据Wccftech报道，近日有行业人士透露，并非所有DRAM制造商向数据中心客户提供相同的报价。其中三星的报价是最高的，每Gb为4.5美元（约合人民币30元），相比于SK海力士和美光最多高出了最多25%，两者分别为3.6至3.8美元和4美元。

既然能提供更高的报价，三星肯定有过人之处。其最大的优势来自于自身的晶圆代工厂，生产HBM4所需要的4nm基础裸片（Base Die），另外良品率已经提升至80%。SK海力士则需要依赖台积电，同时HBM4生成方面遇到一些困难，而美光仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，并没有转向逻辑工艺，性能表现没那么好。

上个月就有消息称，三星4nm生产线的50%至60%产能都用于生产HBM4的基础裸片。得益于HBM4的收入增长，三星晶圆代工业务在2026年的亏损将同比减少42%。

据Wccftech报道，近期一份报告称，原定于今年下半年交付的部分HBM4后道设备订单存在延期迹象，后续的发货计划也没有明确，甚至不清楚SK海力士现有的设备是否已经处于满载的状态。一系列信息引发了市场的关注，对SK海力士的HBM4产能扩产计划产生了担忧。

考虑到现在DRAM的行情，加上HBM本身就属于利润顶端的产品，不太可能出现SK海力士故意推迟设备交付，压制HBM4生成的问题。之前就有消息称，SK海力士在HBM4上遇到了技术难题，导致无法提升产量。

尽管市场存在质疑的声音，但是有分析师指出，即便HBM4存在生成问题导致出货量没有达到预期也不需要过度忧虑，不应该被视为无法解决的风险问题。另外还有供应链人士透露，由于通用DRAM价格走高，SK海力士可能在HBM4选择较为保守的策略，现阶段将更多资源投向通用DRAM，以保证利润率。

据TrendForce报道，今年三星的HBM4量产十分顺利，其中的基础裸片（Base Die）上采用了4nm工艺。由于三星的HBM4市场需求日益增长，不但拉动了存储收入，也有力地支持了三星的晶圆代工业务。

上个月就有消息称，三星4nm生产线的50%至60%产能都用于生产HBM4的基础裸片。三星的4nm生产线集中在韩国平泽工厂2号和3号园区，包括S5和S6两条生产线，月产能为3万片晶圆，这意味着HBM4占用了至少1.5万片晶圆。

有报告称，今年下半年HBM4已经占三星HBM总收入的60%以上，预计第三季度来自HBM4的收入环比增长三倍以上。得益于HBM4的收入增长，三星晶圆代工业务在2026年的亏损将同比减少42%，亏损额从去年的6.74万亿韩元降至今年的3.92万亿韩元。

考虑到未来两年的先进逻辑芯片和存储芯片行情，按照现在的趋势，三星晶圆代工业务最快明年扭亏为盈。

据DigiTimes报道，随着良品率的问题逐渐得到解决，三星的HBM策略也开始发生转变，正在从“技术追赶”转向“扩大出货”。三星计划2027年将HBM4及HBM4E的出货量提高一倍甚至更多。为了配合扩产，三星打算提高明年关键材料玻璃载板的采购量，提高至今年的2.5倍，每月数量从2万片飙升至5万片。

玻璃载板作为临时支撑结构，附着于HBM DRAM晶圆底部，防止晶圆在研磨减薄和钻孔过程中发生弯曲或破裂。随着DRAM堆叠层数的增加，晶圆减薄与翘曲控制工艺的重要性日益凸显。值得注意的是，玻璃载板可以重复使用，而且不同的工艺及良品率也会影响实际消耗，所以最终的产能输出还要看三星具体使用情况而定。

据了解，这次三星扩大HBM4及HBM4E生产主要集中在12层及以上堆叠的产品上。业界预计以三星的投入量，HBM生产规模将从今年的18万片增至明年的25万片，提升约40%。其中HBM4在整个HBM里的比重将从今年的40%提高至80%，而HBM4E产能也将逐渐爬坡。

据DigiTimes报道，外界认为，将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，而拥有代工厂的三星比起要寻求台积电帮助的SK海力士和美光，会从内部生产中获得潜在的成本优势，而且产能分配上也更为灵活。这一点从通用HBM4上就已显现，在量产中占据了先机，预计到定制HBM可能会更加明显。

最新消息称，三星打算在定制HBM的基础裸片上采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。如果客户选择台积电，相关设计将由存储业务部门负责。有业内人士透露，已经有客户选择台积电基础裸片+三星DRAM的设计方案。

分析指出，三星这种做法意味着不再单纯强调提供一体化的解决方案，而是提高供应链的灵活性，适配全球客户需求。

传闻SK海力士也考虑从HBM4E起，将部分基础裸片交由英特尔代工负责，以减少对台积电的依赖，建立多供应商体系，兼顾成本与供应链稳定性。看来除了SK海力士，三星也有类似的考虑。

据Wccftech报道，由于HBM4的需求超过了供应，迫使三星不得不将更多的4nm产能分配过去。目前三星4nm产线正在全速运行，其中50%至60%产能用于生产HBM4的基础裸片。三星的4nm产线集中在韩国平泽工厂2号和3号园区，包括S5和S6两条生产线，月产能为3万片晶圆，这意味着HBM4占用了至少1.5万片晶圆。

今年2月，三星宣布开始量产HBM4。其结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升，量产四个月后收入就已突破10亿美元。同时三星HBM4良品率已经从最初量产时的不到60%提升至接近80%，提前实现了最初设定在2026年末达到80%的良品率目标。

过去HBM的基础裸片都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。特别是定制HBM的到来，其中将集成内存控制器等功能模块。三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而SK海力士和美光则选择与台积电（TSMC）合作。

据TrendForce报道，美光正在加快HBM产能扩张步伐，计划提升产能，每月增加6万片晶圆。有消息人士透露，美光去年HBM产能大概在每月4万至5万片晶圆，预计今年末提高至10万片晶圆。

美光增产的主要动力来自于12层堆叠的HBM4，将用于英伟达新一代Vera Rubin平台，这将让美光逐渐摆脱现在以供应12层堆叠HBM3E的局面。有分析机构估计，今年初12层堆叠HBM4占据了美光HBM产量的20%至30%，年末将提升至50%，快速的产能提升也反映了强劲的人工智能（AI）驱动需求。

美光增长的意义重大，比较三星和SK海力士的产量都要高出太多，已经达到了每月15万至20万片晶圆的水平，约为美光当前产量的三到四倍。随着英伟达计划未来产品进行多元化HBM配置，比如更多地导入8层堆叠的HBM4，让美光看到了新的市场机会。

据TrendForce报道，近日美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在出席公开活动时表示，美光向定制HBM转变将从HBM4E时代开始，计划与客户合作开发定制产品。

更值得注意的是，考虑到定制HBM设计和认证涉及大量时间、研发和成本，Sumit Sadana认为客户不太可能在每个项目中同时与三家HBM供应商合作，这或将推动市场向双供应商甚至单一供应商模式发展，整个HBM供应格局可能面临重大变化。

过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。预计首批定制HBM是基于HBM4的设计，三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而SK海力士则选择与台积电（TSMC）合作。

不过与三星和SK海力士的情况不同，美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用与DRAM一样的内部CMOS工艺生产基础裸片，直到HBM4E才转换到台积电。从这点来看，美光在定制HBM方面的进度可能会落后一些。

据TrendForce报道，随着通用DRAM价格增速趋于缓慢，存储竞赛正向下一代HBM转移，三大原厂开始加大了力度。走在最前的三星也没有放松步伐，HBM4良品率已经从最初量产时的不到60%提升至接近80%，即便在供应紧张的大环境里，工艺技术也在快速改进。传闻三星最初设定在2026年末达到80%的良品率目标，显然现在已经提前实现。

有报告指出，三星在TC-NCF工艺方面有了显著进步，长期以来这一直被视为HBM生产中的薄弱环节。另外一个关键驱动因素的1cnm工艺制造DRAM芯片，今年初三星已经将其良品率推高至80%，为HBM4奠定了稳定的生产基础，从而推动了HBM4良品率的拉升。

TrendForce预计三星今年的HBM4市场份额将大幅攀升，年末将达到38%，主要得益于其在客户资格上的领先及更高的出货预期。SK海力士因资格审核延迟及产能调整而被削减了份额，美光则受限于有限的供应。除了英伟达外，AMD等也打算从三星采购HBM4，避免过度依赖单一供应商。

在发布期间，AMD首席执行官苏姿丰向媒体透露，准备与三星签署一项协议，采购存储芯片，包括关键的HBM4。同时苏姿丰还确认Helios已全面量产，预计在今年第三季度末开始向客户发货。

早在今年3月，苏姿丰就亲赴韩国参观三星位于平泽的晶圆厂，随后传出AMD与三星正在进行谈判的消息，涉及多方面业务，最后双方签署了谅解备忘录（MOU）。该谅解备忘录旨在优先供应存储芯片，正值全球存储产业经历历史性重塑之际，稳定的存储芯片供应显得更加重要。

Instinct MI455X基于CDNA 5架构GPU打造，由台积电负责制造，其中XCD计算核心采用了2nm工艺，FCD和IOD核心采用3nm工艺，晶体管总数达3200亿个，通过CoWoS-L封装技术将8个XCD、2个IOD和2个FCD与12组HBM4（432GB，23.3TB/s带宽）集成于同一封装内。

SPHBM4类似于人工智能（AI）加速器中常用的HBM4，使用了相同的DRAM芯片和堆叠结构，但是采用不同的缓冲芯片，以便在标准封装中进行组装。SPHBM4的DRAM通过分布式接口与主机计算芯片相连，接口分为多个独立通道，各通道之间完全相互独立，且通道之间不一定保持同步。

以往每个HBM堆栈采用的都是1024位接口，HBM4堆栈采用2048位接口，位宽翻倍是2015年HBM内存技术推出后的最大变化。SPHBM4则与HBM4不同，选择了往另一个方向发展，每个堆栈的接口数量更少了，降至512位。为了实现相同的数据传输速率，SPHBM4的每个通道接口均配备一条16位数据总线，以双倍数据速率（DDR）运行，速度是相应HBM4通道（64位数据）的四倍，这项改进也使得有机基板所需的凸点间距得以放宽。

由于SPHBM4与HBM4采用了相同的DRAM核心层，每个堆栈的总容量保持一致，但是有机基板布线带来了额外的优势：可支持更长的SoC到内存通道，这可能增加SPHBM堆栈的总数量，从而提升总内存容量。

据TrendForce报道，三星的HBM4在销售方面已经取得了不错的成绩，量产四个月后，收入就已突破10亿美元，也是业内率先走到这一关键里程碑的厂商。有业内人士表示，按照现在的出货速度，预计截至6月末，收入将突破12亿美元。

得益于更快得到资格认证及更早地出货，外界也提高了对三星HBM4的出货预期。反观SK海力士，似乎对HBM扩张采取了更为谨慎的态度，而HBM已占其收入的40%以上，现在更多地考虑优化利润结构，而非参与产能竞争。

传闻SK海力士正在放缓HBM4的增产步伐，由于当前DRAM价格走势强劲，会将更多的资源转向商用DRAM市场，以便将运营利润率提升至接近90%的峰值。有分析称，SK海力士在HBM市场的地位已经稳固，面临的压力有限，不再进一步推动下一代HBM扩产。

SK海力士直到今年第三季度才开始大幅拉升HBM4的出货量，因此全年目标出货量大概率比预期要少一些，只是比三星略高甚至持平。

三星的HBM4结合了4nm基础裸片（Base Die），并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片。现阶段HBM4相关DRAM的良品率仍低于60%，促使三星将下半年的重点放在了良品率提升上，希望能提高至80%。这是由于HBM4所使用的1cnm DRAM芯片需要额外步骤，包括堆叠、高级封装、热控和信号完整性调优，远比传统DRAM复杂。

三星面临的另外一个压力来自于成本，虽然性能领先于SK海力士采用1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺制造的DRAM芯片，但是对EUV光刻有着更高的依赖度，层数也比竞争对手更多，工艺更复杂。如果没有更高的良品率，三星将长时间承受高成本的负担。相比之下，三星目前在HBM4基础裸片的成本压力较轻，这得益于最近其代工厂4nm工艺的良品率提升及价格上涨。

SK海力士原本是英伟达Rubin产品线最大的HBM4供应商，占据着一半以上的供应链。随着英伟达出货策略调整，SK海力士今年的HBM4销销量也将下调，预计比原定目标减少20%至30%，被HBM3E和服务器DRAM需求增长所抵消。考虑到各产品之间结构利润不同，全年盈利的影响仍不确定。

据TrendForce报道，自2026年初以来，随着HBM4出货量快速上升，三星开始上调4nm基础裸片的价格，已上涨了40%至50%，表明其半导体产品线的定价趋于正常化。与此同时，三星4nm生产线已接近满负荷运转，晶圆代工业务整体盈利能力呈现渐进改善的趋势。

三星4nm工艺良品率的提升及性能的稳定性，已开始反映在今年的HBM4上。三星已经为接下来的HBM4E准备了相同工艺的基础裸片，计划今年内投入生产。传闻三星还打算在HBM4E中引入2nm工艺制造基础裸片，提高能效、散热管理和面积利用率，进一步扩大竞争优势。

过去几个月里，得益于良品率的提升，三星的晶圆代工业务有抬升的趋势。三星也为晶圆代工业务设定了新目标，希望两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。今年年初，三星晶圆厂的整体产能利用率已提高至60%，预计很快会达到80%的收支平衡线。

有消息称，三星的晶圆代工业务可能在今年第四季度实现盈利，明年会迎来更明显的改善周期。此外，伴随4/5nm工艺的订单量提升，三星在2025年第四季度还通知客户，将提高4/5nm的代工价格。

据TrendForce报道，三星可能又将收获另一位重要的HBM4客户，传闻2026年下半年首次独家向OpenAI提供HBM4，用于OpenAI自研的第一代AI芯片Titan。三星打算将今年一部分HBM4产能分配给OpenAI，占比仅次于英伟达和AMD，位居第三。

有消息人士透露，OpenAI很可能已经将三星确定为首批HBM供应商，随着第一代Titan选择了三星，未来第二代和第三代Titan有可能延续双方的合作。Titan是OpenAI与博通合作开发的AI芯片，由台积电代工，预计今年第三季度投入生产，目标是在年底发布。

为了满足HBM4的市场需求，三星计划将平泽代工厂超过一半的产能分配给HBM4的基础裸片（Base Die），而非外部客户。三星HBM4的基础裸片采用了自家的4nm工艺制造，性能和能效表现已经得到了英伟达和AMD验证。