企业级QLC SSD在AI应用搭载提升可能有两个原因，一个是读取速度，另一个是TCO优势。由于AI推理服务器在工作负载中主要以读取为主，写入次数不如AI训练服务器频繁，如果与HDD相比，企业级QLC SSD读取速度优势十分明显。同时现阶段企业级QLC SSD的最大容量已经达到了64TB，而服务器所使用的HDD主流容量在22/24TB，无论单个产品还是单位存储所需要的用电都更少，而且同样存储容量下占用的物理空间也更少，可大幅度降低TCO成本。

随着AI服务器总电力消耗的增加，节能指标变得越来越重要，让企业级QLC SSD成为了AI大客户寻求的最佳解决方案。

Solidigm计划下半年扩大144层QLC NAND闪存的生产，而三星则以176层QLC NAND闪存为主。由于企业级QLC SSD供应商较少，产能吃紧，使得相关产品的价格持续上涨，预计涨势会持续至今年第三季度，季度涨幅5~10%。

传闻AMD计划在今年下半年推出Instinct MI350系列，属于Instinct MI300系列的升级版本。其采用了台积电（TSMC）的4nm工艺制造，以提供更强的性能并降低功耗。由于采用了12层堆叠的HBM3E，提高带宽的同时还加大了容量。

三星的HBM3E 12H DRAM提供了高达1280GB/s的带宽，加上36GB容量，均比起之前的8层堆栈产品提高了50%。由于采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层产品与8层产品有着相同的高度规格，满足了当前HBM封装的要求。该技术还通过芯片间使用不同尺寸的凸块改善HBM的热性能，在芯片键合过程中，较小凸块用于信号传输区域，而较大凸块则放置在需要散热的区域，将有助于提高产品的良品率。

按照三星的说法，在人工智能应用中，采用HBM3E 12H DRAM预计比HBM3E 8H DRAM的训练平均速度提高34%，同时推理服务用户数量也将增加超过11.5倍。

有业内人士称，该笔交易与三星晶圆代工的谈判是分开的。此前有传言称，AMD下一代CPU/GPU将引入三星的工艺。

此前我们曾报道，新款iPad Pro将会有11英寸和13英寸两款，而据Ross Young消息，用于新款13英寸iPad的OLED的显示屏出货量高于11英寸的机型。这位分析师称，三星是负责为新款iPad生产OLED显示屏的厂商之一，该公司在生产双层叠层 (two-stack tandem structure) 面板时遇到了技术难题。而且Ross Young认为这种情况将持续到5月份，这将直接影响新款11英寸iPad Pro在上市之初的供货情况。

其实此前这位分析师曾作出预测，由于新显示屏的生产限制，新款iPad Pro的发布将被推迟。而且他当时还在预测中提到，12.9英寸的OLED面板将全部由LG生产，而11英寸的OLED面板则分别由LG和三星共同生产。随后9to5Mac在iPadOS 17.5测试版文件中发现了三星和LG新款OLED显示屏的驱动程序，证实了Ross Young的预测。

根据传闻，苹果将推出11英寸（249.7 x 177.5 x 5.1mm）和13英寸（281.5 x 215.5 x 5.0mm）两个尺寸的新款iPad Pro，且均搭载OLED显示屏。同时根据该系列产品迭代的配置升级规律，OLED iPad Pro大概率会搭载由台积电3nm工艺制造的M3芯片。这意味着OLED iPad Pro将具备更强的性能、更优秀的能耗比表现以及更长的续航。

三款显示器在尺寸、分辨率和亮度上均有所不同，详细如下表：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "三星M8/M7/M5显示器规格参数对比", header: ["型号", "M8", "M7", "M5"], width: '92%', columnWidth: 'MAX', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["尺寸", "32英寸", "32英寸/43英寸", "27英寸/32英寸"], ["分辨率", "3840×2160", "3840×2160", "1920×1080"], ["亮度", "400nits", "300nits", "250nits"], ] });三款显示器刷新率均为60Hz，可视角度为水平/垂直178°，支持HDR10，背部均有USB接口和HDMI接口，M7、M8还额外配置一个C口，支持65W PD充电。显示器本身都支持WiFi 5无线上网和蓝牙5.2功能，可以通过无线网络远程连接主机来进行显示办公。而在软件功能上，M8的功能最为齐全，其内置的NQM AI芯片可以将低画质的流媒体内容转换成4K分辨率，显著提升观看体验，同时支持专业版智能控声技术，可自动区分人声和环境声，并增强人声部分，让对白更加清晰。另外，M8还针对Galaxy Buds耳机进行特别优化，耳机连接显示器后可开启360音频模式，该模式会根据头部位置来调整声音位置，提供更真实的音响效果。

三款显示器均支持和Galaxy Watch进行联动，例如将运动的实时数据传输至显示器上。显示器还随机附送一个太阳能电池遥控器，方便用户对显示器的选项进行设置。

该款一体机采用超薄设计，底座厚度仅6.5mm，主体部分使用金属框架设计。屏幕部分采用一块27英寸的防眩光屏，整体长度68.6cm，比上代产品宽约13%，屏幕分辨率为3840×2160，16:10比例。机内内置AKG的四扬声器组合，包括2个5W的低音单元和2个2W的高音单元，支持杜比全景声。屏幕上方有一颗5000万像素的高清摄像头，以及双阵列数字麦克风。

三星一体机Pro搭载Ultra 5 125H/Ultra 7 155H处理器，共14核心18线程/16核心22线程，最高睿频达4.5/4.8GHz，集成锐炬显卡，拥有7/8个Xe核心；内存采用板载LPDDR5X内存，配备1TB PCIe 4.0 SSD，并预留多一个M.2插槽，方便用户扩展硬盘。网络上，该款一体机支持Wi-Fi 6E无线网络以及蓝牙 5.3。

接口方面，该款一体机包含两个雷电4接口、一个USB 3.2接口、一个USB 2.0接口、一个HDMI接口、一个RJ45网口和音频接口。另外，三星也为这台一体机配备了多终端互联功能：与Galaxy系列手机配对后，可以直接访问手机文件，并用电脑配套的鼠标键盘控制，也可以与Galaxy Tab S系列平板连接，作为平板的扩展屏使用。

三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“我们非常高兴推出业界首款第九代V-NAND产品，它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决方案需求，我们在下一代产品的单元架构和操作方案上进行了突破。通过最新的V-NAND，三星将持续引领高性能、高密度固态硬盘市场潮流，以满足即将到来的人工智能时代的需求。”

与上一代V-NAND相比，第九代V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%，这得益于行业内最小的单元尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠性，三星采用了新的创新技术，诸如避免单元干扰和延长单元寿命，同时取消备用通道孔则大幅减少了存储单元的平面面积。

此外，三星在新一代闪存上应用了通道孔刻蚀技术，该技术通过堆叠模具层来创建电子通路，并在双栈结构中实现行业最高单元层数的同时钻孔，从而最大化制造效率。随着单元层数增加，穿透更高层数单元的能力变得至关重要，这要求更为精密的刻蚀技术。

第九代V-NAND采用了新一代Toggle 5.1闪存接口，让数据传速速度提升33%，高达3.2Gbps。新的接口可为最新的PCIe 5.0 SSD提供足够的性能带宽保障。与上一代产品相比，第九代V-NAND在低功耗设计方面也有改进，其功耗降低了10%，可使SSD变得更为节能。

三星已于本月启动1Tb TLC第九代V-NAND的大规模生产，随后将于今年下半年推出QLC的型号。

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三星BAR升级版+U盘整体尺寸为15.46×40.05×12.02mm，重量约为10.9g，外观上延续了BAR系列的家族式设计，兼顾了美观与便携性，尾部钥匙环方便用户随时携带，同时，全金属一体化的外壳能够提供较好的散热、防水（在1米深的盐水浸泡72小时仍可使用）、防磁、防X光射线、抗震等效果，保障数据安全。需要注意的是，U盘的64GB版本的最高读取速度为300MB/s，128GB或以上容量版本则最高达到400MB/s。

另外，三星还推出了与BAR升级版+参数性能基本相同且更加小巧的迷你车载U盘Fit Plus以及Type-C接口的款式，并且保留了多重防护特性，但两者目前分别仅有黑色和蓝色一种配色，前者除512GB版本比BAR升级版+贵上10元外其余容量价格均一致，而后者各容量的价格均与BAR升级版+相同，目前仅提供了64GB、128GB和256GB三个版本。

三星BAR升级版+U盘及旗下新款存储产品支持使用三星魔术师软件（Magician）来释放其全部的潜力，提供严明产品真伪、检测设备运行状态和基准性能等功能。

按照三星的安排，Galaxy S24 FE大概会在今年10月左右发布，不过有消息称，有可能延期到11月。

三星是在去年10月发布了Galaxy S23 FE，外观上沿用了Galaxy S23的设计，采用铝制边框和玻璃后盖，机身支持IP68防尘防水，提供了“ 晴云白”、“山岩灰”、“湖泊绿”和“浆果紫”四种配色。

Galaxy S23 FE提供了第一代骁龙8和Exynos 2200两个版本；配备了一块6.4英寸的第二代动态AMOLED直屏，峰值亮度可达1450尼特，最高对比度为2000000:1，最高支持120Hz刷新率，屏幕支持Vision Booster功能；采用了5000万像素主摄广角镜头（OIS,F 1.8，三星S23同款传感器）+1200万像素超广角镜头（F2.2）+800万像素长焦镜头（OIS，F 2.4，最高支持三倍光学变焦及30倍数码变焦）+1000万像素前置镜头（F 2.4）；搭载了4500mAh电池，支持最高25W有限快充，支持无线充电功能。

今年1月，SK海力士开始量产第五代HBM产品，也就是8层堆叠的HBM3E，使其在竞争中处于优势位置。三星则计划今年上半年，带来8层堆叠的HBM3E。不过三星在12层堆叠的HBM3E上扳回一城，于今年2月率先宣布开发成功，暂时处于领先位置，并计划今年晚些时候量产，并开始向英伟达供货。反观SK海力士，目前其12层堆叠的HBM3E刚刚向英伟达交付样品，比起三星稍微落后了一些。

至于第六代HBM产品，即HBM4，三星和SK海力士的竞争就更激烈了。三星的HBM4计划明年亮相，2026年开始进入批量生产，将提供8/12/16层堆叠的产品。SK海力士同样计划在2026年实现HBM4的批量生产，为此还与台积电（TSMC）展开合作，利用全球第一晶圆代工厂的先进技术。当然，三星也有自己的优势，是唯一拥有完整生产、代工、封装流程的半导体企业，具备为客户提供可定制化HBM解决方案的能力。

三星和SK海力士的竞争还扩展到了DRAM领域，前者近期推出了速率为10.7 Gbps的LPDDR5X，超过了SK海力士去年速率为9.6 Gbps的LPDDR5T。三星还计划今年底量产第六代10nm级别的DRAM，明年生产第七代10nm级别的DRAM。SK海力士则计划在今年第三季度量产第六代10nm级别的DRAM，比三星要更早一些。去年SK海力士凭借更先进的工艺，以及更早取得英特尔新平台的验证，通过新款DDR5内存获得不少收益。

此外，随着人工智能应用的扩大，在存储器上加入计算功能也是未来的发展方向之一，此前三星和SK海力士都已展示过相关的产品。

据Wccftech报道，Exynos 2500将是三星首款采用第二代3nm工艺的智能手机SoC，很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。得益于更先进的工艺，Exynos 2500可以在相同功耗水平下运行在更高的频率。

今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP），使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，已经在试产。三星对第二代3nm工艺技术期望很高，功耗、性能和面积（PPA）指标甚至能与台积电N3P工艺相媲美，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。

不过三星还需要面对良品率的问题，过去几年里，三星先进制程工艺在良品率上都不是那么理想，要知道2022年6月量产的第一代3nm工艺技术，也就是SF3E（3nm GAA，3GAE），最初的良品率一直徘徊在10%至20%之间，经过长时间努力才在近期提升两倍以上。

有消息称，高通在第四代骁龙8上遇到了功耗和发热问题，制造商需要为智能手机配备更大容量的电池。如果三星能解决Exynos 2500生产上的问题，或许能效上比起第四代骁龙8会有更好的表现。

三星表示，这次测试是一个重要的里程碑，因为这是业界首次实现FDD频段的1024 QAM。通过使用20MHz带宽，使得数据传输速度达到了485Mbps，实现了接近理论的增益。这次测试是在三星位于韩国的研发实验室进行的，利用了三星的5G vRAN软件和无线电（均支持2.1 GHz的FDD和3.5GHz的TDD频段），并配备了最新骁龙X75 5G 调制解调器射频系统的高通测试终端。

QAM是一种先进的调制技术，可以更有效地传输数据或信息。这直接关系到每次传输中可以传输多少位数据。虽然256 QAM广泛用于商业网络，但三星和高通最近完成了3GPP第17版规范中定义的最新1024 QAM，有助于运营商最大限度地利用频谱资源，并允许移动用户无缝享受各种移动服务，比如实时视频流和在线多人游戏，这些服务都需要更高的下载速度。

此外，三星还计划在传统RAN中完成正在进行的1024 QAM测试，预计今年内商用。

美国商务部称，三星是唯一一家在先进内存和先进逻辑技术方面都处于领先地位的半导体公司，预计未来几年将在德克萨斯州泰勒市奥斯汀和地区投资超过400亿美元，创造至少21500个就业机会。三星拟议的投资将分布在德克萨斯州中部两个不同地点，拥有多个项目：

德克萨斯州泰勒市 - 构建一个全面的先进制造生态系统，从前沿逻辑到先进封装再到研发，打造尖端半导体制造中心，服务于各种终端市场。该生态系统将包括两个领先的晶圆代工厂，专注于4nm和2nm工艺技术的大规模生产；一个致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂；一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。其中首座晶圆厂计划在2026年投产，第二座晶圆厂则是2027年，研发工厂也会在同年启用。

德克萨斯州奥斯汀 - 扩建近30年来的设施，以支持为美国关键行业，生产领先的全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺技术。此外，这项拟议的投资还包括与美国国防部合作的承诺。

三星表示，这些投资表明了其对美国的持续承诺，自1996年以来一直在当地制造芯片。通过继续在美国开发未来技术，三星正在采取措施，努力加强美国的经济和国家安全，并提高美国和全球半导体供应链的弹性。

《芯片法案》对三星的补贴规模仅次于英特尔（85亿美元）和台积电（66亿美元），不同的是，三星并没有获得《芯片法案》中的贷款和担保部分，而英特尔和台积电分别得到了110亿美元和55亿美元的贷款。

速率10.7Gbps的LPDDR5X采用了12nm级别的工艺技术，实现了三星现有LPDDR中最小的芯片尺寸。相比于上一代产品，这次的新款LPDDR5X在性能上提高了25%以上，容量也提升了30%以上，同时还将移动DRAM的单封装容量扩展到了32GB，成为端侧人工智能时代里高性能、大容量和低功耗内存的理想解决方案。

三星还采用了专门的节能技术，可根据工作负载频率调整和优化供电模式，以及扩展低功耗模式频段从而延长低能耗工作时长。这些改进使得速率10.7Gbps的LPDDR5X在能效上有了进一步的提升，相比上一代产品提高了25%，延长了移动设备的电池续航时间，并降低了处理服务器处理数据的能耗，最大限度地降低了总体拥有成本（TCO）。

在与设备供应商完成验证后，三星计划在今年下半年开始量产速率10.7Gbps的LPDDR5X。

根据thelec报道，三星预测今年第一季度智能手机和平板电脑的出货量为5300万台，但根据数据统计，今年第一季度三星的实际出货量为6540万台，超出预测目标22%，并且文中写道的实际出货量数据并未囊括第三方承包商闻泰科技制造的Galaxy设备。

thelec对此现象分析道，三星今年能取得如此优秀的销量成绩很大程度归功于Galaxy S24系列将人工智能作为营销重点的策略，以及在印度加强推广廉价机型。此外，报道中有提到，由于需求旺盛，为三星智能手机和平板电脑提供OLED面板的三星显示器工厂在今年的开工率在有所提高。更有消息人士称，为Galaxy A系列生产刚性OLED面板的三星显示器A2生产线目前的开工率高达80%。

以前曾有报道说道，因为刚上市三星Galaxy S24系列就取得不俗的销量成绩，三星提高了今年第一季度Galaxy S24的销售目标。三星原本计划在今年第一季度销售1200万台Galaxy S24系列手机，但后来将该目标提高到1300万台。目前Galaxy S24系列的总销量比Galaxy S23系列的总销量已高出8%。

三星今年的目标是出货2.53亿部智能手机，其中5100万部是Galaxy S系列和折叠屏机型，1.58亿台为A系列等中端机型，4400万台为ODM机型。