据TrendForce报道，近日美光向合作伙伴发出了保密邀请函，表示将于2026年3月26日在力积电铜锣晶圆厂举行设备入驻仪式。美光还对出席人数进行了严格管控：每家供应商只能派出一名代表，参与者需在2026年3月13日前确认姓名和职称。

按照美光的说法，这笔交易预计2026年第二季度完成，之后美光将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权。据了解，美光将在2026年至2027年之间分阶段更新产线，主要是用于先进DRAM生产的前端设备，预计2027年下半年该工厂产能达到美光全球产能的10%以上。

目前力积电的DRAM产能主要采用25nm和38nm制程，预计未来一年内可获得美光授权的1y nm（第二代10nm级别）工艺技术，后续还有机会再取得1z nm（第三代10nm级别）工艺技术，从而提升DDR4的容量。这不但让力积电保持了在通用DRAM市场的竞争力，而且扩大了位元产出，同时还避免了与美光的产品线相互竞争。

此外，美光还预付了HBM后端晶圆制造产能的款项，实际上将力积电纳入到其先进封装供应链之中。力积电也将获得3D晶圆堆叠（WoW）和中介层（Interposer）等先进封装技术与材料，从而实现转型。

这次力积电、英特尔和软银子公司SAIMEMORY三方的分工十分明确，软银子公司SAIMEMORY负责设计和知识产权管理，英特尔贡献了堆栈和内存架构的专业知识，PSMC力积电承担起制造工作。预计原型设计会在2027年之前完成，商业化量产目标定在2029年。

根据英特尔的介绍，ZAM的核心在于Z-Angle架构，有别于现有HBM硅通孔（TSV）的连接方式，其采用了交错互联拓扑结构，即在芯片堆叠内部以对角线方式进行连接，而非直接垂直钻孔。如果将ZAM与HBM相比较，可能的提升包括：

功耗降低40%至50%

通过Z-Angle架构简化制造流程

每芯片存储容量更高（可达512GB）

英特尔称，ZAM技术上相比现有解决方案最大的优势在于其热管理能力。

美光将协助力积电在新竹P3工厂进一步提升现有DRAM工艺技术，而力积电也通过这笔交易增强财务实力，在全球存储器市场回暖之际，结合3D晶圆堆叠（WoW）和中介层（Interposer）等先进封装技术与材料，实现转型并跻身人工智能（AI）供应链的重要环节。

目前力积电的DRAM产能主要采用25nm和38nm制程，因此生产的DDR4也只能供应容量较小的产品。通过与美光之间的合作，力积电预计未来一年内可获得美光授权的1y nm（第二代10nm级别）工艺技术，后续还有机会再取得1z nm（第三代10nm级别）工艺技术，从而提升DDR4的容量。这不但让力积电保持了在通用DRAM市场的竞争力，而且扩大了位元产出，同时还避免了与美光的产品线相互竞争。

该笔交易预计2026年第二季度完成，交易协议已完成并获得必要的监管批准。交易完成后，美光将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权，分阶段安装设备并扩大DRAM生产规模。