Rapidus表示，这是日本半导体行业的一个重要里程碑，标志着EUV光刻工具将首次在当地大规模应用。除EUV光刻机外，Rapidus还将在其IIM-1工厂安装更多先进的半导体制造辅助设备以及全自动材料处理系统，以优化2nm GAA半导体工艺的制造。Rapidus计划2025年4月在IIM-1工厂启动试验生产线，同时将继续建设新的半导体代工服务，称为快速和统一制造服务（RUMS）。

ASML是唯一生产EUV光刻机的公司，这次Rapidus购入的是TWINSCAN NXE:3800E系统。如果试产2nm芯片顺利，Rapidus可能会在接下来计划中的第二间工厂内采用1.4nm工艺，并加大EUV光刻机的购买量。为了支持Rapidus的运营，ASML在当地还设立了服务中心。

Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus在2022年底与IBM签署了技术授权协议，目标在2027年开始实现2nm工艺的批量生产。

据TrendForce报道，近期台积电3nm产能需求旺盛，大量客户下单使得产能处于满载状态，同时即将到来的2nm工艺也受到了客户的欢迎，台积电正在考虑继续扩大2nm产能，满足以AI芯片为首的增长需求。随着客户进一步推动人工智能业务发展，在市场需求刺激下，台积电也加快了High-NA EUV光刻机的部署，以便更早地熟悉新技术。

根据台积电的路线图，High-NA EUV光刻机将集成到A14 工艺，预计2027年进入量产阶段。在此之前，需要进行广泛的测试、微调和流程优化，用于1nm阶段的制程工艺中。随着半导体制造工艺日益复杂，成本也随着每个制程节点的开发推进而上涨，每台High-NA EUV光刻机的价格高达3.84亿美元。尽管如此，台积电在技术上的领先有望吸引更多寻找先进芯片制造能力的高端客户。

有分析师表示，加快High-NA EUV技术的开发可能会扩大台积电与竞争对手之间的差距，尤其是三星。台积电在2019年推出了N7+工艺，首次使用了EUV光刻机，当时大概有10台。台积电接下来迅速扩大了EUV光刻技术的应用，也购买了更多的设备，EUV光刻机的销量从2019年至2023年增长了10倍，而台积电占据了其中56%的装机量。

台积电在将新技术集成到大批量生产之前，会根据新技术的成熟度、成本和潜在客户利益进行仔细评估。这是一种系统化，并以客户为中心的方法，到了High-NA EUV时代也会如此。

据TrendForce报道，近日ASML表示，在市场对先进半导体工具的强劲需求下，预计未来五年销售额将实现8%至14%的年收入增长，销售额仍然有希望在2030年增至440亿至600亿欧元，毛利率则在56%至60%之间，与2022年发布的长期业绩指引一致。ASML首席执行官Christophe Fouquet称，未来十年里，EUV技术将随着人工智能（AI）带来的发展机遇实现进一步扩展。

不过在外界看来，经历了前一段时间较低预期的指引后，ASML的声明更多地是为了安抚市场的投资者。随着出口管制政策收紧，加上DUV系统市场趋于饱和、国产化大潮、以及市场的需求变化，ASML预计2025年中国大陆市场的销售占比将降至20%，而在2024年第三季度是47%，已连续五个季度成为ASML最大市场。

此前Christophe Fouquet还表示，中国大陆或许能够设法生产一些3/5nm芯片，但是受制于DUV技术，无论良品率还是产能都会受到限制。

据Wccftech报道，近日ASML首席执行官Christophe Fouquet表示，中国大陆或许能够设法生产一些3/5nm芯片，但是由于只能利用较旧的DUV技术，无论良品率还是产能都会受到限制。正常情况下，中国大陆市场的典型需求约占ASML销售额的20%至25%，预计随着出口管制政策收紧，加上DUV系统市场趋于饱和，2025年开始的净销售额占比将逐渐正常化。

由于ASML对明年净销售额和订单量的预期数据低于市场期望值，其股价在2024年第三季度财报公布后出现了大幅下跌。在Christophe Fouquet看来，这并非中国大陆市场销售受限所致，还有来自于英特尔和三星等客户的需求疲软影响。

此外，Christophe Fouquet认为荷兰等欧洲国家要想在关键行业保持竞争力，人才引进是成功的必要条件，不应该将ASML的成功视为“理所当然”。今年初，由于当地收紧劳工移民政策，曾一度让ASML产生将部分业务迁移海外的想法，最终荷兰政府选择了妥协。

2024年第三季度财报显示，该季度中净销售额为75亿欧元（约合人民币581.54亿元），毛利率为50.8%，净利润为21亿欧元（约合人民币162.83亿元）。在该季度里，净预定量为26亿欧元（约合人民币201.6亿元），其中14亿欧元（约合人民币108.55亿元）自于EUV系统。在第三季度里，ASML没有根据2022-2025年股票回购计划购买股票。此外，中期股息为每股普通股1.52欧元（约合人民币11.79元），将于2024年11月7日支付。

从ASML展示的材料来看，中国大陆依然是ASML最大的客户，贡献了47%的净销售额，略低于2024年第二季度的49%，已连续五个季度成为ASML最大市场。排在第二的是美国，占了21%的净销售额，第三则是韩国和中国台湾地区，占比为15%。其中韩国在第二季度排在第二，占比为28%，第三季度出现较大的下滑。

ASML预计2024年第四季度的净销售额在88亿欧元到92亿欧元之间，毛利率在49%到50%之间，研发成本约为11亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。ASML首席执行官Christophe Fouquet表示，预计2024年全年的净销售额为280亿欧元，2025年将达到300亿至350亿欧元，毛利率在51%到53%之间。

不过由于ASML对明年净销售额和订单量的预期数据低于市场期望值，股价在财报公布后出现16.26%的大幅下跌。

英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips表示，英特尔已经在波特兰的工厂成功完成两套High-NA EUV系统的安装，速度超出了预期。第二台High-NA EUV光刻机在组装上实际耗费的时间比第一台还要少，这得益于所需的必要基础设施都已到位。

与此同时，用于High-NA EUV光刻机的光罩检测工作已经按计划开始进行，Mark Phillips称英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入使用。英特尔的目标是在2026年至2027年之间，让Intel 14A工艺实现量产，外界普遍认为High-NA EUV光刻机将是英特尔重新夺回技术领先地位的关键。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。台积电在上个月也接收了首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。

据TrendForce报道，台积电本月将接收首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。传闻魏哲家亲自与ASML谈判并达成了一项协议，通过购买新设备和出售旧型号相结合的方式，将整体价格降低了近20%。

最新报告指出，High-NA EUV光刻机的售价可能超过4亿欧元，由于无法拆卸光学镜头组件，设备比会议室还要高，并且比上一代产品要更长。 台积电从7nm制程节点开始引入EUV光刻技术，目前是全球最大的EUV光刻机拥有者，大概占有着其中65%左右的设备。

ASML表示，正在推进新的光刻技术，并在研发阶段获得了所有EUV客户的支持，而且这些EUV客户都已经下单购买High-NA EUV光刻机。ASML预计，High-NA EUV光刻技术将在2026年转向大规模生产，具体时间表取决于芯片制造商的工艺成本和其他因素。

据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。

据相关媒体报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。

据DigiTimes报道，英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上透露，美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机，很快就会进入厂房。从技术和生产上来说，这是件值得庆祝的事情，不过由于该季度里英特尔业绩不佳，且未来一段时间内前景悲观，并没有引起大家的关注。

其实在上个月，ASML就表示，已开始出货第二台High-NA EUV光刻机，不过并没有透露客户的名字，记录里仍只显示第一台的信息。此外，客户什么时候采用仍然存在一些疑问。据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。

High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，按照英特尔的最新计划，将在Intel 14A制程工艺引入，最快会在2026年到来。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

2024年第二季度财报显示，该季度中净销售额为62亿欧元（约合人民币515.85亿元），毛利率为51.5%，净利润为16亿欧元（约合人民币126.98亿元）。在该季度里，净预定量为56亿欧元（约合人民币444.42亿元），其中25亿欧元（约合人民币198.4亿元）自于EUV系统，相比上一季度的6.56亿欧元有较大幅度的增长。在第二季度里，ASML根据现行的2022-2025年股票回购计划购买了价值约9600万欧元的股票。此外，中期股息为每股普通股1.52欧元（约合人民币12.06元），将于2024年8月7日支付。

从ASML展示的材料来看，中国大陆依然是ASML最大的客户，贡献了49%的净销售额，与2024年第一季度持平，已连续四个季度成为ASML最大市场。排在第二的是韩国，占了28%的净销售额，第三则是中国台湾地区，占比为11%。

ASML预计2024年第三季度的净销售额在67亿欧元到73亿欧元之间，毛利率在50%到51%之间，研发成本约为11亿欧元，SG&A成本约为2.95亿欧元。Christophe Fouquet称，ASML对全年的展望保持不变，目前看到人工智能（AI）的强劲发展，推动了大部分行业的复苏和增长，领先于其他细分市场。

据Trendforce报道，Hyper-NA EUV光刻机的价格预计达到惊人的7.24亿美元，甚至可能会更高。目前每台EUV光刻机的价格约为1.81亿美元，High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV光刻机的两倍多。如果情况属实，意味着Hyper-NA EUV光刻机的价格也会在High-NA EUV光刻机的基础上翻倍。购买最先进的设备涉及高昂的费用支出，让台积电（TSMC）、三星和英特尔变得犹豫不决。

由于High-NA EUV光刻机较高的定价，已经让台积电变得更加谨慎，计划尽可能地让现有EUV光刻机最大限度地发挥性能，通过适当地升级现有工具、更多地采用多重曝光等技术手段，以减轻采购新设备的投资压力。此前台积电已经公开表达了对High-NA EUV光刻机使用成本的担忧，表示采用新技术的决定取决于最大经济效益和可实现技术之间的平衡，并拒绝透露引入High-NA EUV技术的时间表。今年台积电推出了A16工艺，在外界看来，一定程度上是为了延后启用新设备的时间。

三星也在考虑High-NA EUV光刻机，不过随着Hyper-NA EUV光刻机的时间表变得清晰，可能选择调整其长期路线图。有业内人士透露，对于涉及1nm以下的工艺，现在采购High-NA EUV可能不是最佳选择，其中一种可行性是最大限度地利用手上的EUV设备，跳过High-NA EUV，直接过渡到Hyper-NA EUV。

虽然英特尔是首个购入High-NA EUV光刻机的客户，但是去年其代工业务亏损了70亿美元，今年第一季度甚至亏损还扩大了。如果贸然采购下一代EUV光刻设备，很可能会面临严峻的财务挑战。

由于英特尔在购买High-NA EUV光刻机方面表现得相当积极，新设备出现时已抢先下单，并在去年末接收了业界首台商用High-NA EUV光刻机，前一段时间已完成组装工作。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，所以选择继续接收属于正常操作。真正让人感到意外的是台积电，要知道不久之前，台积电高层还在否定短期内引入High-NA EUV光刻机的做法，认为设备过于昂贵，A16制程工艺的公布一定程度上也印证了这种想法。

随着ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，已经有媒体联系了台积电了解相关情况，不过得到的答复是属于与供应商之间的密切合作，似乎现阶段不想做太多的回应。据了解，三星和SK海力士明年也将得到High-NA EUV光刻机，预计在2025年下半年。

此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，目前ASML每年High-NA EUV光刻机的产能大概在5到6台，收到的订单数量在10至20台之间。