据TrendForce报道，近日台积电董事长兼总裁魏哲家在股东大会上，驳斥了外界有关台积电不打算投资High-NA EUV的言论，强调台积电早已购入了设备，并积极开展相关技术的研发工作。

魏哲家表示，台积电尚未打算大规模购买High-NA EUV光刻机用于生产，主要原因还是纯粹的成本问题。现在台积电的目标是努力提升效率，并降低成本，在条件合适的时候将新技术投入到生产当中。

相比于英特尔等其他竞争对手积极投向High-NA EUV，台积电确实显得相当谨慎，动作有些缓慢，毕竟这款最先进的光刻机成本高达4亿美元。去年末，英特尔宣布已安装了最新的TWINSCAN EXE:5200B系统，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点的生产。按照英特尔的安排，Intel 14A预计2027年至2028年之间开始量产。

台积电是在2024年9月接收到首台High-NA EUV光刻机，并移送至其全球研发中心展开相关研究工作。

这是属于第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM节点产品，也是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

与此同时，美光还通过3DS和硅通孔（TSV）连接等先进封装技术，与1γ DRAM结合，这些创新为下一代AI系统提供了扩展所需的容量、速度和能效。相比两个128GB容量的模块，单个256GB DDR5 RDIMM服务器内存模块可将运行功耗降低超过40%，减少了能源消耗，进一步提升了现代AI数据中心的效率。

美光表示，新产品为服务器带来了显著的性能提升，提供行业领先的速度和能效，可以帮助数据中心架构师更高效地扩展AI基础设施。

据TECHPOWERUP报道，台积电相关负责人在接受媒体采访时表示，技术团队的研发方面的表现非常出色，能够充分利用现有的EUV光刻技术，并制定出具有雄心的工艺技术路线图，相比于竞争对手是一项优势。原因也很简单，目前EUV光刻机的价格大约为High-NA EUV光刻机的一半，减少使用更为昂贵的设备，有助于降低建设晶圆厂的资本支出。

理论上来说，使用更加先进的High-NA EUV光刻机能减少步骤和掩蔽次数，这意味着带来了更灵活的设计规则，而且简化了生产流程，良品率也会更高，而且制造上所需要的时间更短。不过在台积电看来，这么做所需要承受的额外成本太高，至少现阶段不太值得。

实际上，现在芯片制造的过程比过去更为复杂，台积电新一代制程工艺还涉及超级电轨（Super Power Rail，SPR）架构、NanoFlex Pro、更大面积的矩形基板、“面板化”的先进封装等技术，不仅仅是传统的缩放问题。

台积电在2024年已接收了首台High-NA EUV光刻机，放置在全球研发中心进行研究。台积电曾表示，技术团队会继续寻找一种方法来延长当前EUV光刻设备的使用寿命，同时获得扩展优势，什么时候引入High-NA EUV光刻技术要看其是否带来有意义、可衡量的好处，暂时还没有时间表。

ASML在2026年第一季度的净销售额为88亿欧元（约合人民币707.17亿元），毛利率为53.0%，净利润为28亿欧元（约合人民币225.01亿元）。在2026年第一季度里，ASML共售出了67台全新的光刻机，另外还有12台二手的光刻机，季度末现金及现金等价物和短期投资合计83.76亿欧元。

在该季度里，ASML根据2026-2028年股票回购计划购买了价值约11亿欧元的股票。2025年总股息为每股普通股7.50欧元，相比2024年增长17%。考虑到2025年至2026年支付的三次每股普通股1.60欧元的中期股息，提交给年度股东大会的最终股息建议为每股普通股2.70欧元。

展望2026年第二季度，ASML预计净销售额在84亿欧元到90亿欧元之间，毛利率在51%到52%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。此外，ASML上调了全年净销售额，预计2026年在360亿欧元到400亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间。ASML称，当前围绕出口管制持续讨论可能产生的影响，已反映在上述业绩预期区间中。

据TrendForce报道，SK海力士并没有满足于现状，正在积极扩展AI存储器业务，决定加大生产及工艺升级的投入。SK海力士已确认从ASML处购买更多EUV光刻机，计划至2027年12月，花费11.95万亿韩元（约合79.97亿美元/人民币550.9亿元），涵盖设备采购、安装、以及升级等环节，以应对AI存储器不断增长的需求。

有业内人士透露，SK海力士很可能加快向1cnm（第六代10nm级别）DRAM工艺过渡，更大范围地应用在HBM、DDR5和LPDDR6等下一代关键产品。目前SK海力士在HBM4上仍然采用1β (b) nm（第五代10nm级别）DRAM工艺，相比于三星的同类产品有些吃亏。SK海力士已经决定在HBM4E切换至新的工艺技术，再结合台积电N3P工艺生产的基础裸片（Base Die），进一步提高性能表现。

除了购买新设备外，SK海力士还在积极扩张产能，以满足下一代HBM的需求。近期位于韩国忠清北道清州市的M15X已经开设第二间洁净室，并开始安装设备，比原计划的5月提前了两个月。

据Wccftech报道，近日ASML首席技术专家Michael Purvis接受了媒体的采访，表示研究人员已经找到了将EUV光源功率从目前的600W提升至1000W的方法，而且强调这并非花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内的演示，而是一个能在客户实际生产环境中基于相同要求提供的稳定系统。

ASML通过将EUV光源功率提高至1000W，产能就能从每小时220片提升至330片，且单位产出成本基本维持不变。这似乎表明了ASML找到了提升芯片产量的新方法，不需要增加洁净室空间或者更新设备产能即提升50%，不过暂时还不清楚具体什么时候实现。外界推测，ASML或许会提供升级套件让客户选择升级，而且不是所有EUV光刻机都能将光源功率提高，会有型号限制。

ASML也不会满足于1000W的光源功率，未来还可能朝着1500W甚至2000W的方向发展。

在2025年第四季度中，净销售额为97亿欧元（约合人民币807.26亿元），收入再次创下历史新高，毛利率为52.2%，净利润为28亿欧元（约合人民币233.02亿元）。在2025年第四季度里，新增的订单量创下了历史新高，净预定量为132亿欧元（约合人民币1098.54亿元），其中74亿欧元（约合人民币615.85亿元）来自于EUV系统。

在该季度里，ASML根据2022-2025年股票回购计划购买了价值约17亿欧元的股票。该项目于2025年12月结束，已回购的总额为76亿欧元，没有完成全部120亿欧元的股份回购计划。同时ASML宣布了新的股份回购计划，立即生效，预计于2028年12月31日前执行，计划回购总额上限为120亿欧元，预计其中有最多200万股用于满足员工持股计划。此外，ASML还将注销已回购的剩余股份。

ASML在2025年全年净销售额为327亿欧元（约合人民币2721.39亿元），相比2024年增长了15.5%，又一次创下了年度业绩新高，毛利率为52.8%，净利润为96亿欧元（约合人民币798.94亿元）。

2025年总股息为每股普通股7.50欧元，与2024年相比增长了17%。每股普通股1.60欧元的中期股息将于2026年2月18日支付。考虑到这一中期股息以及2025年支付的两次每股普通股1.60欧元的中期股息，提交给股东大会的最终股息建议为每股普通股2.70欧元。

ASML表示，2026年将是其业务又一个增长年份，主要得益于EUV系统的销售额显著增长，以及已安装基础业务销售的增长。ASML预计，2026年第二季度的净销售额在82亿欧元到89亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。此外，ASML预计2026年全年净销售额340亿至390亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间。

ASML在2025年第三季度的净销售额为75亿欧元（约合人民币621.71亿元），毛利率为51.6%，净利润为21亿欧元（约合人民币174.08亿元）。在2025年第三季度里，净预定量为54亿欧元（约合人民币447.63亿元），其中36亿欧元（约合人民币298.42亿元）来自于EUV系统。ASML将于2025年11月6日派发中期股息，每股普通股1.60欧元（约合人民币13.26元）。

在该季度里，ASML根据2022-2025年股票回购计划购买了价值约1.48亿欧元的股票。截至2025年9月28日，ASML已通过该计划收购900万股股份，总金额达59亿欧元。ASML预计无法在2022-2025年期间完成全部120亿欧元的股份回购计划，将于2026年1月宣布新的股份回购计划。

展望2025年第四季度，ASML预计净销售额在92亿欧元到98亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3.2亿欧元。此外，ASML预计2025年全年净销售额将增长15%，毛利率约为52%。ASML预计经过了2024年和2025年非常强劲的业务表现后，中国客户2026年的需求将大幅下降。

据Techpowerup报道，近日ASML表示，根据目前的订单信息和需求，预计2027年将交付10台High-NA EUV和56台EUV光刻机。其中英特尔和三星最近都提高了光刻机的订单量，英特尔将High-NA EUV的订购数量从1台提高到2台，EUV的订购数量从3台提高到5台，另外三星也将EUV的订购数量从5台提高到7台。

值得注意的还有SK海力士，2027年ASML要交付的EUV光刻机里占了20台，同时也将High-NA EUV的订购数量从1台提高到2台。此外，传闻SK海力士计划在未来两年内安装好20台EUV光刻机，全部是为了HBM及先进存储解决方案设计。

虽然英特尔很可能是首个在量产上引入High-NA EUV光刻技术的芯片制造商，不过三星和SK海力士正在迎头赶上。特别是SK海力士，以目前的产能扩张速度需要更多的厂房，为安装光刻机留有足够的空间。

ASML在2025年第二季度的净销售额为77亿欧元（约合人民币642.13亿元），毛利率为53.7%，净利润为23亿欧元（约合人民币191.81亿元）。在2025年第二季度里，净预定量为55亿欧元（约合人民币458.67亿元），其中23亿欧元（约合人民币191.81亿元）来自于EUV系统。在该季度里，ASML根据2022-2025年股票回购计划购买了价值约14亿欧元的股票。

ASML将于2025年8月6日派发中期股息，每股普通股1.60欧元（约合人民币13.34元）。

展望2025年第三季度，ASML预计净销售额在74亿欧元到79亿欧元之间，毛利率在50%到52%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3.1亿欧元。此外，ASML预计2025年全年净销售额将增长15%，毛利率约为52%。

据TomsHardware报道，近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在2025财年第三财季财报电话会议上，介绍了基于1γ工艺的LPDDR5X内存情况，表示新产品非常地出色，良品率的提升速度超过了第五代10nm级别1β（1-beta）DRAM节点上创造的速度记录，预计本季度内将完成几个关键的产品里程碑。

按照美光的说法，相比于1β DRAM节点，新一代1γ DRAM节点有望将DRAM功耗降低20%，同时性能提升15%，另外位密度提高了30%，带来了非常显著的改进。一旦1γ DRAM节点的良品率达到1β DRAM节点相近的水平，转化到生产上，很可能会大幅降低成本。

除了PLDDR5X以外，美光在更早之前还将1γ DRAM节点用于DDR5。Sanjay Mehrotra强调，美光将在整个DRAM产品线中引入1γ DRAM节点，未来还会用于GDDR7和面向数据中心的产品。

为了满足行业对下一代智能手机设计紧凑解决方案日益增长的需求，美光的工程师缩小了LPDDR5X封装尺寸，提供了业界最薄的0.61毫米封装，相比竞争对手的产品薄了6%，高度比上一代产品降低了14%。更为小巧的LPDDR5X为智能手机制造商设计超薄或可折叠智能手机提供了更多可能性，同时也改变了移动行业的游戏规则，表明美光致力于让生态系统创造非凡的移动体验。

1γ工艺的LPDDR5X是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

美光正在向选定的合作伙伴提供基于1γ工艺的16GB LPDDR5X内存样品，另外可选8GB至32GB，将出现在2026年的旗舰智能手机。

据TrendForce报道，ASML现在似乎放弃了与三星的合作建设半导体芯片研究设施，开始将早期购买的土地出售。据了解，ASML在去年购入了6块土地，总面积达到了约19000平方米，其中2块已经出售，另外2块在挂牌出售。至于具体什么原因，或者双方计划有什么改变，暂时还不清楚。

此举引发了外界对ASML与三星合作伙伴关系的质疑，不过有消息称，双方正在寻求更有效的替代方案，比如寻找新地点另外建造研究设施，可能位于华城郊外，甚至可能选择在三星的园区内。由于韩国是ASML的关键市场之一，随着三星推进先进制程节点的开发，双方应该会继续保持密切合作。根据ASML的报告，韩国成为了其2025年第一季度最大的市场，占总收入的40%，高于2024年第四季度的25%。

三星已经在上月初，在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，主要用于技术研发工作，预计2025年年中开始使用。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

在2025年第一季度中，净销售额为77亿欧元（约合人民币639.29亿元），毛利率为54.0%，净利润为24亿欧元（约合人民币199.26亿元），整体表现超出了市场的预期。在2025年第一季度里，净预定量为39亿欧元（约合人民币323.8亿元），其中12亿欧元（约合人民币99.63亿元）来自于EUV系统。在该季度里，ASML根据2022-2025年股票回购计划购买了价值约27亿欧元的股票。

ASML在2024年的总股息为每股普通股6.40欧元（约合人民币53.14元），与2023年相比增长4.9%。考虑到 2024 年和 2025 年的三次中期股息为每股普通股 1.52 欧元，因此提交给年度股东大会的最终股息建议为每股普通股1.84欧元（约合人民币15.28元）。

ASML预计，2025年第二季度的净销售额在72亿欧元到77亿欧元之间，毛利率在50%到53%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。此外，ASML预计2025年全年净销售额300亿至350亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间。

得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。美光还加入了EUV光刻技术，利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。此外，美光通过在全球各制造基地开发1γ DRAM节点，为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

提升性能 - 能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来AI工作负载的需求。

降低功耗 - 采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，带来了更好的散热表现。

提升容量密度产出 - 采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30%以上，从而实现更高效的内存供应扩展能力。

美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。