据Wccftech报道，不同于CPU，存储芯片需要依靠电容器存储数据，可是随着制程节点不断缩小，存储数据的复杂度增加，因为电容器必须达到一定尺寸才能工作。一直以来，DRAM开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此厂商转向3D DRAM，来克服物理的极限。

3D DRAM设计的重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，厂商需要制定相应的工艺来满足生产的要求。有业内人士透露，三星和SK海力士各自押注不同的技术路线来制造下一代DRAM芯片。

三星在2022年量产的3nm制程节点上，首次引入了GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，现在也打算放到DRAM芯片制造上。在逻辑芯片制造中，GAAFET通过栅极包裹沟道来提升电流控制力，不过在DRAM中，三星需要将GAAFET晶体管与电容器整合到同一单元内，正在考虑的一种技术是将负责读写等操作的控制电路置于存储阵列下方，类似于NAND闪存的设计。

SK海力士有些不同，正常尝试4F²单元结构，即将晶体管垂直堆叠，栅极材料包裹在周围，而负责接收电容数据的组件放到晶体管柱的下方。看起来这种方法与GAAFET有些类似，但是空间布局上是不同的。

三星和SK海力士都希望自己的方法得到认可，成为标准，从而主导下一代DRAM芯片。

据The Elec报道，三星、SK海力士和美光这些DRAM制造商最近已经与基板供应商协调DDR6内存模块的开发工作，包括厚度、堆叠结构和布线等。目前DDR6原型产品正在生产和验证当中，这部分工作也是在JEDEC固态技术协会监督下进行的。

JEDEC于2024年提供了DDR6初步草案，在性能和架构方面取得了重大进步。其转向多通道设计，采用4×24位子通道，有别于DDR5的2×32位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，当然也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。

预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6支持新的CAMM2标准，取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。

目前业界已经完成了向DDR5的过渡，去年在服务器市场的占比超过了80%，今年预计达到90%。原本JEDEC可以更早地发布DDR6标准规范，但是一些主要规格迟迟未能敲定，包括厚度、信号使用、功率范围和引脚设计等。随着DRAM制造商加速DDR6标准产品的开发，这一情况将有所改变，预计2028年至2029年之间实现商业化。

据TECHPOWERUP报道，英特尔和SAIMEMORY计划在今年6月召开的VLSI大会上，发表一篇有关HB3DM内存的论文。其基于Z-Angle架构技术打造，与传统HBM类似，以芯片在垂直方向（Z轴）上的堆叠方式进行。

第一代HB3DM内存为9层结构，采用混合键合技术进行3D芯片堆叠。底层将是一个逻辑层，用于管理芯片内部的数据传输，顶部有8层DRAM用于数据存储，每层将包含约13700个硅通孔（TSV）用于混合键合。每层约提供1.125GB，相当于每个内存模块10GB。

英特尔表示，可实现每平方毫米约0.25 Tb/s的内存带宽，对于一块面积为171mm²、容量为10GB的模块，预计可提供约5.3TB/s的带宽。相比于HBM4每堆栈约2TB/s的速率，HB3DM提供了高得多的带宽，翻倍都不止。HB3DM的问题在于容量，要知道HBM4每堆栈可达到48GB，比10GB大了几倍。不过英特尔仍然在推进HB3DM的研发工作，可能会尝试增加层数。

据了解，英特尔和SAIMEMORY计划2028年初完成原型样品，商业化产品将在2029年到来。

近日，华硕和技嘉都先后宣布支持DDR5 HUDIMM内存模块，降低用户构建新平台的门槛，并提供更灵活升级路径。

目前华硕开始为旗下的Intel 800系列平台提供beta版BIOS，包括Z890、B860、Q870、以及H810系列主板。华硕表示，在近期波动的DRAM市场中，DDR5 HUDIMM内存模块的出现迎来了新的机遇，是极具吸引力的替代方案。

相比之下，技嘉的覆盖范围更大一些，涵盖了Intel 800/700/600系列平台，均会提供全面的BIOS更新。技嘉称，这一做法体现了其持续致力于赋能各阶层预算用户的承诺，尤其是在全球DDR5内存价格居高不下、供应持续紧张的大环境下。

标准的DDR5采用了Two sub-channels（32-bit x2）架构，而HUDIMM属于One sub-channel（32-bit x1）的技术方案，可以让主板从过去对内存模块的支持，由两个32-bit子通道减至一个，实际上就是将内存带宽和密度减半，不需要填满DRAM颗粒来满足完整的64-bit总线。同时华擎还设计了HSODIMM内存模块，基于相同的概念，但是针对的是笔记本电脑使用的SODIMM，而不是台式机的UDIMM。

据TrendForce报道，三星在上个月首次采用10nm以下工艺制造了DRAM工程芯片，并在器件特性测试中确认可以正常工作。三星计划于2026年内完成10a DRAM工艺开发，2027年进行质量测试，2028年转入量产阶段。

过去相当长的一段时间里，DRAM工艺一直徘徊在10nm级别，涵盖了1x、1y、1z、1a、1b、1c至1d。这次三星带来了全新的10a DRAM工艺将实际线宽缩小至9.5nm至9.7nm之间，成为了业界首个跨入到个位数nm级别的sub-10nm DRAM工艺技术。

三星的10a DRAM工艺有两项关键技术，分别是4F²单元结构和VCT技术。当前的DRAM一般采用6F²单元结构，其中“F”代表光刻工艺的最小特征尺寸。相比于6F²单元结构，新的4F²单元结构将每个存储单元置于 2F×2F 的面积内，运用更先进的扩展方法，在相同芯片尺寸内将单元密度提升了30%至50%。4F²单元结构得益于VCT技术，将电荷存储电容器直接堆叠在晶体管上方，改变了以往两者水平并列的布局，打造了更为紧凑的结构。

另外三星也运用了新的材料，舍弃传统硅材料，采用铟镓锌氧化物（IGZO）作为沟道材料，有效解决了单元尺寸缩小后可能出现的漏电流问题，保障数据存储的稳定性。不过三星在生产过程中还存在一些问题需要解决，接下来会对工艺进行调整。

据Wccftech报道，最近有消息人士透露，三星基于1dnm（第七代10nm级别）工艺制造的DRAM芯片在试生产期间，良品率低于预期，计划无限期推迟大规模生产，直到良品率达到目标。三星可能通过重新全面审查工艺流程，以进一步提高良品率。

三星原来打算将1dnm工艺制造的DRAM芯片用于HBM5E，也就是第九代HBM解决方案。也就是说除了HBM4外，目前1cnm工艺制造的DRAM芯片还将用于HBM4E和HBM5，连续三代HBM产品。传闻三星可能升级下一代HBM的基础裸片，改用更先进的2nm工艺。

三星已经投入更多资源在1dnm工艺制造的DRAM芯片上，正在韩国建设一座新工厂。据了解，该工厂占地面积约四个标准足球场那么大，除了生产DRAM芯片，还会负责封装、测试、物流和品控等工作，这些环节对于维持稳定的生产至关重要。

目前三星、SK海力士、美光、以及长鑫存储（CXMT）等DRAM制造商都在建造新的生产线，不过考虑到短时间内无法完成建设，直到明年都很难看到产能会有大幅度的提升，而且很大一部分新产品主要面向的仍然是以AI为中心的产品需求。另外还有一个问题是，AI数据中心已经抢先预订了全年的供应，导致智能手机和PC等消费端产品出现了非常大的缺口。

根据报告内容，为应对不断增长的需求，DRAM制造商在2026年至2027年间必须将年产量提高12%，但是按照当前的扩产速度，这一增幅仅为7.5%，中间巨大的差值进一步推高了市场的焦虑情绪。有PC制造商对未来行情表达了悲观的预期，认为至少到2028年末，DRAM供应和价格才会恢复正常。

标准的DDR5采用了Two sub-channels（32-bit x2）架构，而HUDIMM属于One sub-channel（32-bit x1）的技术方案，可以让主板从过去对内存模块的支持，由两个32-bit子通道减至一个，实际上就是将内存带宽和密度减半，不需要填满DRAM颗粒来满足完整的64-bit总线。在华擎看来，这是当下DRAM供应危机的一个可取的解决办法，主要面向入门级产品，这部分设备不需要最高性能或大容量。

目前华擎已经与十铨科技生产了首批DDR5 HUDIMM内存模块，容量为8GB，已经在旗下Intel 600/700/800系列主板进行了验证。同时华擎还设计了HSODIMM内存模块，基于相同的概念，但是针对的是笔记本电脑使用的SODIMM，而不是台式机的UDIMM。

新技术也带来了创新的容量配置方案，华擎通过H610M COMBO II主板搭配使用了一条8GB DDR5 HUDIMM（32-bit x1）与标准的16GB DDR5 UDIMM（32-bit x2）内存模块构成特殊的组合。实际测试数据表明，性能优于市面上单条24GB DDR5 UDIMM内存模块，带宽更高，延迟也更低，是一个兼顾容量与速度的组合。

除了主板产品外，华擎旗下的DeskMini B860主机也能使用HSODIMM内存模块，仅需要更新BIOS即可。未来华擎还会与更多厂商合作，推动更多支持新技术的内存模块进入市场，共同打造更具竞争力的装机环境。

据Wccftech报道，随着三大内存原厂的退出，以长鑫存储（CXMT）为首的国内DRAM厂商正逐步蚕食这部分细分市场。此前兆易创新发布公布，表示计划2026年从长鑫存储处购买了价值8.25亿美元的DRAM产品，大约是去年的六倍。

在这次合作框架下，长鑫存储负责制造，兆易创新负责产品开发和分销，双方将大幅扩展基于DDR3、DDR4、LPDDR4和LPDDR4X的内存开发与销售，以满足市场上大量需要使用上一代内存的芯片需求。如果上一代内存供应不足，许多芯片设计公司只能更新设计，将新的内存标准整合，而这需要额外的时间和精力完成，另外结果也可能是性能提升有限，但是价格变高。

有分析指出，长鑫存储和兆易创新的这种生产与销售的结构可能会对DRAM市场产生影响。虽然供应上一代内存不能保证利润飞升，但是能与众多客户建立合作关系，为日后更多的潜在合作打下基础。

据TECHPOWERUP报道，最近有媒体受邀到雷克沙（Lexar）总部参观，活动中还与管理层进行了交流，讨论了当下市场状况下玩家的选择。当大家意识到存储器短缺问题短期内不会缓解，客户与分销商纷纷抱怨价格已迅速变得难以承受时，雷克沙选择购入低密度存储组件，用于生产小容量的Micro SD卡、内存套装及SSD。

不过令雷克沙感到意外的是，虽然小容量内存和存储卡的销量如预期般走俏，但是256GB及512GB等小容量SSD的销量远远低于预期，低于1TB的SSD的实际情况是“终端用户根本不买账”，大多数用户和零售商宁愿等待或者将就使用旧的SSD。更为极端的情况是，如果新的SSD太贵了，又有容量的要求，用户甚至会换回HDD使用。

尽管内存对电脑的性能有着更为直接的影响，但是用户对SSD有着更为执着的标准。按照雷克沙的说法，目前的市场状况将长期维持，短缺情况短时间内都无法解决，整个存储行业已进入新的时代。

据TrendForce报道，由于DRAM供应短缺、价格飙升，使得不少二三线的DRAM厂商受到了供应链的关注，南亚科技便是其中之一。最近南亚科技公布了最新的季度财报，显示无论营收还是利润都出现大幅度飙升，显然已经在过去几个月的行情中获得了不错的收益。

南亚科技的净利润已经创下了季度历史新高，这主要归功于平均价格（ASP）大幅上涨，涨幅超过了70%。南亚科技预计，DRAM价格涨势会在2026年第二季度延续，幅度仍会达到两位数。同时南亚科技也回应了最近的现货价格波动，认为只是短期调整。目前DDR5约占南亚科技收入的10%，之后会进行灵活调整，DDR4和DDR3将继续填补市场短期供应缺口，定制堆叠存储产品UWIO已开始带来收益。

与此同时，南亚科技还将深化合作，确保多元化产品组合的稳定供应。南亚科技透露，已经与多家公司展开探讨，未来可能会建立合作伙伴关系，将超越股权投资，扩展到联合研发、产能分配或更广泛的供应链整合。

近日Framework带来了最新的每月更新报告，表示这一次价格调整较少，主要原因是过去几个月里，购入了足够的组件，并继续消耗库存。目前来看，存储涨势有所缓解，不过这只是暂时的，预计今年内仍会继续波动及上涨。

无论是内存模组还是固态硬盘，Framework都采用了加权平均成本法来管理。虽然成本继续上涨，但是这次Framework承担了这部分的成本，基本没有调整内存模组的价格，仅调高了128GB版本的价格。至于固态硬盘部分，Framework继续消耗以较低成本引入的库存，只是这部分库存开始减少，后面购入的都是高价的组件，所以只能调高定价。

这次Framework也带来了好消息，在Framework Laptop 16上锁定了价格更低的CPU，使得部分配置的价格恢复到原来的水平。

据Wccftech报道，在当前混乱的DRAM市场局面下，苹果或许选择尽可能压低DRAM价格，放弃部分利润，以维持整个产品线的价格稳定。从最近推出颇具竞争力的MacBook Neo来看，苹果的策略相当成功，有望大幅提高市场份额，新机型的出货量可达5000万台。之前有报告称，2026年笔记本电脑出货量可能下跌14.8%，但是苹果逆势增长，增幅达7.7%。

传闻今年苹果比以往任何时候都要激进，愿意以极高价格购买市场上所有移动DRAM，甚至不惜以牺牲利润为代价。有消息人士透露，苹果是故意这么做的，可以防止竞争对手获得足够的存储芯片，趁机扩大自身的市场份额。

除了笔记本电脑，另外用到移动DRAM的智能手机领域，苹果似乎也是高歌猛进。最近有报告指出，市场需求疲软让高通和联发科都选择减少4nm订单，大概1500万至2000万颗移动芯片。反观苹果的iPhone 17系列，一直保持着强劲的出货势头。

据TrendForce报道，最近一份新的商业报告显示，三星去年在其位于西安的NAND闪存工厂投资同比增长67.5%，而SK海力士去年向自家位于无锡的DRAM工厂和大连的NAND闪存工厂投入超过1万亿韩元，相比2025年增长了十倍。

去年向三星西安的NAND闪存工厂投资了4654亿韩元（约合3.08亿美元/人民币21.32亿元），相比于2024年的2778亿韩元大幅增长。这是一个明显的转变信号，要知道三星在2020年至2023年之间，基本没有在这里进行重大投资。随着全球对NAND闪存的需求增加，三星正在加大投资力度，计划升级西安工厂的生产线，从128层第6代V-NAND闪存升到236层第8代V-NAND闪存，目标今年再提升至400层第10代V-NAND闪存。

三星在西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂，也是最大的存储芯片生产基地。三星前后花了十年的时间建设，分为两期工程，总产量最高可达到每月25万片晶圆，是全球单个产能最高的NAND闪存工厂，占据了三星约35%至40%的NAND闪存产能。

SK海力士去年向无锡的DRAM工厂投资了5810亿韩元（约合3.85亿美元/人民币26.6亿元），相比于2024年的2873亿韩元增长了102%，另外还向大连的NAND闪存工厂投资了4406亿韩元（约合2.92亿美元/人民币20.18亿元），增长了52%。

目前中国大陆地区的工厂占据了SK海力士NAND闪存总产量的40%至45%，DRAM总产量则在35%至40%之间。去年SK海力士在中国大陆约90%的设备投资集中在无锡的DRAM工厂，计划将工艺从1znm（第三代10nm级别）升级至1αnm（第四代10nm级别），为生产更多高价值DRAM产品铺平了道路。

这次南亚科技的融资合计认购约3.52亿股，以每股新台币223.9元计算，总募资规模达到约787.18亿新台币（约合24.63亿美元/人民币170.03亿元）。其中闪迪认购得最多，达1.386亿股，约占南亚科技3.9%的流通普通股。另外铠侠认购了7000万股、Solidigm认购7139万股、思科7150万股，持股比例大概都在2%左右。这次缴款时间为2026年3月26日起至4月8日止，增资发行新股基准日为2026年4月8日。

可以看到，这个投资者里有三家NAND闪存制造商，另外一家为网络设备供应商。有市场人士指出，这次参与私募融资的对象涵盖NAND闪存原厂与系统厂，横跨上游与终端应用，持有南亚科技股份有两个目的：一是确保DRAM供应与现有存储产品捆绑销售，二是通过合作分担先进工艺研发的成本和风险。对于南亚科技而言，则有助于深化与全球存储与系统从业者的合作关系。

此外，南亚科技与铠侠之间还包含了一项长期协议，前者将向后者供应DRAM。这是由于自2025年秋季以来，全球DRAM短缺问题持续存在，铠侠以往的供应渠道已经十分紧张，迫使其以高价进入现货市场及其他渠道采购DRAM，以保证足够的DRAM供应。