过去数十年里，半导体行业一直依赖于6英寸光罩，延续至High-NA EUV的到来。未来High-NA EUV使用的光罩将转移至12英寸，预计进一步提升晶圆厂的生产力，并降低芯片的制造成本，还能消除需要两张6英寸光罩在High-NA EUV曝光时进行拼接的限制，整个半导体产业都将受益。这次升级能让先进芯片制造商充分利用High-NA EUV光刻系统的优势，最终提升芯片的成本效益。

凭借存储和代工制造领域的领先优势，加上EUV光刻技术方面的丰富经验，三星相信在这次12英寸光罩转型中发挥关键作用。三星将与行业合作伙伴展开紧密合作，开发所需要的光罩技术及配套基础设施。三星计划2028年首次引入High-NA EUV光刻技术，用于DRAM芯片制造，预计能延长DRAM的扩展路线图，提升分辨率，简化工艺并提高效率。

台积电打算2030年起，在逻辑芯片制造中引入High-NA EUV光刻技术。随着制程技术不断升级，预期使用High-NA EUV曝光的光罩层数也将随之增加。台积电目标是2031年之前建立12英寸光罩试产线，2033年之前光刻系统全面就绪，以支持先进制程工艺量产。

据TrendForce报道，近日ASML高级副总裁兼High-NA EUV产品主管Greet Storms在出席活动时透露，目前全球已经有10套High-NA EUV系统上线，分别安装在4个客户的晶圆厂，另外还有3套High-NA EUV系统正在发货或者安装当中。

Greet Storms表示，High-NA EUV系统正迈向高量产阶段，ASML已经为其制定了多代生产力路线图：在AB模式下，预计产能将从TWINSCAN EXE:5200B的135 WPH提升至TWINSCAN EXE:5200C的160 WPH，然后再到TWINSCAN EXE:5200D的175 WPH，最后到TWINSCAN EXE:5200E的180 WPH。如果换成AA模式，预计产能将超过210 WPH。

在更长远的未来，ASML还将推出TWINSCAN EXE:5600，目标产能将超过250 WPH。

除了逻辑芯片外，High-NA EUV系统也为DRAM扩展提供了可能。SK海力士去年在M16晶圆厂已安装TWINSCAN EXE:5200B，外界猜测SK海力士会尝试用于新型DRAM芯片制造上。三星也同样安装了High-NA EUV系统，预计2030年在1nm制程节点引入，至于DRAM方面的情况暂时还不清楚。

据TrendForce报道，ASML正在寻求提高芯片制造设备的价格，不但包括先进的EUV，还有相对旧一些的DUV。这种做法也遭到了部分客户的反对，比如台积电（TSMC）就表示抵制，而部分中国大陆客户已经同意ASML将DUV系统的定价提高10%。

目前最新的High-NA EUV光刻机售价高达4亿美元，让台积电对这项投资持谨慎态度。截至2029年的路线图，台积电没有任何涉及使用High-NA EUV光刻机的技术，即便是路线图上最先进的A13和A12。相比之下，英特尔要积极得多，与台积电的做法形成了鲜明的对比。ASML已经官宣英特尔的Intel 18A生产线已完成High-NA EUV双重认证，用于大规模生产，良品率达到了现有NXE EUV平台的水平。

据了解，ASML的EUV产能满载，至2027年末的订单已经排满。在ASML看来，旗下部分产品的价格仍有上调空间。ASML首席财务官Roger Dassen表示，强劲的需求增强了公司的定价能力，赋予了更大的灵活性，为进一步涨价留有充足空间。

ASML表示，过去数十年里，与英特尔一直保持紧密合作推动光刻技术的发展，并支持半导体的持续扩展。High-NA EUV是极紫外光刻技术发展历程里非常重要的下一步，旨在为先进芯片制造提供更精确的图案化能力。未来双方将在High-NA EUV技术准备方面继续展开密切合作，并根据客户需求灵活将其整合到未来制程节点中。

2023年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，于2024年4月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完成安装。提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

去年末，英特尔安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统，属于第二代High-NA EUV，是目前全球最先进的光刻机。新系统还提升了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔之前一年多对High-NA EUV光刻机使用经验之上。

ASML在2026年第二季度的净销售额为93亿欧元（约合人民币719.36亿元），毛利率为54.0%，净利润为29亿欧元（约合人民币224.32亿元）。在2026年第二季度里，ASML共售出了86台全新的光刻机，另外还有5台二手的光刻机，季度末现金及现金等价物和短期投资合计75.82亿欧元。整体而言，ASML主要财务指标均高于上一季度给出的指引。

在该季度里，ASML根据2026-2028年股票回购计划购买了价值约11亿欧元的股票。2026年中期股息为每股普通股1.88欧元，将于2026年8月5日支付。

展望2026年第三季度，ASML预计净销售额在110亿欧元到120亿欧元之间，毛利率在55%到57%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为4亿欧元。此外，ASML上调了全年净销售额和毛利率，预计2026年在430亿欧元到450亿欧元之间，毛利率在54%到56%之间。

ASML与塔塔电子合作的重点是部署ASML为新建晶圆厂提供的全方位先进光刻工具和解决方案套件，以确保印度首家商用12英寸晶圆厂的无缝运营，从而为塔塔电子的客户带来价值。另外双方将合作发展印度国内人才培训、供应链和研发项目，以支持晶圆厂的长期成功运营。

这座新建晶圆厂总投资额为110亿美元，将生产适用于汽车、移动设备、人工智能（AI）及其他关键细分领域的半导体，服务全球客户。塔塔电子战略性地与全球主要客户和生态系统公司合作，从中国台湾的力积电（PSMC）处，获得了包括28nm、40nm、55nm、90nm和110nm在内的广泛技术组合。

ASML首席执行官Christophe Fouquet表示，印度快速扩张的半导体行业带来了许多新机遇，ASML将致力于在该地区建立长期合作伙伴关系，而签署的这份谅解备忘录标志着一个重要里程碑，期待与塔塔电子及其更广泛生态系统的紧密合作。

据TrendForce报道，ASML正在推进裁员计划，1700人约占其全部44000名员工的4%左右。ASML将重点放在了管理岗位，而非工程岗位，包括部门经理、组长、团队负责人、产品负责人、项目经理等。传闻受影响的岗位中，约1400个位于荷兰，美国占大概185个，看起来比最初的300个有所减少，或许迫于压力，ASML会减少裁员人数，或者对岗位有所调整。与此同时，ASML还冻结了夏季招聘，大概持续六周。

有消息称，ASML认为其组织架构已经变得过于分层且效率低下，希望重组后能够得到更扁平化的管理。另一方面，ASML未来可能新增约1400个岗位来取代被裁撤的工程岗位，结合精简的架构，从而彻底解决这一问题，但是重组方案至今还没有敲定。

近日台积电（TSMC）更新了至2029年的工艺技术路线图，首次公布了A14制程节点衍生的A13和A12工艺，但是都没有选择使用High-NA EUV光刻机的技术。外界认为，台积电的立场可能对ASML的业务前景造成压力。另外考虑到将产品销售到中国大陆地区存在不确定性，也会对未来的收益产生潜在影响。

ASML在2026年第一季度的净销售额为88亿欧元（约合人民币707.17亿元），毛利率为53.0%，净利润为28亿欧元（约合人民币225.01亿元）。在2026年第一季度里，ASML共售出了67台全新的光刻机，另外还有12台二手的光刻机，季度末现金及现金等价物和短期投资合计83.76亿欧元。

在该季度里，ASML根据2026-2028年股票回购计划购买了价值约11亿欧元的股票。2025年总股息为每股普通股7.50欧元，相比2024年增长17%。考虑到2025年至2026年支付的三次每股普通股1.60欧元的中期股息，提交给年度股东大会的最终股息建议为每股普通股2.70欧元。

展望2026年第二季度，ASML预计净销售额在84亿欧元到90亿欧元之间，毛利率在51%到52%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。此外，ASML上调了全年净销售额，预计2026年在360亿欧元到400亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间。ASML称，当前围绕出口管制持续讨论可能产生的影响，已反映在上述业绩预期区间中。

近年来，在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）需求爆发的背景下，芯片的设计和生产也逐渐发生了变化，由过去的单芯片变成通过堆叠与异构集成来提升性能，为此先进封装设备市场也进入了高速增长时期。其中混合键合技术可以实现芯片间超高密度直接互连，是HBM与Chiplet未来的核心工艺。

ASML以精密生产和控制技术占领前端半导体设备市场，而混合键合设备无论在芯片生产环节还是技术要求上，都契合了ASML的专长。如果能提供光刻到封装的完整解决方案，ASML就能深化绑定生产线，进一步提升芯片效能，为业界树立新的工艺标杆。

去年ASML推出了首款服务于先进封装的产品TWINSCAN XT:260，是一款i-line光刻设备，生产效率相比现有解决方案提升了四倍。另外ASML还将通过与Mistral AI合作，将AI技术融入到整个产品组合，以提升生产性能和效率，并帮助客户提高良品率。

有业内人士认为，ASML进军混合键合设备市场几乎是必然的结果，而且有可能改变现有的市场竞争格局。

IMEC首席执行官Luc Van den hove表示，过去两年是高数值孔径（0.55NA）极紫外光刻技术发展的重要篇章。双方携手合作，已在荷兰费尔德霍芬联合开展了High-NA EUV技术的研发，共同开拓了最先进的半导体图案化技术。随着新设备的到来，IMEC打造了最全面的开发环境，将拥有更大的研发自由度，将与领先芯片制造商、设备供应商、材料供应商、掩模公司、以及计量专家的深度生态系统合作，加快学习周期并提升工艺稳定性，开发并展示下一代逻辑和存储设备技术所需的前沿图案化技术。

IMEC（Interuniversity Microelectronics Centre）成立于1984年，是目前欧洲领先的独立研究中心，研究方向主要集中在微电子，纳米技术，辅助设计方法，以及信息通讯系统技术（ICT）。

去年IMEC与ASML签署了一项新的战略合作协议，为期五年，旨在通过整合ASML和IMEC各自的知识和专长，在两个领域提供有价值的解决方案：一是开发促进半导体行业发展的解决方案；二是制定专注于可持续创新的计划。

据Wccftech报道，近日ASML首席技术专家Michael Purvis接受了媒体的采访，表示研究人员已经找到了将EUV光源功率从目前的600W提升至1000W的方法，而且强调这并非花拳绣腿，也不是那种只能在极短时间内的演示，而是一个能在客户实际生产环境中基于相同要求提供的稳定系统。

ASML通过将EUV光源功率提高至1000W，产能就能从每小时220片提升至330片，且单位产出成本基本维持不变。这似乎表明了ASML找到了提升芯片产量的新方法，不需要增加洁净室空间或者更新设备产能即提升50%，不过暂时还不清楚具体什么时候实现。外界推测，ASML或许会提供升级套件让客户选择升级，而且不是所有EUV光刻机都能将光源功率提高，会有型号限制。

ASML也不会满足于1000W的光源功率，未来还可能朝着1500W甚至2000W的方向发展。

据TomsHardware报道，在季度财报电话会议上，ASML宣布将裁减部分员工，预计减少1700人，涉及制造、客户支持和销售岗位，主要影响荷兰和美国地区。ASML表示，这些拟议调整的岗位主要是在领导层，为保持工程能力，将创建新的工程岗位，以强化现有技术项目并启动新项目，支持自身及客户的增长计划。

目前ASML在高端芯片制造设备领域几乎处于垄断的地位，这一轮半导体行业扩张中，是主要的受益者之一。即便ASML位于荷兰埃因霍恩的扩建项目预计2028年投产，公司规模持续扩张，但是ASML仍然非常谨慎，坚持保持精简的架构及高效的员工队伍。

这是科技行业2026年首次重大裁员公告之一，去年科技行业裁员超过10万人，率先行动的是英特尔，随后是微软和Meta等。

在2025年第四季度中，净销售额为97亿欧元（约合人民币807.26亿元），收入再次创下历史新高，毛利率为52.2%，净利润为28亿欧元（约合人民币233.02亿元）。在2025年第四季度里，新增的订单量创下了历史新高，净预定量为132亿欧元（约合人民币1098.54亿元），其中74亿欧元（约合人民币615.85亿元）来自于EUV系统。

在该季度里，ASML根据2022-2025年股票回购计划购买了价值约17亿欧元的股票。该项目于2025年12月结束，已回购的总额为76亿欧元，没有完成全部120亿欧元的股份回购计划。同时ASML宣布了新的股份回购计划，立即生效，预计于2028年12月31日前执行，计划回购总额上限为120亿欧元，预计其中有最多200万股用于满足员工持股计划。此外，ASML还将注销已回购的剩余股份。

ASML在2025年全年净销售额为327亿欧元（约合人民币2721.39亿元），相比2024年增长了15.5%，又一次创下了年度业绩新高，毛利率为52.8%，净利润为96亿欧元（约合人民币798.94亿元）。

2025年总股息为每股普通股7.50欧元，与2024年相比增长了17%。每股普通股1.60欧元的中期股息将于2026年2月18日支付。考虑到这一中期股息以及2025年支付的两次每股普通股1.60欧元的中期股息，提交给股东大会的最终股息建议为每股普通股2.70欧元。

ASML表示，2026年将是其业务又一个增长年份，主要得益于EUV系统的销售额显著增长，以及已安装基础业务销售的增长。ASML预计，2026年第二季度的净销售额在82亿欧元到89亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间，研发成本约为12亿欧元，SG&A成本约为3亿欧元。此外，ASML预计2026年全年净销售额340亿至390亿欧元之间，毛利率在51%到53%之间。

据Wccftech报道，泰勒工厂的1号厂房作为EUV设备的安装、蚀刻和存放试验平台，相关测试工作将在今年3月启动，计划下半年全面启动生产。预计三星很快回档当地主管部门申请临时使用许可证，这是一项强制性的行政程序，旨在确保厂房设施符合消防安全及其他相关要求。

为了加快工厂的建设进度，现场每天都有超过7000名员工。完工后，新建的六层建筑物将容纳1000名员工。如果从占地面积来看，泰勒工厂的面积达到了485万平方米，比三星在韩国平泽和华城的工厂都要大。

按照三星原计划，将在德克萨斯州泰勒市构建一个全面的先进制造生态系统，包括两间领先的晶圆代工厂、一间致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂、以及一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。

英特尔宣布，已安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统。这是目前全球最先进的光刻机，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。在ASML的合作下，已完成Intel 14A在英特尔晶圆厂的验收测试，以提高晶圆产量。

TWINSCAN EXE:5200B在标准条件下，产量达到了每小时175片晶圆，英特尔计划做进一步调整，提升至每小时200片晶圆以上。新系统还提升了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔过去一年多对High-NA EUV光刻机使用经验之上。

英特尔表示，High-NA EUV是其晶圆代工技术库中的重要能力，结合了自身在掩模、蚀刻、分辨率增强和计量等相关领域的技能，实现了当今芯片所需的更精细晶体管细节。对设计师来说，这带来了更灵活的设计规则，减少步骤和掩蔽次数的能力意味着流程更简化，良品率更高，而且时间更短。 目前英特尔仍处于早期阶段，但这标志着在为客户提升效率与生产力方面取得了积极进展。

在上周的2025 IEEE IEDM上，英特尔还与imec合作展示了对2DFET材料氧化物帽层，核心创新是选择性凹陷刻蚀。