根据X021判断，应该属于第二代3Gb DDR5“A-Die”颗粒，替换掉当前使用的3Gb DDR5“M-Die”颗粒。同时按照SK海力士的命名惯例，像EB、GB和HB这样的字母对应JEDEC标准的速率分别为4800、5600和6400 MT/s，结合英特尔下一代处理器（Panther Lake和Arrow Lake Refresh）对内存速率的支持，这次的KB可能指向7200 MT/s。

这次泄露的内存产品采用了8层PCB设计，这可能会影响到高速率下内存的稳定性。传闻SK海力士已经生产出早期的样品芯片，不过想在8层PCB上保持8000 MT/s以上的速度仍然是一个挑战。为了充分发挥新颗粒的性能，内存制造商需要采用10层或者12层PCB设计才行。

三星在DDR4时代占据了主导地位，高端内存模块几乎都选择其B-Die颗粒。到了DDR5时代，SK海力士一跃成为业界的焦点，尤其是其A-Die和M-Die颗粒。过去一段时间里，SK海力士能够在DRAM市场全面压过三星，除了占据大部分HBM份额外，DDR5产品也立下了汗马功劳，为数据中心和高端PC提供的DDR5内存模块受到了广泛欢迎。

据TrendForce报道，作为原厂三巨头之一的SK海力士，似乎也打算跟随美光和三星，对旗下DRAM和NAND闪存产品的价格进行调整。目前SK海力士正在与客户谈判，根据市场情况调整价格。虽然SK海力士还没有宣布最终的决定，但是涨价已是不可避免。

DRAM供应紧张推动了当前的价格上涨，主要原因是SK海力士、美光和三星都优先考虑将有限的产能用于生产HBM，而制造HBM需要的晶圆是传统DRAM的两到三倍。目前AI数据中心需要高性能的DRAM和大容量的eSSD来支持训练和推理工作负载，进一步推动了需求。

值得注意的是，即便普通的服务器也有面临替换的需求，全球范围内许多2017年至2018年超级周期内构建的服务器已经达到了更新年限，从而让DRAM和NAND闪存产品的供需失衡变得更加明显。

据TrendForce报道，近日SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。SK海力士打算11月之前搬入设备，并在今年第四季度举行设施落成仪式，初始产能目标是每月10,000片晶圆。

虽然竞争对手三星打算采用1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，用于下一代HBM4，但是SK海力士和美光都坚持使用1β (b) nm工艺。不过作为目前最大的HBM供应商，SK海力士首先要解决的是产能问题，以应对手上海量的订单。

前一段时间，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。英伟达下一代Vera Rubin产品线将采用HBM4，随着M15X工厂投产，SK海力士拥有更大的产能来应对下一轮增长。

另一方面，三大原厂之一的美光似乎遇到了一些麻烦，不仅要努力满足英伟达对HBM4提出的更高速度规格要求，而且在SOCAMM上也达不到要求，预计从英伟达处只能获得最少的订单分配。

据TrendForce报道，考虑到Instinct MI450及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，相应的带宽也将从2TB/s提升至2.56TB/s。暂时还不清楚英伟达的要求是否可以得到满足，预计SK海力士仍然会在HBM4供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置，三星和美光的供应比重将视后续产品送样的表现而定。

作为下一代AI服务器的核心组件，HBM4的的规格一直是厂商关注的重点。基础裸片是影响HBM速度的关键因素，三星早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，目标今年末量产，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。从英伟达新的要求来看，三星或许在HBM4早期占有优势。

尽管英伟达提出了更高的标准，但是是否能落实还要考虑到多种因素，比如供应量是否能满足、这种提升是否会大幅推高功耗或者成本等。如果得不偿失，那么英伟达就会放弃该计划，或者针对不同平台和类型的产品再去细分，针对不同零部件等级区分不同供应商。另外还可能分阶段进行，毕竟选择的策略会影响初期Vera Rubin平台的量产速度。

SK海力士表示：“此次产品搭载于全球手机制造商的最新款智能手机，再次彰显了公司在全球市场中的技术优势。该产品将为智能手机提供更强大的端侧AI功能支持，为用户带来全新的使用体验。”

ZUFS（Zoned UFS）是将分区存储（Zoned Storage）技术应用于UFS的扩展规格，可将不同用途和特性的数据进行分区（Zone）存储。SK海力士通过与客户的密切合作，于今年6月成功完成了该产品的客户验证。在此基础上，7月正式进入量产阶段，并开始向客户供应。

相较传统UFS，ZUFS 4.1大幅改善长期使用所导致的读取性能下降现象，应用程序运行时间缩短45%，并针对端侧AI功能和大数据处理进行优化。另外在数据存储方式上，传统UFS采用新数据覆盖旧数据的存储方式，而ZUFS 4.1则采用顺序写入方式，从而使得AI应用程序的运行时间缩短了47%。凭借这些性能优势，ZUFS 4.1被誉为专为端侧AI和大数据处理等移动终端设备优化的解决方案。

此外，比起去年5月的ZUFS 4.0，这次的ZUFS 4.1错误处理能力上进行了显著增强。通过更精确地检测错误，并将所需处理方案清晰传达至中央处理器，预计系统的可靠性和恢复能力将得到大幅提升。

英特尔在2020年10月19日，以90亿美元的价格向SK海力士出售了其NAND闪存以及存储业务。其中包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务，以及在英特尔在大连的NAND闪存芯片制造厂，但英特尔仍将保留傲腾业务。该笔交易分为两个阶段：2021年12月29日，SK海力士向英特尔支付70亿美元，购入包括大连工厂在内的NAND闪存业务；2025年支付剩余的款项，购买剩下的资产，包括NAND闪存的制造和设计、研发团队和大连工厂的队伍。

SK海力士在完成第一阶段交易后，已经将英特尔相关的NAND闪存以及存储业务转移到名为Solidigm的新公司运营。Solidigm属于SK海力士的子公司，总部设在美国加利福利亚州的圣何塞。

为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。2021年SK海力士在第四代10nm级（1a）DRAM中首次引入EUV光刻技术，将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，SK海力士决定引进超越现有EUV的下一代技术设备。

这次的High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，属于首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

通过引进High-NA EUV设备，SK海力士将简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

据TrendForce报道，考虑到DDR4强劲需求及价格坚挺，曾经计划2025年末至2026年初逐步停产的三星和SK海力士改变了想法，决定将DDR4的生产延续到2026年。其中SK海力士已经正式通知了客户，其位于无锡的工厂将提高DDR4的产量。

三大原厂中，仅剩下美光坚持最初的计划。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在6月接受媒体采访时确认，美光已经向客户发送了通知，告知旗下DDR4和LPDDR4将进入EOL（End of Life）阶段。美光的出货不会持续太久，预计未来2到3个月内结束。

有分析师表示，DDR4与DDR5之间价格倒挂的情况不会持续太久，以前DDR2和DDR3迭代的时候也出现过类似的情况，持续的时间大概四个月。由于三星的市场占比较大，被认为是DDR4价格上涨的主要受益者。SK海力士认为DDR4最近的价格飙升是“供应担忧推动的短期需求激增”，随着产量提升也将受益。

据TrendForce报道，随着英伟达自研HBM基础裸片的到来，加上HBM定制设计会带来更大的差异化，大家对DRAM厂商在基础裸片上的动向变得更为关心。过去基础裸片都是使用DRAM工艺制造，因此DRAM厂商都是自己完成设计和生产。不过DRAM工艺在速度、信号完整性和能效上都落后于代工厂的技术，随着新一代HBM的性能要求变得更高，促使DRAN厂商进行转换。

三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产，不过这么做有可能让其失去竞争优势。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，特别是不得不依赖台积电的SK海力士和美光，先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。有业内人士透露，台积电生产的基础裸片约占SK海力士HBM4总生产成本的20%。

目前最新的旗舰手机多采用PoP（Package on Package）结构，即将DRAM垂直堆叠在移动处理器上面。这么做虽然能够高效利用有限空间并提升数据处理速度，但也导致移动处理器产生的热量积聚在DRAM内部，从而影响整机性能。

为此SK海力士在传统EMC中使用的二氧化硅（Silica）基础上，混合了氧化铝（Alumina），从而开发出名为“High-K EMC”的新材料。与传统材料相比，新材料的热导率是其3.5倍，而且将热量垂直传导路径的热阻降低了47%。散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能，同时通过降低功耗，可延长电池续航时间并提高产品寿命。

SK海力士相关负责人表示，未来将继续以材料技术创新为基础，牢固确立在新一代移动DRAM市场中的技术领导地位。

为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其容量相比现有产品翻倍，达到了2Tb。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士计划首先用在PC SSD上，然后逐步扩展到面向数据中心的eSSD和面向智能手机的UFS产品。此外，SK海力士也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

早在去年11月，SK海力士就量产了当时全球最高的321层1Tb TLC NAND闪存，并于2025年上半年开始供应。到了今年5月，SK海力士又将其应用到UFS 4.1产品上，可选512GB和1TB两种容量，计划明年第一季度开始批量发货。

据TomsHardware报道，SK海力士称HBM的需求“稳固且强劲”，预计到2030年，HBM市场的总规模将达到约980亿美元，其中定制HBM市场的价值就有数百亿美元。可以说，SK海力士未来的命运与AI基础设施支出密切相关。

定制HBM设计将成为HBM市场一个关键的差异化因素，虽然AMD和英伟达都已决定在明年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM设计，针对性能或者能效进行调整，但是SK海力士希望不仅仅是GPU巨头，而是有更多的客户不再使用通用产品，而是选择定制HBM。SK海力士将在HBM4上首次提供定制HBM服务，结合封装技术的进步，让买家很难切换供应商，从而改变了这个曾经由价格竞争主导的领域，由技术支撑起利润率。

HBM市场日益增长的需求和高利润率也吸引了三星和美光的关注，两者都在加大投资，并扩张产能。为了提升竞争力，提供更多差异化的产品，SK海力士还选择与闪迪合作，共同制定高带宽闪存（HBF）规范，为下一代AI推理提供突破性的内存容量和性能。

据Wccftech报道，随着三星加快1cnm DRAM的开发和量产工作，SK海力士似乎更加认真地对待竞争对手。SK海力士很可能成为首个将1cnm DRAM技术提升至6层EUV的存储器厂商，从而为市场设定新的标准，并增强自身在消费端和HBM的竞争力。更为重要的一点是，这次升级还将推进SK海力士下一代DRAM技术的开发，为未来加入High-NA EUV设计奠定基础。

相比于DUV，EUV的应用针对于更为复杂的电路，在采用先进制程的逻辑芯片上已经得到了广泛的应用，不过在DRAM技术上仍处于初级阶段。现在的DRAM技术采用的是EUV与DUV层结合的混合方案，而SK海力士则计划将1cnm DRAM完全切换到6层EUV，这使其能够打造出良品率更高、性能更强、利润更高的产品。

目前1cnm DRAM技术还没有用于任何传统的消费端内存解决方案，SK海力士还在探索其他的选择，EUV作为新一代DRAM技术的组成部分，将会长期使用，预计在下一代内存上会有更多的应用。

随着AI模型变得越来越大、越来越复杂，推理工作负载需要巨大的带宽和更大的内存容量。HBF专为大型数据中心、小型企业和边缘应用中的AI推理工作负载而设计，旨在提供与高带宽内存（HBM）相当的带宽，同时以类似的成本提供8至16倍HBM的容量。

HBF的设计思路类似于HBM，以大量I/O引脚和多层堆叠结合，相当于高带宽NAND闪存。同时两者共享了电气接口，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，协议略有变化，所以不完全兼容。HBF实现了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，从而提供HBF+HBM的自定义组合产品。

近期闪迪成立了技术顾问委员会，以指导高带宽闪存技术的开发和战略，成员包括来自公司内外的行业专家和高级技术负责人。同时还任命了David Patterson和Raja Koduri，在闪迪准备推出HBF时，提供战略指导、技术洞察力、市场视角并制定开放标准。

闪迪的目标是在2026年下半年交付HBF闪存的样品，预计首批采用HBF的AI推理设备样品会在2027年初出现。

据TrendForce报道，SK海力士已经将DDR4/LPDDR4X合约价格上调20%，标志着会有新一轮的涨价。按照目前情况来看，预计2025年第三季度主流DRAM的平均合同价格将上涨10%至15%，其中LPDDR4的涨幅更大，达到了23%至28%。

三星、SK海力士和美光三大原厂中，SK海力士应该是最后一个淘汰DDR4的。SK海力士计划在2025年10月停止接单，并在2026年4月之前完成发货。其实在SK海力士之前，三星已经在5月初与主要客户达成协议，将DDR4的价格上调20%左右，传闻美光甚至在5月将DDR4的价格调高了50%。从而导致现货价格飙升。

TrendForce表示，2025年第三季度市场对DDR4需求仍保持强劲，供应商的目标是更积极的定价。由于像南亚科技（Nanya）这些规模相对较小的DRAM芯片制造商暂时还没有跟上，无论产能还是产品规格，还不能完全满足市场的需求，预计未来一段时间内DDR4供应仍处于紧张状态。更为麻烦的是，DRAM芯片制造商优先满足服务器市场，导致消费市场供应更加有限。