过去数十年里，半导体行业一直依赖于6英寸光罩，延续至High-NA EUV的到来。未来High-NA EUV使用的光罩将转移至12英寸，预计进一步提升晶圆厂的生产力，并降低芯片的制造成本，还能消除需要两张6英寸光罩在High-NA EUV曝光时进行拼接的限制，整个半导体产业都将受益。这次升级能让先进芯片制造商充分利用High-NA EUV光刻系统的优势，最终提升芯片的成本效益。

凭借存储和代工制造领域的领先优势，加上EUV光刻技术方面的丰富经验，三星相信在这次12英寸光罩转型中发挥关键作用。三星将与行业合作伙伴展开紧密合作，开发所需要的光罩技术及配套基础设施。三星计划2028年首次引入High-NA EUV光刻技术，用于DRAM芯片制造，预计能延长DRAM的扩展路线图，提升分辨率，简化工艺并提高效率。

台积电打算2030年起，在逻辑芯片制造中引入High-NA EUV光刻技术。随着制程技术不断升级，预期使用High-NA EUV曝光的光罩层数也将随之增加。台积电目标是2031年之前建立12英寸光罩试产线，2033年之前光刻系统全面就绪，以支持先进制程工艺量产。

据TrendForce报道，随着英伟达Vera Rubin平台出货开始提升，预计台积电3nm订单将在2026年下半年迎来更强劲的增长，将首次超过5nm工艺，季度产值将超过4000亿新台币（约合126.77亿美元/人民币850.8亿元），创下历史新高，总收入的占比也将在30%以上。

由于英伟达、AMD和博通等主要客户后续仍有大量的3nm订单，推动了产能的进一步增长。今年第四季度初3nm产能有望达到每月18万片晶圆，相比今年上半年的15万片晶圆有所上升，比市场预期早两到三个月达到目标。

与此同时，台积电2nm订单也在不断增加，预计到2028年，2nm和3nm总产能将超过每月40万片晶圆。

据TrendForce报道，近日美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在出席公开活动时表示，美光向定制HBM转变将从HBM4E时代开始，计划与客户合作开发定制产品。

更值得注意的是，考虑到定制HBM设计和认证涉及大量时间、研发和成本，Sumit Sadana认为客户不太可能在每个项目中同时与三家HBM供应商合作，这或将推动市场向双供应商甚至单一供应商模式发展，整个HBM供应格局可能面临重大变化。

过去HBM的基础裸片（Base Die）都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。预计首批定制HBM是基于HBM4的设计，三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而SK海力士则选择与台积电（TSMC）合作。

不过与三星和SK海力士的情况不同，美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用与DRAM一样的内部CMOS工艺生产基础裸片，直到HBM4E才转换到台积电。从这点来看，美光在定制HBM方面的进度可能会落后一些。

据TrendForce报道，近日台积电先进封装技术服务相关负责人在公开活动上表示，5.5个光罩尺寸CoWoS封装的良品率已超过98%，部分产品甚至高达99%，且基于该技术的2.5D异构集成方案已经在多个客户的产品上得到了验证。

台积电还规划了下一阶段的CoWoS封装技术，目标是在2028年推出14个光罩尺寸的版本，可容纳10个大型计算芯片和20个HBM堆栈，到了2029年将迎来更大的尺寸，最多容纳24个HBM堆栈。与此同时，台积电还在快速提升封装产能，现在运营着10个先进封装设施，产能稳步跟上客户的需求。虽然还未完全满足客户的需求，但是已经非常接近了。

相比之下，最近被热议的英特尔EMIB-T封装目前可实现6个光罩尺寸，年内扩展至8个，2028年将达到12个。

据TrendForce报道，索尼与台积电在半导体生产方面的合作不仅限于原来的晶圆厂计划，传闻双方正在筹建新合资工厂，共同开发和量产下一代图像传感器，总投资预计达1万亿日元（约合62.76亿美元/人民币423.39亿元），地点同样选在熊本县。这样的投资规模与索尼半导体业务四年的资本支出相当，接近于台积电在在日本的首座晶圆厂。

索尼与台积电早在5月就达成合作的基本框架，具体细节仍在讨论中，预计很快会有最终协议，而且还会与日本经济产业省就政府补贴事宜展开磋商。索尼与台积电将分别持股60%和40%，在2026财年（至2027年3月）之前完成合资公司的设立，预计2029年量产。新的合资工厂将会为苹果iPhone生产下一代高性能图像传感器，未来还将涉足“实体AI”等领域，也就是机器人和自动驾驶车辆等新兴的物理AI应用。除了生产线外，还会规划配套相应的研发设施。

虽然索尼现在占据了全球CMOS图像传感器市场超过一半的份额，但是来自中韩的竞争对手以积极的投资缩小差距。索尼希望通过与台积电的合作强化自身的技术优势，在日益激烈的竞争环境中守住领导地位。

据TrendForce报道，最近有消息人士透露，在英伟达、AMD和博通等主要客户强劲订单的推动下，台积电正在加快先进制程节点的扩产步伐，今年第四季度初3nm产能有望达到每月18万片晶圆，比市场预期早两到三个月。

目前台积电正在中国台湾南部科学园、美国亚利桑那州凤凰城、日本熊本九州岛熊本县三地新增三座3nm晶圆厂，同时还在改造部分5nm生产线，以提供额外的3nm产能。目前台积电的3nm制程节点已开始进入“量产黄金期”，今年预计占据台积电超过30%的总收入。

由于现在3nm制程节点在行业主要细分领域都有着极高的需求，也使得台积电一直在筛选客户的订单。同时台积电已提高3nm订单的报价，涨幅最多为10%，如果特殊原因需要加收服务费，那么幅度最多达25%。与其他先进制程节点一样，2027年初开始实施。

据Wccftech报道，台积电的2nm生产已经走到了一个新的里程碑，每月产量已达到2万片晶圆。目前台积电规划了五座晶圆厂专门负责2nm芯片的生产，而这只是其中一座晶圆厂，准确来说是Fab 20。有趣的是，暂时还没有台积电的客户宣布出货2nm芯片，不过预计苹果和谷歌很快会官宣首批2nm芯片。

台积电在2nm制程节点首发的是N2工艺，采用第一代奈米片（Nanosheet）晶体管技术。接下来台积电会带来升级的N2P工艺，预计性能提升5%。另外2027年台积电计划推出N2X工艺，拥有比N2和N2P更高的FMAX电压，确保提供更好的性能，面向数据中心CPU/GPU以及专用的ASIC等。到了2028年，还会有N2U工艺。

今年初就有消息指出，台积电产能扩张提速，中国台湾地区今年可能多达10座晶圆厂在建及启动。其中宝山Fab 20属于2nm基地，已经进入量产阶段，同时推进第三和第四座晶圆厂的建设。高雄Fab 22同样属于2nm基地，而且还会推进到16A工艺，预计2027年第四季度五座晶圆厂全部投入运营。

据TomsHardware报道，有知情人士确认了台积电打算涨价的传言，涨幅也与预期一致，反映了人工智能（AI）行业对芯片需求的增加，以及工具及材料成本的上涨，另外还有对新产能的投资。先进制程节点除了在原基础上额外增加费用外，那些超出原有采购量、需要额外高性能计算（HPC）芯片的客户，还需要另外加收10%至15%的服务费，这意味有客户可能最多需要多付25%的费用。

成熟制程节点包括12nm、16nm和28nm等，最新消息称，涨幅最多能达到10%，某些制程节点可能调整幅度较小。

根据台积电最新发布的2026年第二季度财报，先进制程节点占其总收入的77%，成熟制程节点则是23%。台积电从今年6月开始就与客户讨论新的定价，并于7月完成谈判。台积电并没有立即提高定价，而是选择2027年初开始实施，以便给客户更多的时间适应并作出相应的调整。

台积电董事长兼总裁魏哲家在本季度的财报电话会议上表示，很羡慕存储器制造商高达86%的毛利率，对台积电68%的毛利率也感到满意。

据Wccftech报道，近日台积电首席财务官（CFO）黄仁昭在接受媒体采访时表示，决定对美国亚利桑那州的投资是看到当地客户强劲的需求，这是一个多年结构性的需求增长，对于半导体和人工智能（AI）未来的行情非常乐观。

据黄仁昭介绍，亚利桑那州凤凰城的Fab 21在第一阶段采用N4工艺，已经启动并运行，良品率与中国台湾的晶圆厂同样出色；第二阶段很快就来到搬运工具的部分，将支持N3工艺，预计2027年下半年开始投产；第三阶段将引入N2工艺，已经开始建设工程；第四阶段是当地先进封装设施的第一阶段，准备工作已经开启。工程的进度取决于市场状况和客户需求，台积电也希望尽快完成。

黄仁昭承认，台积电在海外的产能扩张成本更高，在美国建设工厂的投入是中国台湾的四到五倍。海外工厂也会带来盈利稀释效应，预计第一阶段就会开始，盈利能力将得到提升，到了第二阶段会逐步改善。在2024年至2029年的五年期间，稀释效应起初每年为2%至3%，随后将扩大至每年3%至4%，随着晶圆厂规模不断扩大而提速。

据Wccftech报道，中国台湾地区正在推动一项《能源管理法》修正案，拟要求所有大型商业用电户自行建设发电与储能设施，用电负载在5MW以上的商业实体，除了学校与医院被豁免外，需要完成10%再生能源设置，预计会覆盖超过400家企业。若该修正案获得通过，那么全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）将面临运营成本的重大变化。

台积电拥有庞大的半导体生产设施，对能源也有着巨大的需求，是当地用电第一大户，消耗了当地大概9%的用电量，高达255.5亿度。过去由于多次停电，曾经对台积电造成了一定的损失。加上未来将引入更先进的制程技术，以及进一步扩大产能，用电量只会越来越高。为此台积电早已开始布，投资风力等绿色能源，另外评估自建设施的可行性。

目前台积电在当地拥有6座12英寸晶圆厂，包括Fab 12、Fab 14、Fab 15、Fab 18、Fab 20和Fab 22；同时有4座8英寸晶圆厂，包括Fab 3、Fab 5、Fab 6和Fab 8；另外还有1座6英寸晶圆厂，称为Fab 2。此外，台积电还运营着多个封装和测试设施。

据TrendForce报道，在季度财报电话会议上，台积电董事长兼总裁魏哲家宣布，将向美国亚利桑那州项目追加1000亿美元的投资，以支持2nm晶圆厂及先进封装和测试设施的建造。至于资金分配上，台积电计划额外建造四座新工厂。

台积电最早投资650亿美元在亚利桑那州建造Fab 21，去年初和今年分别追加了1000亿美元，使得投资总额已经达到了2650亿美元，涵盖10座晶圆厂和2座先进封装厂，另外还有1间主要的研发团队中心。

同时台积电还紧锣密鼓地扩张中国台湾的产能，魏哲家称该地区共有13座晶圆厂及先进封装和测试设施正在建设中。考虑到未来几年市场对3nm的需求持续增长，台积电打算将部分5nm生产线升级至3nm，以进一步扩大3nm的产能。过去台积电的制程节点一般达到目标产能后便停止增产，然而现在AI芯片需求强劲，寻求3nm产能扩张算是个例外。

此外，台积电还在推进日本九州岛熊本县第二座工厂的建造，预计2028年进入量产阶段。

据Wccftech报道，近日台积电在2026年日本技术研讨会上透露，2nm进展迅速，流片量是3nm的四倍，说明受到了客户的欢迎，都想转向这一先进工艺。传闻谷歌的Tensor G6还有苹果的A20系列都选用了2nm工艺，分别用于Pixel 11系列和iPhone 18系列。

有消息称，由于市场对2nm的超高需求，使得台积电将下一代半导体制造工艺的产量提升到新的高度。今年末2nm工艺的月产量将提升到14万晶圆，高于之前10万片的目标。也就是说，量产仅一年时间，2nm就已经接近3nm的极限水平（2025年末月产量16万片晶圆）。

台积电在2nm制程节点首发的是N2工艺，采用第一代奈米片（Nanosheet）晶体管技术。接下来台积电会带来升级的N2P工艺，预计性能提升5%。另外2027年台积电计划推出N2X工艺，拥有比N2和N2P更高的FMAX电压，确保提供更好的性能，面向数据中心CPU/GPU以及专用的ASIC等。到了2028年，还会有N2U工艺。

台积电在2026年第二季度的净利润为7065.6亿新台币（约合人民币1484.48亿元），摊薄后每股收益为新台币27.25元（3.31美元每ADR单位），相比去年同期两者均增加了77.4%。如果与2026年第一季度的财报比较，2026年第二季度的净利润增加了23.4%。

在2026年第一季度，台积电的毛利率、营业利润率和税后纯益率分别为66.2%、58.1%和50.5%。到了2026年第二季度，台积电的毛利率进一步升至67.7%，营业利润率升至60.3%，税后纯益率也升至55.6%。

在2026年第二季度里，2nm、3nm、5nm和7nm工艺的出货量分别占总收入的3%、30%、33%和11%，三者相加达到了销售金额的77%，高于上一季度的74%，增量源自于2nm，目前先进工艺占据了台积电超过四分之三的收入。在台积电的定义里，7nm或更先进的工艺都称为先进工艺。

台积电表示，2026年第二季度的营收受惠于市场对先进工艺的强劲需求，进入2026年第三季度后，预计先进工艺将持续有力地对业绩提供强有力的支持。台积电预计2026年第二季度的收入将在446亿美元至458亿美元之间（假设新台币兑换美元的平均汇率为32兑1），毛利率在65%至67%之间，营业利润率在56%至58%之间。

据TrendForce报道，AI驱动的需求已经不再局限于先进制程节点，价格压力已导向成熟制程节点。多家芯片设计公司表示，最近收到了来自台积电的通知，计划提高成熟制程节点的代工价格，预计2027年1月起执行，涨幅目前估计在个位数范围内。

这是台积电过去三年多里，首次提高成熟制程节点的代工定价。有业内人士认为，台积电的这次调价表明代工厂的定价能力进一步增强，处于更强势的位置，且半导体需求已经扩大到GPU和高性能计算（HPC）芯片以外的地方，比如电源管理集成电路（PMIC）等产品。

除了台积电外，像全球第四大晶圆代工厂联华电子（UMC）已多次提高成熟制程节点代工的价格。

据TrendForce报道，随着台积电大举进军硅光子学领域，预计PIC（光子集成电路）晶圆产能将大幅扩展。有投资机构预计，台积电的PIC产能在2026年第二季度将达到每月约1万片晶圆，第四季度进一步提高至每月1.5万片晶圆，预计2028年达到每月至少2.5万片晶圆。

由于初期产能有限，台积电COUPE平台在2026年至2027年的主要客户局限在英伟达、博通和AMD。随着2028年产能的提升，联发科和美满电子等也很可能加入到COUPE平台。随着AI服务器集群不断扩展，互连带宽的需求也在增长，台积电COUPE平台将成为市场重点。

台积电PIC产能扩张有受到三个关键因素影响：首先，表明CPO正逐步超越实验和小批量验证阶段，迈向量产准备阶段；其次，硅光子学与先进封装的结合，包括COUPE、SoIC和CoWoS，有望打造一个更全面的AI光电平台；最后，更高的PIC输出预计将推动FAU、激光器、光学测试设备等设备的需求。

根据台积电的计划，基于其COUPE平台的全球首款200Gbps微环调制器（MRM）计划于2026年晚些时候量产。