2024年第四季度PC OEM在终端销售疲弱，DRAM价格反转下跌的情况下，加速DRAM库存去化力道，该情形也将延续至2025年第一季度，预计PC DRAM价格跌幅为8至13%。Server DRAM方面，同样受淡季因素影响，加上原厂大幅转移DDR4产能至DDR5，加上少数HBM产能转至DDR5，使得DDR5的供应增加，卖方只能降价求售，使得价格走弱，预计跌幅为5至10%。

Mobile DRAM价格降幅收敛，不过仍有3至8%。Graphics DRAM整体需求仍较平淡，主要需求动力来自于GDDR7备货，预计平均季减5%至10%。Consumer DRAM价格于2024年第四季度开始反转向下，买方预期后续将持续下跌，预计降幅为10%至15%。

2025年第一季度市场步入传统淡季，PC市场虽然有Windows 10停止支持和新款CPU推出等有利因素影响，但AI PC应用尚未成熟，上半年上游供应链首要任务仍是消化既有Client SSD库存，在需求疲软和库存压力双重作用下，预计Client SSD合约价将按季度减少13%至18%。2025年Enterprise SSD受AI和存储应用带动，预计全年需求将持续成长，但第一季度采购量仍会受淡季影响下滑，预计降幅为5%至10%。

eMMC产品部分，预期2025年第一季智能手机厂商将着重消化库存，并倾向采购价格较低的模组厂产品，加上其他因素导致需求受到压制，预计将按季度减少13%至18%。2025年第一季仅对特定规格的NAND Flash Wafer有少量需求，在模组厂采购意愿低、原厂间竞争加剧的状况下，预计降幅为13%至18%。

据TrendForce报道，随着NAND闪存市况持续恶化，铠侠可能在2024年12月开始实施减产，以阻止价格下跌，甚至扭转趋势。有业内人士透露，铠侠计划中的生产调整可能会让NAND闪存价格稳定下来。

最近的市场报告指出，在2024年第三季度里，不同应用领域的NAND闪存的价格走势出现了分化，企业级SSD需求强劲，推升价格季增近15%，消费级SSD价格虽有小幅上涨，但订单需求较前一季度减少。来到2024年第四季度，NAND闪存市场面临较为严峻的调整，除企业级SSD外的其他类别产品继续面临价格下行的压力，预计产业收入将比前一季度减少大概10%。

目前主要存储器制造商的库存周转天数已恢复到10-12周的正常范围，三星或许会跟随铠侠的做法，短期内通过减产维持NAND闪存的定价，以更为谨慎的策略应对市场的挑战。

三星是2024年第三季度NAND闪存市场占比最高的厂商，企业级SSD表现受北美需求的持续支持，手机用产品出货量则出现下滑，位元季减5%，平均销售单价有所上涨，营收与上一季度基本持平，为62亿美元；SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）排在第二名，受智能手机和PC用产品需求疲弱影响，位元按季度减少超过15%，但企业级SSD表现亮眼，营收环比减少了2.3%，降至36.3亿美元；铠侠（Kioxia）营收达到了26.62亿美元，环比增长14.4%，动能来自于智能手机和企业级SSD出货；美光排在第四名，各产品线出货持续上升，位元出货量按季度增长了10%，营收环比增长26.6%，达到了25.07亿美元；西部数据位列第五，位元出货量按季度增长了接近15%，营收环比也有7%的增长，达到了18.84亿美元。

展望今年第四季度，TrendForce预计NAND闪存产业的收入将比前一季度减少大概10%，厂商将面临更大挑战。

据Business Korea报道，当三星还努力地在HBM领域追上SK海力士时，后者开始在NAND闪存技术上发力，前一段时间宣布量产全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，并计划于2025年上半年开始供应，双方正悄悄拉起新一轮市场争夺战。很长时间里，三星是存储器市场的排名第一的厂商，无论DRAM还是NAND闪存，产能和技术上都保持着领先，而SK海力士是相对规模较小的厂商。不过随着新款NAND闪存的到来，SK海力士在NAND闪存领域开始获得技术优势，这是一个重要的里程碑。

按照SK海力士的说法，相比上一代238层NAND闪存，321层1Tb TLC 4D NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。三星今年也带来了最新的第9代V-NAND闪存技术，不过单元堆叠层数大概在290层，低于SK海力士。

尽管现阶段三星仍然在销售上占据了更大的市场份额，但是基于SK海力士在HBM和eSSD产品的强劲表现，差距在迅速缩小。其实除了HBM外，SK海力士的DDR5在过去两年里的表现也是可圈可点，倘若三星在DRAM和NAND闪存市场都被SK海力士赶上，那将是沉重的打击。

西部数据杰出工程师兼JEDEC NAND TG主席David Landsman表示：“该版本的JESD230进一步提升了NAND闪存设备的功能，以满足其不断扩大的应用范围不断增长的需求，并延续了JEDEC通过开放行业标准构建可互操作生态系统的传统。”

美光NAND支持总监兼ONFI董事会主席Dan Loughmiller则称：“JEDEC与ONFI和Toggle Mode公司合作，继续为NAND行业提供NAND闪存互操作性标准，使得NAND能够在当今性能要求苛刻的应用中广泛应用。JESD230G规范通过4.8GT/s的NAND接口定义和革命性的新SCA协议，实现了性能更高的NAND设备。这是NAND工作组成员辛勤工作和努力取得的巨大成果。”

目前已量产的NAND闪存里，速率最高的是美光第九代（G9）3D TLC NAND闪存，层数达到了276层，具备高达3.6 GB/s的数据传输速率。今年7月，美光还同时带来了2650系列PCIe 4.0 SSD产品，融入了新一代3D TLC NAND闪存技术。

SK海力士表示，从2023年6月量产当时最高的238层NAND闪存产品，并向市场供货，现在又率先推出了超过300层的NAND闪存，再一次突破了技术界限。这次的新产品积极应对了面向人工智能（AI）的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。

SK海力士在这次产品开发过程中采用了高生产效率的“3-Plug”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料，引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。SK海力士的技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层新品，由此最大限度地减少了工艺变化，相比上一代产品的生产效率提升了59%。

在SK海力士看来，率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储市场方面占据了有利地位。使得SK海力士不仅在以HBM为代表的DRAM市场占得先机，也在NAND闪存领域具备了超高性能存储器产品组合，跃升为“全方位面向AI的存储器供应商”。

据DigiTimes报道，最近供应链已传出消息，三星和铠侠都开始研究在第四季度进行减产，预计会按照市场实际情况分阶段进行。有业内人士称，三星和铠侠的做法反映了至少未来半年的市场趋势，意味着产业面临不景气。即便人工智能市场发展迅猛，看来也支撑不起NAND闪存市场整体需求下降。

在2022年末，各大存储器制造商都先后选择了减产，人为限制产能输出，从而遏制价格下跌，弥补亏损缺口。经过了长时间的努力，到2023年末才初见成效，结束了长时间供过于求的局面，进入2024年后，市况才真正迎来转变。其中铠侠是在今年6月结束连续20个月的减产策略，重新将生产线的开工率已提升至100%。三星也是等到2024年第一季度，存储器业务才结束自2022年以来的亏损，首次恢复盈利。

存储器的行情才恢复不到半年，市况就发生了变化，对于供应链来说又将迎来考验。

据TrendForce报道，随着人工智能（AI）的蓬勃发展，市场除了HBM这类高带宽存储器，也需要更多层数的NAND闪存，这是大型数据中心大容量SSD的理想选择，而三星的目标是2026年推出400层垂直堆叠的NAND闪存，以便在激烈的市场竞争中占据领先位置。

目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，三星的主要竞争对手包括了SK海力士和铠侠等。其中SK海力士也在开发400层的NAND闪存，目标是在2025年年底做好大规模生产的准备。三星的时间表其实差不多，大概在2026年初。

在传统的NAND闪存芯片中，存储单元堆叠在外围电路上方，外围电路充当芯片的大脑。然而当层数超过300层时，堆叠经常会损坏外围设备。为了解决这一问题，三星正在开发第10代V-NAND技术，打算使用一种创新的键合技术，将存储单元和外围电路分别在不同的晶圆上制造，然后再结合在一起。这种方法有望解决存储容量提升及散热效率问题，预计单位面积的位密度将提高1.6倍。

据了解，三星计划2027年带来第11代V-NAND技术，数据传输速度将提高50%，到2030年，V-NAND的层将超过1000层。

虽然厂商积极推动AI PC，但是实用性不足，加上通货膨胀等因素影响，未出现预期中的换机潮。同时原厂在第三季度产能普遍恢复到满载状态，加上制程升级，总体产能还有小幅度提升。目前消费市场难以支撑涨价，现货和渠道市场价格与OEM合约价的差距扩大，也导致原厂调价受阻预计PC客户端SSD的合约价第四季将季减5%至10%。

近期不少企业延迟购置AI服务器，而且云端服务供应商的采购高峰已过，导致第四季度来自服务器OEM的订单量下调，整体采购量相比第三季度出现明显下滑。由于企业级SSD无论订单量和单价都优于客户端SSD，第四季度有望小幅度涨价0%至5%。

智能手机市场在第三季度未见好转，加上厂商积极去库存及技术性抵制涨价，预计eMMC的合约价第四季将季减8%至13%。UFS主要应用在高端和旗舰智能手机，市况与eMMC相同，预计合约价第四季将季减8%至13%。在模组厂库存过高和部分原厂削价竞争下，第四季NAND Flash Wafer合约价将出现较大幅度衰退，预估季减10%至15%，且不排除扩大。

Studio Drive的原型

在分析完成后，Playsoft Services并没有直接照抄苹果原版的方案，而是根据他们维修MacBook Pro 2019的经验，自己设计了一款PCB，并在上面添加了过压保护模块，这可以在稳压器失效时保护NAND的数据。

Studio Drive的过压保护模块

Studio Drive将会搭载和原版同款的铠侠或海力士TLC NAND。因为Mac Studio的主控是在M系列芯片内的，所以Playsoft Services自然不用在Studio Drive上加主控。目前，他们提供几种购买选项，一种是裸板，不带NAND，只焊了过压保护模块，这种方案适合有动手能力的发烧友，这种版本售价是163美元。而带NAND的版本从2TB起步，起售价为435美元。无论哪种容量（包括裸板），都分成了M1和M2两个版本。Playsoft Services表示会为Studio Drive提供5年保修。

截止发稿为止，Studio Drive筹集到了20832美元，刚好超过众筹设定的目标20594美元。

三星是2024年第二季度NAND闪存市场占比最高的厂商，动能主要来自于企业SSD的需求，不过电子消费市场疲软，在平均销售单价上涨20%的带动下，营收环比增长14.8%，达到了62亿美元；SK海力士群组（SK海力士+Solidigm）排在第二名，营收环比增长了13.6%，达到了37.16亿美元，平均销售价格也有16%的增长，AI带动了Solidigm的大容量企业SSD订单，SK海力士计划长期将企业SSD出货占比提升到40%；铠侠（Kioxia）的平均销售单价上涨20%，主要来自服务器需求，营收达到了23.26亿美元，环比增长27.7%；美光排在第四名，平均销售单价上涨20%，同样来自企业SSD带动，营收环比增长15.2%，达到了19.81亿美元；西部数据位列第五，营收环比小幅度增长了3.3%，达到了17.61亿美元，接下来计划通过新产品抢占AI市场机会。

展望今年第三季度，TrendForce预计NAND闪存全产品平均销售单价将按季度增长5%至10%，位元出货量因旺季不旺而出现缩减，按季度至少减少5%，一增一减之下营收将大致与前一季度持平。

在这市场背景下，以消费产品为主的存储器现货价格开始走弱，2024年第二季价格较第一季下跌超过了30%。尽管现货价至八月份仍与合约价脱钩，但也暗示合约价的潜在趋势。根据统计数据显示，2024年第二季消费类NAND Flash零售渠道的出货量已大幅年减40%，反映了全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。虽然存储器产业一向受到周期性因素影响，但今年上半年的下滑幅度明显超出了市场预期，预示这下半年的需求很难出现大幅度好转。

通货膨胀和利率飙升等因素冲击消费者支出意愿，也间接导致消费类存储器模组的出货量下降。同时晶圆价格持续上涨，使得使得模组厂的营运成本大幅增加。如果终端产品要调低价格吸引消费者，在成本增加的情况下，必然会进一步压缩厂商的利润空间。

由于未来市况不明朗，无论AI手机还是AI PC都不一定能带起全面换机潮，很可能无法带动DRAM价格。结合2025年的预期来看，DRAM价格即便上涨，更多的是来自于HBM3E等高附加值产品的带动，以及产能的限制，从而抬升了均价。如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。

虽然新建的闪存制造厂要等到明年才投产，但是铠侠在旁边一起建造的行政大楼已经做好准备，部分行政及工程部门将于2024年11月入驻启用，以监督Fab 2的运转。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的补贴。

此前铠侠曾确认，与西部数据合资的四日市工厂和北上工厂都获得了政府补贴，金额高达1500亿日元，其中包括生产基于创新晶圆键合技术的最新一代3D NAND闪存和下一代先进制程节点的工厂。这也是铠侠与西部数据的合资制造工厂第二次获得日本政府的补贴，旨在促进企业对尖端半导体生产设施的投资，并确保日本半导体的稳定生产。

铠侠表示，将致力于抓住闪存市场的机遇，满足对人工智能（AI）应用和数据中心日益增长的需求，继续积极实施举措，提升自身的闪存研发能力，并实施符合市场趋势的资本投资。

TrendForce预计，DRAM均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而推动DRAM产业营收分别达到907亿美元和1365亿美元。推动DRAM产业营收增长有四项因素，包括：HBM的崛起，预计2024年将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%；DRAM的正常迭代；原厂缩减资本支出和产能的分配；服务器需求的复苏。

此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。预计DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量40%和60-65%，LPDDR5/5X则会贡献2024、2025年Mobile DRAM位元出货量的50%和60%。

NAND闪存方面，2024/2025年产业营收将分别达到674亿美元和870亿美元。企业级大容量QLC SSD的崛起、智能手机采用QLC UFS存储、原厂缩减资本支出和产能的分配、以及服务器需求的复苏都推动了NAND闪存产业营收的增长。其中QLC将贡献2024年NAND闪存位元出货量20%，2025年的比重会进一步提升。此外，QLC也将逐步渗透到智能手机，今年第四季度起部分厂商会启用对应的方案，苹果预计2026年开始导入到iPhone。

随着存储器产业营收创下新高，制造商将有足够的现金加速投资，预计2025年DRAM和NAND闪存产业的资本支出将分别增长25%和10%。同时也会带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，存储器的成本将不可避免地上涨。对于ODM/OEM厂商来说，这种价格上涨不一定能完全反映在产品零售价格上，利润有可能被压缩，导致终端销量受到影响、需求下滑。

今年上半年，原厂控制增产，使得NAND闪存价格加速反弹，帮助原厂重回盈利。不过随着下半年原厂增产幅度扩大，零售市场未见复苏，导致晶圆价格下滑，跌幅扩大，不分晶圆价格已低于合约价超过二成，晶圆合约价格未来上涨空间面临挑战。

Client SSD方面，笔记本电脑进入传统旺季，不过客户备货意愿较为保守，下半年采购容量未见明显增长，原厂产能仍在爬升，因此价格很难拉动，随着QLC方案更多地被采用，预计第三季合约价环比增加3-8%；Enterprise SSD方面，许多企业持续扩大AI服务器建设，信息设备支出明显增加，服务器订单回升，预计第三季合约价环比增加15-20%；eMMC方面，缺乏需求驱动，但原厂提价态度明确，预计涨幅甚微，还有可能持平；UFS方面，智能手机库存水平充足影响，需求端选择增加，市况较为平淡，预计第三季合约价环比增加3-8%。