据TrendForce报道，最近美光全球运营执行副总裁Manish Bhatia在摩根大通全球科技、媒体与通信会议上表示，美光首款HBM4E将是一款符合JEDEC标准的产品，量产时间定于2027年。

目前美光采用了第五代10nm级别1ß (1-beta) DRAM工艺制造HBM4，到了HBM4E时代，将转向更先进的第六代10nm级别1γ (1-gamma) DRAM工艺。业界将在HBM4E时代迎来大规模的定制HBM设计，以进一步提升性能，并降低延迟，为此美光也准备了适用于标准版和定制版的HBM4E基础裸片（Base Die）。

三星及SK海力士从HBM4时代开始，都将基础裸片的生产转移到代工厂。其中三星选择了自家的代工厂，而SK海力士则与台积电合作。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用与DRAM一样的内部CMOS工艺生产基础裸片，直到HBM4E才转换。与SK海力士一样，美光选择也是台积电，这一点已经得到了Manish Bhatia的确认。

当被问及定制HBM产品的利润结构时，Manish Bhatia强调价值的创造源自多个独有层面，包括设计创新、强大的核心DRAM开发、以及先进的封装技术。个性化服务是这一价值拓展的下一阶段发展，随着价值的提升，客户也会愿意为额外的定制化服务买单。

美光1α工艺节点是目前美国本土最先进的DRAM制造技术，最早在2021年用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4内存生产上，随后扩大至LPDDR4X及更多DRAM类型芯片。美光最初首先在中国台湾台中的A3晶圆厂使用了1α工艺节点进行生产，随后开始扩展到其他晶圆厂。弗吉尼亚州马纳萨斯工厂应用1α工艺节点后，将生产本土汽车、航空航天、国防和工业市场应用的特种DRAM产品。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“这标志着美光在2000亿美元投资计划中迈出了重要一步，该计划旨在扩大美国本土的DRAM制造和研发业务。这体现了美光对那些依赖长生命周期内存来支持关键应用的客户和行业的坚定承诺。我们很自豪能将先进的1α DRAM制造技术引入到美国本土，从而增强对美国客户及我们所服务全球市场的本土供应能力。”

美光是在去年1月，宣布投资21.7亿美元扩大其位于弗吉尼亚州马纳萨斯工厂的生产，通过升级生产线，以提升美国本土内存制造能力。由于目标产品都属于长生命周期类型，不需要最先进的半导体制造工艺，所以美光没有购买昂贵的EUV光刻设备，资金投入量并不大。

这是属于第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM节点产品，也是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

与此同时，美光还通过3DS和硅通孔（TSV）连接等先进封装技术，与1γ DRAM结合，这些创新为下一代AI系统提供了扩展所需的容量、速度和能效。相比两个128GB容量的模块，单个256GB DDR5 RDIMM服务器内存模块可将运行功耗降低超过40%，减少了能源消耗，进一步提升了现代AI数据中心的效率。

美光表示，新产品为服务器带来了显著的性能提升，提供行业领先的速度和能效，可以帮助数据中心架构师更高效地扩展AI基础设施。

Micron 6600 ION NVMe SSD搭载了原厂G9 QLC NAND闪存颗粒，领先同类型数据中心SSD所用的QLC至少一代，重新定义了大容量数据中心存储。新产品提供 U.2和E3.L两种外形规格，适配超大容量存储部署场景，更小的物理空间占用量与更大的单盘容量，不仅简化了运营与数据中心管理，也减少了故障点并降低了维护需求。同时大幅优化了功耗表现，新产品峰值功耗为30W，仅为同等容量HDD部署方案的一半，有助于减少能耗、散热需求与碳排放。

与基于HDD的部署方案相比，245TB 6600 ION E3.L不但性能大幅提升，同时实现同等原始存储容量所需的机架数量可减少82%。客户可以在更紧凑的空间内存储和处理更多数据，在不牺牲大规模数据密集型工作负载所需性能的同时，降低功耗与散热需求。

据Wccftech报道，近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra接受了媒体的采访，称人工智能（AI）目前仍然处于早期阶段，需要更多、更快的存储才能发挥全部能力。如今存储的供应非常紧张，缺乏足够的资源。

Sanjay Mehrotra表示，在2026财年第二财季里，美光在营收、毛利率、每股摊薄收益及现金流等方面都创下了新纪录，这得益于强劲的需求环境、紧密的行业供应、以及美光高效的执行力，预计第三财季将再次取得新纪录。在AI时代，存储已成为客户的战略资产，美光正在投资全球制造布局，以支持不断增长的需求。

根据最新趋势，今年DRAM和NAND存储的需求预计超过行业总产量的50%。美光再次指出，传统和AI服务器的需求都很强劲，但由于DRAM和NAND闪存供应不足，这部分的需求受到了限制。随着新一代平台的更迭，整体存储需求将持续增长。

按照之前美光的介绍，其实已经能生产速率为36Gbps的3GB模块。不过相比三星和SK海力士，美光无论是时间表还是产品速率都是要落后一些，两家韩国存储器制造商早在去年就已拥有同类产品，而且可以提供更高的速率，分别达到了42.5Gbps和40Gbps。

现阶段英伟达使用的GDDR7里，速率最高的是RTX 5080，达到了30Gbps，其他型号则是更低的28Gbps，理论上现阶段速率高低没有太大意义。考虑到当前DRAM市场的严峻形势，拥有第三家24Gb GDDR7 DRAM供应商对英伟达及其他厂商来说还是非常有利的，毕竟有更多选择，丰富了供应链的选择。

目前英伟达仅有两款显卡采用了3GB模块，分别是GeForce RTX 5090移动版和RTX Pro 6000 Blackwell工作站显卡，整体出货量不算大。原本GeForce RTX 50 SUPER系列将大规模启用3GB模块，可是随着过去几个月DRAM涨价及供应短缺，这款中期升级产品甚至存在取消的可能，至少今年是看不到了。

不过令人意外的是，台式机使用的游戏显卡上率先使用3GB模块的可能是入门级的RTX 5050。最近有消息称，英伟达打算用24Gb GDDR7替换掉GDDR6，新版RTX 5050的显存容量从8GB增至9GB，不过位宽则会从128-bit降至96-bit。由于GDDR7有着更高的速率，对应显存带宽甚至会更高。

据VideoCardz报道，美光正在开发一款采用垂直堆叠的GDDR产品，初期堆叠层数为4层，最快可能在2027年推出样品。目前美光正在进行设计工作，并计划安装相关设备，可能在明年下半年开始工艺测试。

相比于LPDDR或DDR，GDDR是一个受AI狂潮影响较小的细分领域，主要应用在游戏显卡上。这次美光选择类似HBM的垂直堆叠方式打造GDDR，目标并非游戏显卡，而是AI加速器。比起HBM，这种堆叠设计的GDDR在性能上仍有较大差距，但是能够提供更大的容量，补充现代推理工作负载的需要。

即便用于消费级显卡，这种GDDR堆栈仍然会带来好处，不仅增加了单个模块的容量，还可以减少PCB占用面积。

据TrendForce报道，美光并没有打算停止扩张产能的步伐，已经在寻找下一个目标。最近美光正在与JDI进行谈判，可能会购入对方位于日本千叶县茂原市已停产G6显示面板工厂，然后改造用于芯片的封装与测试。如果交易成行，预计金额将达到数百亿日元。

这里原本曾经是JDI重要的生产基地，用于制造智能手机及其他设备使用的中小型液晶显示面板。由于财务困难，JDI最终在去年11月选择关闭工厂，原计划改造成AI数据中心，后来因电力供应限制等原因受阻。过去这段时间里，JDI一直与多个买家就工厂的整体出售展开谈判，希望能回笼资金，改善财务结构。

显示面板生产工厂由于配备了洁净室，可以减少灰尘和碎屑造成的污染，加上其他设备和温度要求等生产条件与半导体设施要求相近，通常被认为是适合转换为芯片生产的设施。此前美光在中国台湾也有类似操作，购入了友达光电的部分生产设施。

据TrendForce报道，在强劲的2026财年第二财季财报后，美光指出自动驾驶汽车将成为未来DRAM需求增长的潜在驱动力。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，随着汽车制造商越来越多地推出具备L4级自动驾驶的车辆，每辆车所需要的内存将从过去的16GB上升至300GB以上，另外还有更多的固态硬盘，从而推动汽车存储收入的大幅增长。

美光还透露，正在准备业界首款车规级1γ LPDDR5 DRAM，不过要广泛使用还需要一些时间。美光去年交付全球首款基于1γ（1-gamma）工艺的LPDDR5X DRAM样品，属于第六代10nm级别DRAM工艺节点的产品，已用于三星最新的Galaxy S26系列智能手机。

上个月SK海力士宣布携手闪迪，开启了下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的标准化制定工作。SK海力士将HBF定位为HBM的延伸，并计划最早于2027年开始量产。传闻三星也在积极推进HBF技术，不过暂时还没有官宣。

Sanjay Mehrotra坦承HBF在某些方面确实有优势，但是也存在类似NAND闪存的限制，可能适合部分工作负载，只不过仍处于早期阶段，需要与客户更深入互动，才能更好地理解其商业价值。美光作为三大原厂之一，也将继续评估HBF技术。

据TrendForce报道，美光正在顺着人工智能（AI）带来的存储器上升周期快速扩张，计划扩大本财年的资本支出，预期上调至250亿美元以上，将在全球范围内进行产能投资，以满足客户的需求。随着产能扩张持续，2027财年有可能继续攀升。

美光在2025财年的资本支出为138亿美元，这意味2026财年将增加超过100亿美元。美光表示，今年以18亿美元收购了力积电（PSMC）位于中国台湾苗栗县铜锣乡的晶圆厂（不含生产相关机器设备），而且打算在2026财年末开始建设同等规模的设施，新增约27万平方英尺的洁净室空间，这部分投资推动了2026财年资本支出的增长。

美光似乎非常自信，认为强劲的客户需求足以证明激进的资本支出是合理的。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光已签署首个五年战略客户协议（SCA），其中包含了详细的多年期承诺，同时还积极地与多个客户洽谈，表明这种长期供应模式正逐渐受到青睐，而且能配合其积极扩张的步伐。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在2026财年第二财季里，美光在营收、毛利率、每股摊薄收益及现金流等方面都创下了新纪录，这得益于强劲的需求环境、紧密的行业供应、以及美光高效的执行力，预计第三财季将再次取得新纪录。

美光预计2026财年第三财季的营收在335亿美元左右，上下浮动7.5亿美元，远高于242.9亿美元的市场平均预期，每股摊薄收益为19.15美元，上下浮动0.20美元，也远高于11.29美元的市场平均预期。出色的财务报告，加上远超预期40%的业绩指引，并没有带动美光股价大涨，盘后价甚至一度下跌6%。分析指出，市场对高估值与高资本支出的盈利可持续性进行重新审视，而美光今年以来股价已累计上涨超过60%。

美光已经在2026年第一季度开始批量出货12层堆叠的HBM4，采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，拥有36GB容量，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，速率超过了11Gbps，实现了超过2.8TB/s的带宽，同时还内置自检（MBIST）功能。与美光上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的性能比上一代产品提高了60%以上，功率效率提高了20%以上。

美光已经向客户发送了16层堆叠HBM4的样品，容量提升了48GB，相比12层堆叠HBM4提升了33%。

这次美光还向英伟达供应了SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）内存模组，用于NVIDIA Vera Rubin NVL72系统，为Vera CPU提供最大2TB容量，每个CPU对应1.2TB/s的带宽。

美光也是首个量产PCIe 6.0 SSD的厂商，提供的Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD针对节能和液冷环境进行了优化，为AI训练和推理工作负载提供高速、低延迟的数据访问，支持最大28GB/s的顺序读取速度，还有最大5500K IOPS的随机读取。

近日美光宣布，已完成对铜锣晶圆厂的收购，将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权。新工厂补充了美光在中国台湾的现有业务，将支持包括HBM在内先进DRAM的产品供应，以满足日益增长的人工智能（AI）驱动需求。

据美光介绍，力积电铜锣晶圆厂将于2028财年（最快2027年下半年）开始出货。美光计划对该工厂进行下一阶段扩建工程，预计2026财年末（大概2026年夏天）开始建设同等规模的设施，新增约27万平方英尺的洁净室空间。

这些设施位于台中，距离美光在当地的垂直整合大型园区约15英里的距离，美光将新工厂视为这部分基地的延伸。

据TrendForce报道，近日美光向合作伙伴发出了保密邀请函，表示将于2026年3月26日在力积电铜锣晶圆厂举行设备入驻仪式。美光还对出席人数进行了严格管控：每家供应商只能派出一名代表，参与者需在2026年3月13日前确认姓名和职称。

按照美光的说法，这笔交易预计2026年第二季度完成，之后美光将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权。据了解，美光将在2026年至2027年之间分阶段更新产线，主要是用于先进DRAM生产的前端设备，预计2027年下半年该工厂产能达到美光全球产能的10%以上。

目前力积电的DRAM产能主要采用25nm和38nm制程，预计未来一年内可获得美光授权的1y nm（第二代10nm级别）工艺技术，后续还有机会再取得1z nm（第三代10nm级别）工艺技术，从而提升DDR4的容量。这不但让力积电保持了在通用DRAM市场的竞争力，而且扩大了位元产出，同时还避免了与美光的产品线相互竞争。

此外，美光还预付了HBM后端晶圆制造产能的款项，实际上将力积电纳入到其先进封装供应链之中。力积电也将获得3D晶圆堆叠（WoW）和中介层（Interposer）等先进封装技术与材料，从而实现转型。

美光表示，256GB SOCAMM2内存模组注重容量、能效和工作负载性能优化，能够实现更高的内存容量、显著降低了功耗、提供更高的性能表现，适用于各种AI和通用计算工作负载。

AI服务器内存容量扩展 - 256GB SOCAMM2比之前的192GB SOCAMM2多了三分之一容量，为8通道1DPC的服务器处理器提供最大2TB的LPDRAM容量，可更好地处理更大的上下文窗口和复杂的推理工作负载。

更低功耗和更小的占用面积 - SOCAMM2与同类RDIMM相比，功耗降低了三分之二，同时仅占用后者三分之一的空间，从而提高机架密度并降低总拥有成本（TCO）。

推理能力和核心计算性能提升 - 在统一内存架构中，256GB SOCAMM2可让首个token的时间提升2.3倍以上，在高性能计算工作负载下，每瓦性能比主流内存模块高出3倍以上。

模块化设计提升了可维护性和可扩展性 - SOCAMM2有着更好的可维护性，而且支持液冷服务器架构，并能随着AI和核心计算内存需求的持续增长，实现未来的容量扩展。

目前美光提供了业内最广泛的数据中心LPDRAM产品组合，其中包括了48GB至256GB的SOCAMM2内存模块。