据TrendForce报道，三星将于今年晚些时候接收首台型号为“TWINSCAN EXE:5200B”的High-NA EUV光刻机，明年上半年还会接收第二台同型号机器。TWINSCAN EXE:5200B属于首个High-NA EUV量产型号，标志着三星已经在为新一代光刻技术应用于大规模生产做准备。

三星并非首个安装TWINSCAN EXE:5200B的半导体制造商，上个月SK海力士就已官宣引入同型号设备，安装在韩国利川M16工厂，用于下一代DRAM的生产。有消息人士透露，三星计划将High-NA EUV光刻机用于2nm工艺的生产线，制造Exynos 2600和特斯拉下一代AI芯片，另外还支持未来采用垂直通道晶体管（VCT）的DRAM。

传闻三星购买这两台High-NA EUV光刻机大概花费了7.73亿美元（约合人民币55.09亿元）

据Techpowerup报道，近日ASML表示，根据目前的订单信息和需求，预计2027年将交付10台High-NA EUV和56台EUV光刻机。其中英特尔和三星最近都提高了光刻机的订单量，英特尔将High-NA EUV的订购数量从1台提高到2台，EUV的订购数量从3台提高到5台，另外三星也将EUV的订购数量从5台提高到7台。

值得注意的还有SK海力士，2027年ASML要交付的EUV光刻机里占了20台，同时也将High-NA EUV的订购数量从1台提高到2台。此外，传闻SK海力士计划在未来两年内安装好20台EUV光刻机，全部是为了HBM及先进存储解决方案设计。

虽然英特尔很可能是首个在量产上引入High-NA EUV光刻技术的芯片制造商，不过三星和SK海力士正在迎头赶上。特别是SK海力士，以目前的产能扩张速度需要更多的厂房，为安装光刻机留有足够的空间。

据Wccftech报道，Exynos 2600将是三星首款采用了SF2（2nm）工艺的SoC，三星希望可以尽可能减少亏损，提高良品率，以便在今年晚些时候开始大规模生产，向业界证明自己的实力。更了更好地实现目标，三星希望引入更多High-NA EUV光刻机，以便日后添加到生产中。虽然这些生产设备并不便宜，但是会带给三星一些必要的优势。

三星于今年3月在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，主要用于技术研发。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

三星原计划是在1.4nm工艺引入High-NA EUV光刻技术，如果提前至2nm工艺中加入，或许能帮助三星实现更高的良品率，并为未来的1.4nm工艺提前做好准备。不过目前ASML每年只能生产五到六台High-NA EUV光刻机，三星也不能随心所欲地订购。

为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。2021年SK海力士在第四代10nm级（1a）DRAM中首次引入EUV光刻技术，将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，SK海力士决定引进超越现有EUV的下一代技术设备。

这次的High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，属于首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

通过引进High-NA EUV设备，SK海力士将简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

据Wccftech报道，近期有投资机构开始下调了ASML的目标股价，从每股795欧元降至759欧元，意味着每股收益将减少大概5%，原因就是High-NA EUV需求放缓，同时也调低了ASML在2026年和2027年的收益预期。不过对ASML股票的评级并没有改变，仍坚持“买入”评价。

按照那位不愿意透露姓名的英特尔董事的说法，新的晶体管设计，比如如GAAFET和CFET，可以降低光刻机在芯片制造过程中的重要性。这些设计是从四面“包裹”栅极，芯片制造商将更多地关注通过蚀刻来去除多余材料，而不是增加晶圆在光刻机上花费的时间来减小特征尺寸。随着芯片制造中横向方向的重要性日益增加，High-NA EUV的重要性相比于EUV就没那么重要了。

从长远来看，人工智能（AI）浪潮带动了芯片产业的发展，投资机构对ASML产品的长期需求仍保持乐观，因为这些芯片普遍采用最新的半导体制造技术，市场对光刻设备的需求仍处于上升趋势。

据Wccftech报道，最近投资研究平台Tegus上分享的讨论中，一位不愿意透露姓名的英特尔董事称，未来将更少地依赖先进的光刻设备，而更多地依赖蚀刻技术。虽然ASML先进的EUV和High-NA EUV仍然是最广泛讨论的芯片制造设备，但是由于出口管制限制，制造芯片还涉及其他步骤。

光刻是整个过程的第一步，将设计转移到晶圆上，然后通过沉积和蚀刻等工艺将这些设计固化。沉积是指芯片制造商将材料沉积在晶圆上，而蚀刻则是有选择地将其去除，从而为芯片创建晶体管和电路的图案。现阶段EUV在制造7nm及以下芯片中发挥了至关重要的作用，因为其能够在晶圆上转移或打印更小的电路设计。

新的晶体管设计，比如GAAFET和CFET，可以降低光刻机在芯片制造过程中的重要性。按照这位英特尔董事的说法，由于GAAFET和CFET设计从四面“包裹”栅极，从晶圆上去除多余的材料非常关键。芯片制造商将更多地关注通过蚀刻来去除材料，而不是增加晶圆在光刻机上花费的时间来减小特征尺寸。

随着芯片制造中横向方向的重要性日益增加，High-NA EUV的重要性相比于EUV就没那么重要了。这种转变的最终结果是减少了对最小功能的依赖，但仍然可以获得高密度，不仅在平面上，而且还在垂直方向上。

据TomsHardware报道，近日台积电在荷兰阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了这一点，下一代制程工艺不需要最高端的光刻系统，无论A16还是A14都不需要High-NA EUV的参与。

台积电表示，技术团队会继续寻找一种方法来延长当前EUV光刻设备的使用寿命，同时获得扩展优势，而A14获得的增强功能即便不使用High-NA EUV的情况下收益也是非常客观的。不过具体如何实现，台积电没有说明。台积电并非排除High-NA EUV，什么时候引入要看其是否带来有意义、可衡量的好处，暂时没有时间表。

A14制程工艺将采用第二代GAA晶体管，并通过NanoFlex Pro技术进一步提高灵活性。不过首发的A14制程工艺不支持超级电轨（Super Power Rail，SPR）架构，也就是背面供电技术，台积电会在2029年带来加入背面供电的版本，满足高性能客户端和数据中心应用的需求。

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "台积电N2 / A16 / A14对比", header: ["项目", "A16 vs N2P", "N2X vs N2P", "A14 vs N2"], width: '92%', columnWidth: 'MAX', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["性能", "8% - 10%", "10%", "10% - 15%"], ["能耗", "-15% ~ -20%", "更低", "-25% ~ -30%"], ["密度", "1.07x - 1.10x", "？", "1.2x"], ["量产", "2026H2", "2027", "2028"] ] });A14系列的主要优势之一是支持NanoFlex Pro技术，为芯片设计人员提供了灵活的标准元件，通过微调晶体管配置，以实现特定应用或工作负载的最佳性能、能耗和面积（PPA）指标。

据The Bell报道，三星和SK海力士已经决定推迟在DRAM生产中引入High-NA EUV技术的时间。原因是工具设备的成本过高，另外DRAM架构即将发生变化，从而让存储器制造商在High-NA EUV技术上采取更为谨慎的态度。

根据三星和SK海力士的计划，DRAM架构将分阶段发展——从6F²到4F²，最终发展到3D DRAM。2030年之前量产的4F²DRAM将需要EUV技术处理，预计将采用High-NA EUV工具。不过与传统DRAM不同，3D DRAM通过垂直堆叠增加晶体管密度，并不一定需要用到EUV技术，无论是普通的EUV还是High-NA EUV工具，从而消除了对EUV技术的需求。这意味着即便投资了High-NA EUV光刻机，但实际部署到DRAM生产的窗口期可能相对较短。

三星也会将High-NA EUV技术引入到逻辑芯片的生产中，正在评估1.4nm工艺中的使用，目标2027年量产。台积电也打算推迟使用High-NA EUV光刻机，A14工艺将绕过该技术，要等到2027年之后，计划A14P工艺上引入。

据Bits and Chips报道，台积电已经决定在A14制程工艺上不引入High-NA EUV光刻技术，仍然坚持使用原有的EUV光刻设备。台积电相信，即便没有High-NA EUV光刻设备，A14制程工艺依然可以实现性能、密度、良品率等目标。台积电将通过限制这一代到下一代的掩模层数量，为客户提供更经济实惠的解决方案，同时又不会牺牲关键部分的复杂性。

根据配置的不同，High-NA EUV光刻设备的价格约在3.85亿美元起步，这将大大增加晶圆厂的成本。芯片制造商更倾向于重复利用现有的工具，所以台积电也尽可能地避免使用High-NA EUV光刻设备，除非原有的EUV光刻系统无法继续改进生产能力。与此同时，台积电也在相关光刻材料上下功夫，以提高光刻工艺和良品率。

最近有IBM的研究人员表示，单次High-NA EUV的成本大概是普通EUV的2.5倍。直到目前为止，英特尔仍然是唯一一家致力于采用High-NA EUV光刻技术进行大批量生产的主要代工厂。

据TrendForce报道，三星已经在本月初在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”，传闻价格达到了5000亿韩元（约合3.44亿美元/人民币24.95亿元）。虽然过去一段时间里，三星在半导体制造方面有不少不利的传言，不过随着首台High-NA EUV光刻机的到来，有力地回应了外界的猜测。三星也成为了英特尔（2023年末）和台积电（2024年第三季度）之后，第三家安装High-NA EUV光刻机的半导体制造商。

按照之前的说法，这台High-NA EUV光刻机主要用于技术研发，预计2025年年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

据TrendForce报道，近期台积电3nm产能需求旺盛，大量客户下单使得产能处于满载状态，同时即将到来的2nm工艺也受到了客户的欢迎，台积电正在考虑继续扩大2nm产能，满足以AI芯片为首的增长需求。随着客户进一步推动人工智能业务发展，在市场需求刺激下，台积电也加快了High-NA EUV光刻机的部署，以便更早地熟悉新技术。

根据台积电的路线图，High-NA EUV光刻机将集成到A14 工艺，预计2027年进入量产阶段。在此之前，需要进行广泛的测试、微调和流程优化，用于1nm阶段的制程工艺中。随着半导体制造工艺日益复杂，成本也随着每个制程节点的开发推进而上涨，每台High-NA EUV光刻机的价格高达3.84亿美元。尽管如此，台积电在技术上的领先有望吸引更多寻找先进芯片制造能力的高端客户。

有分析师表示，加快High-NA EUV技术的开发可能会扩大台积电与竞争对手之间的差距，尤其是三星。台积电在2019年推出了N7+工艺，首次使用了EUV光刻机，当时大概有10台。台积电接下来迅速扩大了EUV光刻技术的应用，也购买了更多的设备，EUV光刻机的销量从2019年至2023年增长了10倍，而台积电占据了其中56%的装机量。

台积电在将新技术集成到大批量生产之前，会根据新技术的成熟度、成本和潜在客户利益进行仔细评估。这是一种系统化，并以客户为中心的方法，到了High-NA EUV时代也会如此。

英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips表示，英特尔已经在波特兰的工厂成功完成两套High-NA EUV系统的安装，速度超出了预期。第二台High-NA EUV光刻机在组装上实际耗费的时间比第一台还要少，这得益于所需的必要基础设施都已到位。

与此同时，用于High-NA EUV光刻机的光罩检测工作已经按计划开始进行，Mark Phillips称英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入使用。英特尔的目标是在2026年至2027年之间，让Intel 14A工艺实现量产，外界普遍认为High-NA EUV光刻机将是英特尔重新夺回技术领先地位的关键。在此之前，英特尔将继续优化先进的工艺技术，以进一步提高性能和成本效益。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。台积电在上个月也接收了首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。

据TrendForce报道，台积电本月将接收首台High-NA EUV光刻机，移送至其全球研发中心进行研究，以满足A14等未来先进工艺的开发需求。传闻魏哲家亲自与ASML谈判并达成了一项协议，通过购买新设备和出售旧型号相结合的方式，将整体价格降低了近20%。

最新报告指出，High-NA EUV光刻机的售价可能超过4亿欧元，由于无法拆卸光学镜头组件，设备比会议室还要高，并且比上一代产品要更长。 台积电从7nm制程节点开始引入EUV光刻技术，目前是全球最大的EUV光刻机拥有者，大概占有着其中65%左右的设备。

ASML表示，正在推进新的光刻技术，并在研发阶段获得了所有EUV客户的支持，而且这些EUV客户都已经下单购买High-NA EUV光刻机。ASML预计，High-NA EUV光刻技术将在2026年转向大规模生产，具体时间表取决于芯片制造商的工艺成本和其他因素。

据Business Korea报道，三星计划减少对ASML下一代High-NA EUV光刻机的采购数量，另外与ASML合作的研发中心计划也很可能陷入僵局。传闻三星原计划未来十年内购入三款型号的下一代High-NA EUV光刻设备，包括TWINSCAN EXE:5200/5400/5600，但是现在决定只引入TWINSCAN EXE:5200，未来适当的时候再重新考虑后续版本问题。

这一决定是三星DS（设备解决方案）部门更换新负责人，审查正在进行的项目和投资之后做出的。随着三星计划的变更，相关进程已经完全停止，也让联合研发中心计划打上了问号，究竟是更换建造地点还是完全取消项目，三星和ASML还需要进一步讨论。

有三星内部人士透露，尽管计划进行了修订，但引进High-NA EUV光刻机的计划没有变，并确保联合研发中心建造在合适的位置。

据TrendForce报道，三星在存储器领域的主要竞争对手SK海力士，计划2026年引入ASML下一代TWINSCAN EXE:5200系统，并增加内部High-NA EUV开发人员的数量。与三星打算将High-NA EUV首先用于晶圆代工业务不同，SK海力士有望用在最先进的DRAM产品上。SK海力士暂时没有透露具体的计划内容，比如安装设备的工厂或者追加投资方向等。

传闻ASML手上已经收到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，包括英特尔、台积电、三星、SK海力士、以及美光。ASML至今生产了8台TWINSCAN EXE:5000，这是第一代High-NA EUV产品，其中英特尔占据了最多的数量，近期将迎来第二台High-NA EUV光刻机，而三星则是ASML首批产品的最后一个订单客户。

由于High-NA EUV光刻机定价较高，有传言称达到了3.8亿美元，使得半导体制造商在投资上普遍都比较谨慎。