美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“新的HBM先进封装厂将是新加坡第一家此类工厂，该设施的启动将进一步加强新加坡的本地半导体生态系统和创新。随着AI在各行各业的普及，对先进内存和存储解决方案的需求将继续强劲增长，这次投资加强了我们应对未来不断扩大的AI机会的地位。”

美光预计初期投资约70亿美元，初期将创造约1400个工作岗位，加上未来的扩建工程，将达到3000个工作岗位，其中包括了封装技术开发、组装和测试操作等岗位。美光称，将保持灵活性，管理HBM和NAND闪存设施的产能爬坡速度，以符合市场需求。

本月初，美光还宣布投资21.7亿美元，以扩大其位于美国弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂，提升美国本土内存制造能力。这项投资将进一步升级生产线，以生产满足本土汽车、航空航天、国防和工业市场应用的特种DRAM产品。

据美光官方的介绍，P510的强项在于能耗控制，功耗比之前主流的PCIe 5.0 SSD降低了25%。美光没有提供具体的比较对象，之前的T705和T700最大功耗分别为12.3W和11.5W，也就是说P510最大功耗会在9.2W到8.6W之间。虽然25%的幅度并不算十分明显，但是对于笔记本电脑这类要求紧凑的设备来说相当有意义，不但减少了发热，还会提升设备的电池续航时间。

首批P510提供了1TB和2TB两种容量可选，还提供了带有散热器的版本可选。其搭载了自家的第九代（G9）TLC NAND闪存，顺序读取速度最高达11,000 MB/s，顺序写入速度最高达9,550 MB/s，略低于T700的11,700 MB/s读取和9,500 MB/s写入。与T705和T700搭载群联电子的E26主控芯片不同，P510采用的是E31T，采用7nm工艺制造，是一款兼具效能和功耗的PCIe 5.0主控解决方案。

P510是美光自T700和T705之后的第三款PCIe 5.0 SSD ，也是P系列首款PCIe 5.0 SSD，真正开始进入主流市场。无论适用性还是定价，P510都要比之前的T700和T705更好一些。

在加入美光之前，Mike Cordano在行政领导、推动创新业务发展和执行成功上市战略方面拥有30年的成功经验。Mike Cordano曾在西部数据工作了8年多，担任过非常多的行政职务，包括子公司日立全球存储技术（HGST）的总裁兼首席运营官和总裁。在被西部数据收购之前，Mike Cordano还曾担任日立全球存储技术的销售和营销执行副总裁。过去一段时间里，Mike Cordano是Prime Impact Capital的创始人和合伙人。

Sanjay Mehrotra表示：“随着内存对技术创新越来越重要，Mike Cordano丰富的经验和成长型思维使他成为继续与客户合作的有价值的领导者。我很高兴欢迎Mike Cordano加入美光，相信未来美光将达到新的高度。同时也要感谢Mike Bokan多年来对美光发展和成功做出的贡献，在最近一个季度里，Mike Bokan和他的销售团队帮助美光创造了创纪录的收入。我代表所有美光团队成员，祝他在退休后健康快乐。”

Mike Cordano拥有科罗拉多大学工商管理学学士学位，目前也是科罗拉多大学利兹商学院顾问委员会的成员。

据TrendForce报道，三星将在1月下旬举办Galaxy Unpacked活动，带来新一代Galaxy S25系列智能手机，不过令人惊讶的是，新机型采用了美光的移动DRAM芯片，而不是三星自己的移动DRAM芯片，这对三星的存储器业务是一个严重的打击。

早在去年9月就有报道称，三星电子的MX部门在上个月向DS部门表达了对用于Galaxy S25系列的1β (b) nm（第五代10nm级别）LPDDR样品交付延误的担忧。这些样品包括了12Gb和16Gb容量，但是由于良品率不佳，无法提供必要的数量。经过了性能、定价和供应量等一系列评估后，MX部门最终选择了竞争对手的LPDDR5X芯片。

目前三星已经在HBM领域落后于SK海力士，旗下的HBM3E产品仍在努力通过英伟达的验证。随着Galaxy S25系列选择美光的LPDDR5X芯片，意味着三星也承认竞争对手的产品更胜一筹，现在三星迫切需要做出改变，以扭转其在DRAM技术的趋势。

上个月，美光宣布美国商务部已根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款达成了协议，另外还签署了一份条款初稿，将额外提供2.75亿美元资金，用于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂，打算将车用DRAM芯片的生产从中国台湾转移到这里。目前该工厂拥有1230名员工，随着产能扩张，预计将创造340个新的工作岗位，另外扩建工程还将创造950 个建筑工作岗位。

美光没有提及具体的升级计划，以及产能的提升程度，由于汽车、航空航天、国防和工业市场应用的特种DRAM产品都属于长生命周期的产品，产量不多，且不需要最先进的半导体工艺，美光不需要购买昂贵的EUV光刻设备，所以资金投入量并不算大。

此外，美光还可以获得MEI委员会高达7000万美元的特别资金，不过这需要弗吉尼亚州议会的批准。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“HBM4E将带来存储器业务的范式转变，采用了台积电先进的逻辑代工制造工艺，为某些客户定制逻辑基础芯片。我们预计这种定制功能将推动美光财务业绩的改善。”

暂时还不清楚美光的基础芯片设计，除了基本的功能外，可能还会有增强的缓存、为特定应用程序（AI、HPC、网络等）量身定制的自定义接口协议、内存到内存传输功能、可变接口宽度、高级电压缩放和供电控制，以及自定义ECC和/或安全性算法等。由于涉及到标准方面的问题，尚不清楚JEDEC标准是否支持此类定制。

美光表示HBM4E的开发工作顺利，已经与多个客户进行合作，可以预期会采用不同的基础芯片和配置，实现可定制设计。同时美光的HBM4E可能还支持Marvell的定制HBM计算架构，以便更好地定制各种XPU和HBM解决方案。

此外，美光的HBM4将采用1bnm（第五代10nm级别）工艺制造，预计用于英伟达Rubin和AMD Instinct MI400系列GPU，不过竞争对手SK海力士和三星都更倾向于采用更为先进的1cnm（第六代10nm级别）工艺。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光在本季度取得了创纪录的业绩，数据中心收入首次超过了总收入的50%。虽然面向消费者的市场近期较为疲软，但美光预计本财年后半段将恢复增长。美光将继续在利润率最高且具有重要战略意义的市场领域扩大份额，并做好充分准备，利用人工智能（AI）驱动的增长机会为所有利益相关者创造巨大价值。

美光预计2025财年第二财季的营收在79亿美元左右，上下浮动2亿美元，明显低于89.9亿美元的市场预期，每股摊薄收益为1.26美元，上下浮动0.1美元。由于美光对2025财年第二财季营收和利润的展望都低于市场预期，导致公司股价在盘后交易中大跌，跌幅一度超过17%。

据ComputerBase报道，MX500系列SSD开始逐步停产，部分容量已处于EOL（生命周期结束）的状态。英睿达在回应媒体资讯时表示，MX500系列SSD毫无疑问是一款出色的产品，现在正在为新产品腾出空间。

其实早在上个月就有用户反映，自己2023年购入的MX500 SSD 4TB申请售后时，对方就告知该容量已停产，可以选择两块2TB版或者P3系列SSD的4TB版作为替代方案。虽然现在的新款主板普遍有多个M.2插槽，消费者一般情况下都会选择NVMe SSD，不过对于价格比较敏感或者使用旧系统的用户来说，SATA SSD仍然是可行的辅助存储选择。

多年来，MX500系列SSD受到用户欢迎的另外一个原因，是采用了更快、更可靠的TLC NAND闪存，并非QLC NAND闪存，配合五年保修，有着不错的产品保障。事实上，MX500系列SSD在过去七年里，没有遇到太大的问题，直到数个月前才被发现存在严重安全漏洞，容易出现缓冲区溢出，从而导致数据泄露，可能会暴露敏感数据。

暂时还不清楚英睿达是否会停止生产SATA SSD，虽然官方暗示了新品，但没有透露具体的细节信息。在未来一段时间里，2.5英寸的SATA SSD仍然会在市场上销售，以满足特点用户的需求。

美光宣布，美国商务部已根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款达成了协议。这部分资金将用于奖励美光在2022年10月宣布的计划，包括20年内向纽约克莱工厂投资约1000亿美元，以及向爱达荷州投资250亿美元，计划到2035年将美国先进存储器制造业的比例从不到2%提高到10%左右。预计这些项目将在美国创造约2万个就业岗位，另外美光还计划2030年之前投入约500亿美元，专注于开发更先进的存储半导体技术。

此外，美国商务部已经与美光签署了一份条款初稿，将额外提供2.75亿美元资金，用于扩建美国位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。这项20亿美元的投资，旨在将美光的1-alpha技术带回美国。1-alpha技术于2021年推出，用于最新的LPDDR5 DRAM芯片。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“作为唯一一家总部位于美国的内存制造商，美光具有独特的优势，可以将领先的内存制造业带回美国，加强美国的技术领先地位，并促进先进技术的创新。”

Micron 6550 ION是业界首款PCIe Gen 5 60TB数据中心SSD，采用了垂直集成架构，包括美光的DRAM、NAND、主控芯片和固件，提供了一流的读写速度，也是世界上第一个支持OCP 2.5规范的60TB SSD，引入了主动状态电源管理（ASPM）。新特性允许驱动器在L1状态下以4W的功率空闲，而在L0状态下为5W，在空闲时将能源效率提高20%。额外的功耗优势来自于行业领先和节能的G8 NAND，比竞争对手的60TB SSD领先一到三代，使得该款SSD仅使用20W即可实现其公布的性能数字。

除了E3. S外形规格，Micron 6550 ION还提供了U.2和E1. L可选。作为E3. S产品，60TB容量提供了同类产品里最佳的存储密度，可将机架存储需求减少67%。其支持NVMe 2.0b标准，最高顺序读取和顺序写入速度分别为12GB/s和5GB/s，最高4K随机读取/写入分别为1600K IOPS和70K IOPS，读取延迟为70µs，同时在100% 128KB顺序写入和100% 16KB随机写入下均能达到1 DWPD，在JESD219A混合负载下则是0.3 DWPD。

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该款产品在外观上也延续了之前的设计，配备的铝制散热模块改成了白色，采用折纸工艺设计，有着时尚酷炫的造型，没有RGB灯效，这与之前基本款的Classic系列是一样的。这次提供的超频版整体尺寸为136.5 x 34.8 x 8.0 mm，暂时只有32GB套装（16GB x2），时序为CL38-40-40-84，运行电压为1.35V，同时支持Intel 3.0和AMD EXPO技术。

美光称，超频电竞版降低了25%的延迟，具有更快的速度、更大的带宽，进一步提高了1080P和1440P分辨率下内存密集型游戏的运行帧率，比如《赛博朋克2077》和《彩虹六号：围攻》等。按照美光的说法，接下来超频电竞版还会有48GB套装（24GB x2）可选。

美光表示，新的解决方案旨在提供更高的稳定性、更快的速度，代表了下一代PC内存外形尺寸的全新前沿。随着人工智能（AI）的飞速发展，对内存规范的要求也发生了转变，以满足前所未有的系统性能要求。这是业界首款上市的商用CUDIMM和CSODIMM产品，为AI PC和高端工作站提供快速、开箱即用的高速内存。

2024年1月，JEDEC正式发布了CUDIMM内存标准，编号为JESD323。其在传统的无缓冲UDIMM内存的基础上发展、改进而来，集成了时钟驱动器（CKD）。时钟驱动器是负责接收来自CPU或内存控制器的时钟信号，并重新生成一个干净的、稳定的时钟信号来驱动DRAM芯片。这一技术突破不仅提升了内存的极限频率，还增强了系统的整体稳定性，让内存能够在更高频率下保持稳定的运行状态。

目前美光的DDR5-6400 CUDIMM/CSODIMM产品已经上市了，时序为CL52-52-52-103，定价两者也是一样的，提供了16GB单条和32GB（16GB x2）套装可选，分别为84.99美元（约合人民币605.13元）和169.99美元（约合人民币1210.33元）。

此外，美光已经验证了64GB的DDR5-6400 CUDIMM/CSODIMM产品，可以与英特尔新一代酷睿Ultra 200S系列处理器搭配使用。

美光的旅程始于1981年美国爱达荷州博伊西市一家牙科诊所的地下室，在那里交付了第一款64K DRAM产品。从那时起，美光实现了许多行业第一，从第九代NAND闪存技术的批量生产到市场领先的HBM3E内存，美光的技术一直是加速推动人类进步的技术的基础。

美光的新logo运用了硅片的颜色，这不仅仅是一种新的色调，还是对晶圆的致敬，这也是构成其技术领先地位的基础。新形象不但表达了美光的精髓，还反映了美光的核心价值观和对技术进步的不懈追求，致力于为全球用户的生活添彩的科技愿景。

全新Logo的设计灵感来自晶圆的精密轮廓，曲线形状经过精心调整，象征着美光始终走在技术前沿的韧性，展示了美光以精确和远见引领行业的能力，还是对其持续改进和卓越的视觉隐喻。logo采用的渐变色彩灵感源于晶圆上的光线反射，象征着美光的包容、活力和大胆创新。

美光预计2025财年第一财季的营收在87亿美元左右，上下浮动2亿美元，高于82.1亿美元的市场预期，每股摊薄收益为1.54美元，上下浮动0.08美元。美光表示，强劲的AI需求推动了数据中心DRAM和HBM产品销售的强劲增长，同时NAND闪存收入主要来自于数据中心SSD的销售推动。

美光同时还公布了2024财年的财报，显示营收为251.1亿美元，相比于上个财年的155.4亿美元大幅度提升，增长了61.59%；DRAM产品的营收增长了60%，增至176.03亿美元，占美光总收入的70%；NAND闪存产品的营收增长了72%，增至72.27亿美元，占美光总收入的29%；净利润约为7.78亿美元，上一财年净亏损为58.3亿美元；每股摊薄利润为0.70美元；上一财年每股摊薄亏损为5.34美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光正在以历史上最强的竞争优势进入2025财年，季度和年度营收预计将创下历史新高，盈利能力也将大幅度提升。

首批Crucial P310 M.2 2280 PCIe 4.0 SSD提供了500GB、1TB和2TB容量可选，搭载了美光自己的232层3D QLC NAND闪存，顺序读取和顺序写入速度分别为7100 MB/s和6000 MB/s，4K随机读取/写入分别为1000K IOPS和1200K IOPS，性能与M.2 2230规格相一致。该系列SSD提供了集成式断电保护，支持动态写入加速和NVMe低功耗模式，同时还具备多步骤数据完整性算法、TRIM支持、ECC纠错码、SMART自检测报告技术、活跃垃圾收集、TCG Pyrite用户密码安全等特性。

新款产品沿用了E27T主控，这是群联电子的新一代低功耗、高性能PCIe 4.0 SSD主控芯片，采用12nm工艺制造；可支持M.2 2230和M.2 2280外形规格的SSD；四通道DRAMless设计；支持TLC和QLC NAND闪存，接口速率达3600 MT/s；M.2 2230和M.2 2280外形最大支持容量分别为2TB和4TB。