAND闪存模块置于GPU等计算芯片的下方。

在这种配置下，HBM仍会集成在同一个中间介体上，在整体内存-计算层级中将扮演独立角色。该架构允许HBM处理即时高速内存操作，而NAND闪存层则用于读写密集型工作负载和大规模数据存储。

目前闪迪奥丁马仕系列SSD已经全面上市，提供了SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD、SANDISK Optimus GX PRO 850X NVMe SSD、SANDISK Optimus GX 7100 NVMe SSD、以及SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD四大系列产品。

SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD 1TB，价格2499元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD 2TB，价格4999元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus GX PRO 8100 NVMe SSD 4TB，价格5799元，京东地址：点此前往>>>

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SANDISK Optimus GX 7100 NVMe SSD 500GB，价格1129元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus GX 7100 NVMe SSD 1TB，价格2099元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus GX 7100 NVMe SSD 2TB，价格4299元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus GX 7100 NVMe SSD 4TB，价格5199元，京东地址：点此前往>>>

SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD 500GB，价格999元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD 1TB，价格1799元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD 2TB，价格3399元，京东地址：点此前往>>>SANDISK Optimus 5100 NVMe SSD 4TB，价格4699元，京东地址：点此前往>>>

闪迪表示，新的品牌标识突显了对性能领先地位、卓越工程、以及闪存领域信任传统的重视，新设计的层级结构也能让消费者更容易理解性能等级。按照原来闪迪的说法，这些新产品应该是在6月上市，看来现在提前了。

Extreme PRO CFexpress 4.0 Type B存储卡采用了CFexpress标准，支持PCIe Gen 4标准，拥有最高3500MB/s的写入速度，以及最高3700MB/s的读取速度，有着高效的传输。其中256GB/512GB/400GB三种容量获得了VPG-400和VPG-800认证，1TB/2TB/4TB三种容量获得VPG-1600认证，支持4K/6K/8K/12K视频拍摄，可满足摄影工作者天马行空般的创意需求以及更高标准的素材要求。

利用SmartIdle技术，Extreme PRO CFexpress 4.0 Type B存储卡可以在兼容设备处于待机状态时，智能切换至低功耗模式，从而有效防止过热，髌骨延长拍摄时间。得益于保护功能，新产品可实现长时间稳定录制视频，帮助防止帧数丢失，保持平滑无缝的捕捉。另外闪迪还采用了坚固耐用的设计，为存储卡提供了更好的保护，能承受高达5米的坠落，并能抵抗高达70牛顿力量的弯曲。

128GB版本的Extreme PRO CFexpress 4.0 Type B存储卡价格为249.99美元（约合人民币1703.86元），4TB为1799.99美元（约合人民币12268.19元），所有容量都可享受有限的终身质保。

据TrendForce报道，闪迪正着手建立HBF供应链，开始与材料、零部件和设备合作伙伴合作，构建起HBF原型生产线的生态系统。闪迪计划今年下半年推出原型，日本将成为其生产基地的候选地，预计试点生产线也将在今年下半年完成，年末投入运营，商业化目标是2027年。

有消息人士透露，随着样品生产提速，闪迪可能会将之前公布HBF的时间表提前半年，以展示自身争夺市场的决心。考虑到HBF与HBM之间工艺的相似性，过去HBM生产设备及更广泛的材料和零部件生产系统预计会保持技术优势。

HBF作为介于HBM和固态硬盘之间的新型存储阶层，旨在弥合HBM高性能与固态硬盘大容量特性之间的差距，并满足AI推理场景对容量扩展性与能效的双重需求。在传统架构中，HBM负责提供最高带宽，而HBF则负责与其深度协同。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO），预计以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案将于2030年前后迎来全面市场扩张。

虽然SK海力士与闪迪已经正式公布了HBF，似乎抢占了先机，但是存储器第一大厂三星其实也有自己的HBF计划，几年前就开始了研究，并积极获取相关技术，并且在最近获得了一系列专利，看起来也将进入HBF领域寻找机会。