9100 PRO SSD采用了第8代V-NAND闪存和5nm自研主控芯片，凭借先进的软硬件架构，新产品带来了显著的性能提升，相比前一代的990 PRO提高了99%。其提供了最大顺序读取速度为14800MB/s，最大顺序写入速度为13400MB/s，最大随机读取2200K IOPS，最大随机写入也是2600K IOPS。

9100 PRO SSD本身提供了1TB至8TB四种容量，不过这次《女神异闻录》联名定制礼盒缺少了8TB选择。

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据Wccftech报道，近日有行业人士透露，并非所有DRAM制造商向数据中心客户提供相同的报价。其中三星的报价是最高的，每Gb为4.5美元（约合人民币30元），相比于SK海力士和美光最多高出了最多25%，两者分别为3.6至3.8美元和4美元。

既然能提供更高的报价，三星肯定有过人之处。其最大的优势来自于自身的晶圆代工厂，生产HBM4所需要的4nm基础裸片（Base Die），另外良品率已经提升至80%。SK海力士则需要依赖台积电，同时HBM4生成方面遇到一些困难，而美光仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，并没有转向逻辑工艺，性能表现没那么好。

上个月就有消息称，三星4nm生产线的50%至60%产能都用于生产HBM4的基础裸片。得益于HBM4的收入增长，三星晶圆代工业务在2026年的亏损将同比减少42%。

据Wccftech报道，三星打算提升泰勒工厂的产能，已订购每月增产6000片晶圆的设备。三星原目标产能是每月1万片晶圆，现在已提升至2万片晶圆，希望能在2027年末具备这样的生产能力。

随着客户对2nm技术的兴趣增加，三星在先进芯片制造领域的势头也变得更强，泰勒工厂还没有开始生产，就已经收到了满额2nm订单。除了来自特斯拉的AI5和AI6芯片，还包括博通的下一代通信芯片及Arm的智能设备AI芯片。

2nm量产计划对三星代工业务的复苏至关重要，三星目标两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。

三星计划在德克萨斯州泰勒市构建一个全面的先进制造生态系统，包括两间领先的晶圆代工厂、一间致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂、以及一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。

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三维尺寸方面，泰坦军团 G3280V显示器的具体数据为719.1mm（长）×179.5mm（宽）×547.2mm（高），产品重约7kg。

屏幕方面，泰坦军团 G3280V显示器配备了31.5英寸的4.5代QD-OLED面板，使用抗反镜面屏设计。显示规格方面，这款显示器分辨率为3840×2160，最高支持180Hz刷新率，最快响应时间可达0.03ms GTG，全屏最高亮度可达250尼特（APL 100%），HDR最高亮度可达450尼特（APL 10%），支持HDR True Black 400。色彩方面，泰坦军团 G3280V显示器支持原生10bit色深，支持99%DCI-P3、96%Adobe RGB以及100%sRGB色域覆盖，官方宣称其ΔE＜1。护眼方面，泰坦军团 G3280V显示器支持硬件级防蓝光以及DC调光技术。

接口方面，泰坦军团 G3280V显示器配备了2×HDMI 2.1+2×DP 1.4＋1×Audio out。

其他功能方面，泰坦军团 G3280V显示器支持Adaptvie-Sync，支持OLED防烧屏机制，支持游戏辅助功能，支持PL TOOL软件控制，支持PIP/PBP。

支架方面，泰坦军团 G3280V显示器配备了小尺寸底座，支持140mm高度调节、±35°俯仰调节、±45°左右旋转，支持100×100mm VESA壁挂。

据TrendForce报道，最近三星和SK海力士在中国大陆的NAND闪存制造厂都到了升级的关键时期。其中三星计划将其西安工厂生产线从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，SK海力士则将其大连工厂生产线从192层NAND闪存提升至238层NAND闪存，而且寻求进一步提升到生产300层以上NAND闪存，不过这需要获得美国政府的批准。

三星和SK海力士如果迫切希望升级，很大程度是来自长江存储（YMTC）带来的竞争压力。目前长江存储主要以生产160层和232层NAND闪存为主，少量生产294层NAND闪存，并计划提高至300层以上。

不过三星和SK海力士最大障碍仍然是美国政府的设备管制措施，每年都需要获得许可，才能在其中国大陆地区的工厂安装美国供应商的设备。目前三星和SK海力士正在与美国政府进行协调，希望能够更接近于韩国本土工厂的生产标准。

据TrendForce报道，三星正准备扩大Exynos 2700在下一代旗舰智能手机中的应用，预计占比将高于目前Exynos 2600在Galaxy S26系列的25%。有消息称，三星已经在本月初开始生产Exynos 2700，产量有望比Exynos 2600提高超过10%。

Exynos 2700预计会出现在明年发布的Galaxy S27系列机型，主要用于标准版和Plus版。三星还有可能将Exynos 2700放进Pro版，不过定位最高的Ultra版则可能全部采用高通的第六代骁龙8系列芯片。三星也曾考虑将Exynos 2700用于Ultra版，不过出于产能和零部件采购成本等一系列因素，大概率不会这么做。

三星寄望于Exynos 2700能够支持非存储半导体业务，力求惠及其系统LSI事业部，从而提高部门收益。至于最后能起到多大作用，还要取决于Exynos 2700的良品率以及Galaxy S27系列机型的销售情况。

Exynos 2700采用了SF2P工艺制造，这是目前Exynos 2600使用的SF2的下一个版本，属于三星第二代2nm工艺，官方称性能将提升12%、功耗降低25%、面积缩小8%。传闻Exynos 2700的核心频率有可能突破4GHz，三星将目标设定在4.2GHz。

据Wccftech报道，英伟达的NVHBM需要三星和台积电的参与，在制造领域采取更为精简的流程。三星和台积电似乎已经联手，开发3nm工艺制造的基础裸片，最终目标是打造一个标准化产品，减少质量验证步骤。

传闻英伟达已经要求三星、美光和SK海力士选择台积电3nm工艺，生产NVHBM所需要的基础裸片。这么做的最大好处是，英伟达无需分别验证各厂商样品，节省了宝贵的时间和资源，减轻了不必要的负担。其中三星已经接受了这一要求，也是其首次改变自身的HBM制造流程，考虑到HBM的巨大需求，并不介意与台积电组建临时联盟。不过三星仍然在评估自家代工厂，担心NVHBM的需求超过了台积电的产能，正在验证2nm工艺制造的NVHBM基础裸片，作为潜在的替代方案。

其实早些时候就有消息称，三星打算在定制HBM的基础裸片上采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。如果客户选择台积电，相关设计将由存储业务部门负责。

今年三星的HBM4量产十分顺利，其中的基础裸片采用了自家代工的4nm工艺制造。由于三星的HBM4市场需求日益增长，不但拉动了存储收入，也有力地支持了三星的晶圆代工业务。传闻三星4nm生产线的50%至60%产能都用于生产HBM4的基础裸片，使其晶圆代工业务在2026年的亏损同比减少42%。

虽然目前三星还没有正式官宣zNAND-T和zNAND-I，但是可以了解到，zNAND-T专注于大容量、高性能AI数据中心应用，提供高吞吐量和带宽。zNAND-T与zNAND-O类似，采用了垂直堆叠的NAND闪存芯片，通过硅通孔（TSV）连接，这种架构与高带宽闪存（HBF）相关。另外zNAND-I旨在提供最高的IOPS，即存储设备每秒可完成多少读写操作的指标，反映了单个操作执行的频率，适用于特别需要频繁访问少量临时数据的AI推理工作负载。

三星已经在今年8月的一次行业活动上，介绍了zNAND-O的设计。其兼顾高空间效率、低延迟与优异I/O性能，专为支持实时数据密集型AI应用的边缘计算环境而设计，目标是将DRAM般的速度与NAND闪存的高存储容量结合起来，满足生成式AI和LLM日益增长的数据处理需求。按照三星的计划，2028年将会提供zNAND-O样品。

三星并非唯一针对不同AI工作负载开发NAND闪存产品的存储器制造商，SK海力士也在2025年下半年逐步构建起AI-NAND（AIN）系列，涵盖AIN P（性能）、AIN D（密度）和AIN B（带宽）。其中AIN P目标为高达100M IOPS，AIN D优先考虑存储密度，目标达到PB级别，AIN B则专注于带宽，类似于HBF。

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据TrendForce报道，三星正在逐步退出车用AP领域，重组其芯片设计业务，将资源转向更具盈利能力和市场潜力的领域。有消息人士透露，三星已经决定不再生产自2018年以来一直供应的Exynos Auto系列汽车芯片，重点将转向图像传感器和下一代移动AP，力求让其系统LSI事业部明年实现全年盈利。

三星从2023年起，先后向现代汽车和宝马供应Exynos Auto系列汽车芯片。随着战略转向，三星一旦完成现有的生产承诺，就会停止后续的Exynos Auto系列汽车芯片开发及生产工作。三星希望通过针对性的策略调整及更广泛的改革，以支持非存储业务的复苏。

盈利能力是三星Exynos Auto系列汽车芯片面临的主要挑战，与其他智能手机或者家用电器使用的芯片不同，车用芯片必须满足严格的安全与耐用性指标要求，开发成本相对更高。如果没有足够的订单量支撑，很难获得稳定的回报，而现在高通主导了这一部分市场。

除了图像传感器和移动AP外，三星还打算扩展驱动集成电路（DDI）、电源管理集成电路（PMIC）、以及数据中心芯片业务。

据TomsHardware报道，距离三星与AMD签署谅解备忘录已经过去七个月了，近日AMD董事长兼首席执行官苏姿丰博士再次到访韩国，与三星相关负责人就下一代HBM供应等问题洽谈。传闻三星正在寻求与AMD达成更广泛的合作关系，希望除了DRAM供应外，还能获得部分芯片生产订单，以支持自身的晶圆代工业务。

虽然三星与AMD都没有确认这次谈判的内容，不过有业内人士透露，AMD似乎不太愿意将芯片生产交予三星，认为风险过大。之前AMD在一份报告里曾写道，如果将部分产品转交给新的代工厂，可能会出现产品延期、产量下降、或者性能下降的问题。

除了HBM4和DDR5供应外，三星与AMD这份为期三年的谅解备忘录还有其他三项内容，包括：为高性能计算系统共同开发和优化存储解决方案；探索未来AMD平台的代工制造机会；先进封装及相关半导体技术的协同优化。

由于DRAM供应紧张，而且有可能持续至2030年，作为全球第一大存储器制造商，现阶段三星手上掌握着更多筹码，策略也相对更灵活。AMD急需确保未来数年供应链的稳定，而三星也想借此机会，为自己换取更多利益。

据Wccftech报道，过高的成本似乎已无法支撑三星维持生产量，毕竟每年多生产数百万台智能手机也不一定能保证利润。传闻三星已经要求其供应商减少20%至30%的智能手机产量，最重要原因就是存储成本上涨，让其智能手机业务变得无利可图。

根据最新估算，三星今年需要为每组12GB的LPDDR5X内存模块需支付145至146美元，与一年前相比，相同零部件的价格涨幅高达175%。成本短时间内过快过高增长大幅压缩了三星的利润，甚至会出现生产越多亏得越多的窘况。预计第三季度DRAM价格还将上涨20%，达到180美元，三星只能无奈选择减产。由于三星智能手机产品线覆盖几乎所有细分市场，分布在不同价格区间，暂时不清楚具体机型的减产数量，或者哪些机型出现了亏损。

即便如此，今年三星的表现已经很不错了，预计出货量仍然能达到2.7亿台。

据TECHPOWERUP报道，三星的HBM4E已通过了英伟达的测试，将用于下一代Rubin Ultra平台。对于三星来说在HBM领域又一次取得重大进展，特别是考虑到过去三星HBM3E曾长时间未能满足英伟达的验证要求，显然经过努力后，HBM4和HBM4E情况要好很多。

三星的HBM4E速率为14Gbps，而且能继续提高至16Gbps。其每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，可以更好地助力LLM和下一代AI系统。12层堆叠HBM4E提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上，计划根据客户的需求，未来三星还将提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。

目前三星的HBM4是通过自家代工厂生产4nm基础裸片（Base Die），传闻下一代HBM4E情况有可能发生变化。随着定制HBM时代来临，三星打算采取双轨并行策略，根据客户的需求，提供自家代工厂和台积电制造的基础裸片。

传闻初期Anthropic的订购数量并不多，大概在20万颗，远低于一般ASIC项目百万级别数量。Anthropic仍在评估项目的可行性，因为其需要一个完整的定制AI基础设施解决方案，其中包括网络、机架设计、供电、散热、以及其他各方面的考虑因素。

虽然三星在美国德克萨斯州泰勒市的新建晶圆厂即将完工，预计明年实现大规模生产，但是三星可能仍然选择在韩国生产Anthropic所需要的芯片。由于还需要与HBM进行集成，按照常规做法，三星很可能选择自家的I-Cube封装技术，属于较为成熟的2.5D封装。

不过最近三星准备与高通组建一个2.1D封装联盟，旨在为客户提供新的先进芯片封装技术。其设计思路与英特尔的EMIB封装技术类似，但是采用了源自传统PCB中常见材料的有机桥接技术，取代了EMIB里的硅桥片，可降低制造成本。外界猜测，Anthropic的定制AI芯片也许会选择新的封装技术，以降低成本。