据TrendForce报道，近期台积电3nm产能需求旺盛，大量客户下单使得产能处于满载状态，同时即将到来的2nm工艺也受到了客户的欢迎，台积电正在考虑继续扩大2nm产能，满足以AI芯片为首的增长需求。随着客户进一步推动人工智能业务发展，在市场需求刺激下，台积电也加快了High-NA EUV光刻机的部署，以便更早地熟悉新技术。

根据台积电的路线图，High-NA EUV光刻机将集成到A14 工艺，预计2027年进入量产阶段。在此之前，需要进行广泛的测试、微调和流程优化，用于1nm阶段的制程工艺中。随着半导体制造工艺日益复杂，成本也随着每个制程节点的开发推进而上涨，每台High-NA EUV光刻机的价格高达3.84亿美元。尽管如此，台积电在技术上的领先有望吸引更多寻找先进芯片制造能力的高端客户。

有分析师表示，加快High-NA EUV技术的开发可能会扩大台积电与竞争对手之间的差距，尤其是三星。台积电在2019年推出了N7+工艺，首次使用了EUV光刻机，当时大概有10台。台积电接下来迅速扩大了EUV光刻技术的应用，也购买了更多的设备，EUV光刻机的销量从2019年至2023年增长了10倍，而台积电占据了其中56%的装机量。

台积电在将新技术集成到大批量生产之前，会根据新技术的成熟度、成本和潜在客户利益进行仔细评估。这是一种系统化，并以客户为中心的方法，到了High-NA EUV时代也会如此。

英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips表示，英特尔已经在波特兰的工厂成功完成两套High-NA EUV系统的安装，速度超出了预期。第二台High-NA EUV光刻机在组装上实际耗费的时间比第一台还要少，这得益于所需的必要基础设施都已到位。

与此同时，用于High-NA EUV光刻机的光罩检测工作已经按计划开始进行，Mark Phillips称英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入使用。英特尔的目标是在2026年至2027年之间，让Intel 14A工艺实现量产，外界普遍认为High-NA EUV光刻机将是英特尔重新夺回技术领先地位的关键。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。台积电在上个月也接收了首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。

据TrendForce报道，台积电本月将接收首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。传闻魏哲家亲自与ASML谈判并达成了一项协议，通过购买新设备和出售旧型号相结合的方式，将整体价格降低了近20%。

最新报告指出，High-NA EUV光刻机的售价可能超过4亿欧元，由于无法拆卸光学镜头组件，设备比会议室还要高，并且比上一代产品要更长。 台积电从7nm制程节点开始引入EUV光刻技术，目前是全球最大的EUV光刻机拥有者，大概占有着其中65%左右的设备。

ASML表示，正在推进新的光刻技术，并在研发阶段获得了所有EUV客户的支持，而且这些EUV客户都已经下单购买High-NA EUV光刻机。ASML预计，High-NA EUV光刻技术将在2026年转向大规模生产，具体时间表取决于芯片制造商的工艺成本和其他因素。

据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。

据相关媒体报道，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。

据DigiTimes报道，英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上透露，美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机，很快就会进入厂房。从技术和生产上来说，这是件值得庆祝的事情，不过由于该季度里英特尔业绩不佳，且未来一段时间内前景悲观，并没有引起大家的关注。

其实在上个月，ASML就表示，已开始出货第二台High-NA EUV光刻机，不过并没有透露客户的名字，记录里仍只显示第一台的信息。此外，客户什么时候采用仍然存在一些疑问。据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。

High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，按照英特尔的最新计划，将在Intel 14A制程工艺引入，最快会在2026年到来。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

由于英特尔在购买High-NA EUV光刻机方面表现得相当积极，新设备出现时已抢先下单，并在去年末接收了业界首台商用High-NA EUV光刻机，前一段时间已完成组装工作。传闻英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，所以选择继续接收属于正常操作。真正让人感到意外的是台积电，要知道不久之前，台积电高层还在否定短期内引入High-NA EUV光刻机的做法，认为设备过于昂贵，A16制程工艺的公布一定程度上也印证了这种想法。

随着ASML证实了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，已经有媒体联系了台积电了解相关情况，不过得到的答复是属于与供应商之间的密切合作，似乎现阶段不想做太多的回应。据了解，三星和SK海力士明年也将得到High-NA EUV光刻机，预计在2025年下半年。

此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，目前ASML每年High-NA EUV光刻机的产能大概在5到6台，收到的订单数量在10至20台之间。

据The Elec报道，目前ASML每年High-NA EUV光刻机的产能大概在5到6台，今年生产的这些设备将全部运往美国的芯片制造商，而英特尔已经获得了明年上半年之前生产的大部分High-NA EUV光刻机，这很大程度上得益于新设备出现时，英特尔选择了抢先下单。三星和SK海力士明年也将得到High-NA EUV光刻机，预计在明年下半年。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

去年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在Intel 14A工艺引入，最快会在2026年到来。

ASML还宣布，已经在其位于荷兰费尔德霍芬的High-NA实验室首次使用High-NA EUV光刻机印刷出10nm线宽（dense line）图案。这是迄今为止打印出的最精细的线条，创下了EUV光刻设备新的世界纪录。这是世界上目前仅有的两套High-NA EUV光刻系统之一，另外一套刚刚在英特尔的Fab D1X晶圆厂完成组装工作，正在进行校准步骤。

该演示验证了ASML合作伙伴蔡司的创新型High-NA EUV光学设计，在光学系统、传感器和平台完成粗调校准后，打印出突破性的图案。这是以全规格运行的第一步，接下来将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在实际生产环境中复制这一成果。

虽然ASML的客户并不着急使用High-NA EUV光刻机进行大规模生产，但都准备在未来某个时间点引入新的制造工艺，这也是ASML对High-NA EUV光刻机的销售前景感到乐观的原因之一。此前有报道称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多，ASML目前收到的订单数量在10至20台之间。

去年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，可以更好地了解High-NA EUV设备的使用，获得宝贵的经验。High-NA EUV光刻机将提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

英特尔院士兼英特尔晶圆代工逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监Mark Phillips表示，随着High-NA EUV的加入，英特尔将拥有业界最全面的光刻工具箱，使其能够推动Intel 18A以外的未来制程工艺进入本十年（2021年至2030年）的后半段。

新工具能够通过改变将打印图像投射到硅晶圆上的光学设计，显著提高下一代处理器的分辨率和功能缩放。当与英特尔晶圆代工的其他工艺技术相结合时，High-NA EUV有望打印现有EUV工具1.7倍一维密度的功能。这意味着在二维特征缩放上，可实现1.9倍的密度提升。

High-NA EUV光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在Intel 14A工艺引入，最快会在2026年到来。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

据相关媒体报道，ASML透露其一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是现有EUV光刻机（约1.83亿美元）的两倍多。目前ASML已从英特尔和SK海力士等公司获得了High-NA EUV光刻机的订单，数量在10至20台之间。与此同时，ASML计划到2028年，每年生产20台High-NA EUV光刻机，以满足市场的需求。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

由于新一代光刻设备与旧款产品之间有许多不同之处，需要进行大量的基础设施改造。英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。台积电（TSMC）要等到1nm级的A10工艺才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑，也就是说要等到2030年左右。

英特尔打算在Intel 18A制程节点引入High-NA EUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NA EUV光刻机，用于研发未来新的半导体工艺，不过没有设定任何的时间表。

据DigiTimes报道，来自于晶圆厂工具制造商的消息证实，台积电要等到1nm制程节点才会使用High-NA EUV光刻机，可能是出于对成本的考虑。根据台积电之前公布的路线图，1.4nm级A14工艺的推出时间大概在2027年至2028年之间，而1nm级A10工艺的开发预计会在2030年前完成。

此前ASML首次财务官Roger Dassen在接受采访时表示，High-NA EUV光刻机可以避免制造上双重或四重曝光带来的复杂性，在逻辑和存储芯片方面是最具成本效益的解决方案。显然并不是所有的芯片制造商都像英特尔那样急于将High-NA EUV光刻机用于芯片的量产，表面上可以降低总体成本，但毕竟现有的EUV光刻机也可以双重成像技术实现相同的效果。

由于计划会根据现有技术的表现以及其他市场因素而改变，所以台积电最后也可能会改变引入High-NA EUV光刻技术的时间点。