据TrendForce报道，美光并没有打算停止扩张产能的步伐，已经在寻找下一个目标。最近美光正在与JDI进行谈判，可能会购入对方位于日本千叶县茂原市已停产G6显示面板工厂，然后改造用于芯片的封装与测试。如果交易成行，预计金额将达到数百亿日元。

这里原本曾经是JDI重要的生产基地，用于制造智能手机及其他设备使用的中小型液晶显示面板。由于财务困难，JDI最终在去年11月选择关闭工厂，原计划改造成AI数据中心，后来因电力供应限制等原因受阻。过去这段时间里，JDI一直与多个买家就工厂的整体出售展开谈判，希望能回笼资金，改善财务结构。

显示面板生产工厂由于配备了洁净室，可以减少灰尘和碎屑造成的污染，加上其他设备和温度要求等生产条件与半导体设施要求相近，通常被认为是适合转换为芯片生产的设施。此前美光在中国台湾也有类似操作，购入了友达光电的部分生产设施。

据TrendForce报道，在强劲的2026财年第二财季财报后，美光指出自动驾驶汽车将成为未来DRAM需求增长的潜在驱动力。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，随着汽车制造商越来越多地推出具备L4级自动驾驶的车辆，每辆车所需要的内存将从过去的16GB上升至300GB以上，另外还有更多的固态硬盘，从而推动汽车存储收入的大幅增长。

美光还透露，正在准备业界首款车规级1γ LPDDR5 DRAM，不过要广泛使用还需要一些时间。美光去年交付全球首款基于1γ（1-gamma）工艺的LPDDR5X DRAM样品，属于第六代10nm级别DRAM工艺节点的产品，已用于三星最新的Galaxy S26系列智能手机。

上个月SK海力士宣布携手闪迪，开启了下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的标准化制定工作。SK海力士将HBF定位为HBM的延伸，并计划最早于2027年开始量产。传闻三星也在积极推进HBF技术，不过暂时还没有官宣。

Sanjay Mehrotra坦承HBF在某些方面确实有优势，但是也存在类似NAND闪存的限制，可能适合部分工作负载，只不过仍处于早期阶段，需要与客户更深入互动，才能更好地理解其商业价值。美光作为三大原厂之一，也将继续评估HBF技术。

据TrendForce报道，美光正在顺着人工智能（AI）带来的存储器上升周期快速扩张，计划扩大本财年的资本支出，预期上调至250亿美元以上，将在全球范围内进行产能投资，以满足客户的需求。随着产能扩张持续，2027财年有可能继续攀升。

美光在2025财年的资本支出为138亿美元，这意味2026财年将增加超过100亿美元。美光表示，今年以18亿美元收购了力积电（PSMC）位于中国台湾苗栗县铜锣乡的晶圆厂（不含生产相关机器设备），而且打算在2026财年末开始建设同等规模的设施，新增约27万平方英尺的洁净室空间，这部分投资推动了2026财年资本支出的增长。

美光似乎非常自信，认为强劲的客户需求足以证明激进的资本支出是合理的。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光已签署首个五年战略客户协议（SCA），其中包含了详细的多年期承诺，同时还积极地与多个客户洽谈，表明这种长期供应模式正逐渐受到青睐，而且能配合其积极扩张的步伐。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在2026财年第二财季里，美光在营收、毛利率、每股摊薄收益及现金流等方面都创下了新纪录，这得益于强劲的需求环境、紧密的行业供应、以及美光高效的执行力，预计第三财季将再次取得新纪录。

美光预计2026财年第三财季的营收在335亿美元左右，上下浮动7.5亿美元，远高于242.9亿美元的市场平均预期，每股摊薄收益为19.15美元，上下浮动0.20美元，也远高于11.29美元的市场平均预期。出色的财务报告，加上远超预期40%的业绩指引，并没有带动美光股价大涨，盘后价甚至一度下跌6%。分析指出，市场对高估值与高资本支出的盈利可持续性进行重新审视，而美光今年以来股价已累计上涨超过60%。

美光已经在2026年第一季度开始批量出货12层堆叠的HBM4，采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，拥有36GB容量，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，速率超过了11Gbps，实现了超过2.8TB/s的带宽，同时还内置自检（MBIST）功能。与美光上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的性能比上一代产品提高了60%以上，功率效率提高了20%以上。

美光已经向客户发送了16层堆叠HBM4的样品，容量提升了48GB，相比12层堆叠HBM4提升了33%。

这次美光还向英伟达供应了SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）内存模组，用于NVIDIA Vera Rubin NVL72系统，为Vera CPU提供最大2TB容量，每个CPU对应1.2TB/s的带宽。

美光也是首个量产PCIe 6.0 SSD的厂商，提供的Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD针对节能和液冷环境进行了优化，为AI训练和推理工作负载提供高速、低延迟的数据访问，支持最大28GB/s的顺序读取速度，还有最大5500K IOPS的随机读取。

近日美光宣布，已完成对铜锣晶圆厂的收购，将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权。新工厂补充了美光在中国台湾的现有业务，将支持包括HBM在内先进DRAM的产品供应，以满足日益增长的人工智能（AI）驱动需求。

据美光介绍，力积电铜锣晶圆厂将于2028财年（最快2027年下半年）开始出货。美光计划对该工厂进行下一阶段扩建工程，预计2026财年末（大概2026年夏天）开始建设同等规模的设施，新增约27万平方英尺的洁净室空间。

这些设施位于台中，距离美光在当地的垂直整合大型园区约15英里的距离，美光将新工厂视为这部分基地的延伸。

据TrendForce报道，近日美光向合作伙伴发出了保密邀请函，表示将于2026年3月26日在力积电铜锣晶圆厂举行设备入驻仪式。美光还对出席人数进行了严格管控：每家供应商只能派出一名代表，参与者需在2026年3月13日前确认姓名和职称。

按照美光的说法，这笔交易预计2026年第二季度完成，之后美光将接管力积电P5工厂的厂区所有权和控制权。据了解，美光将在2026年至2027年之间分阶段更新产线，主要是用于先进DRAM生产的前端设备，预计2027年下半年该工厂产能达到美光全球产能的10%以上。

目前力积电的DRAM产能主要采用25nm和38nm制程，预计未来一年内可获得美光授权的1y nm（第二代10nm级别）工艺技术，后续还有机会再取得1z nm（第三代10nm级别）工艺技术，从而提升DDR4的容量。这不但让力积电保持了在通用DRAM市场的竞争力，而且扩大了位元产出，同时还避免了与美光的产品线相互竞争。

此外，美光还预付了HBM后端晶圆制造产能的款项，实际上将力积电纳入到其先进封装供应链之中。力积电也将获得3D晶圆堆叠（WoW）和中介层（Interposer）等先进封装技术与材料，从而实现转型。

据TrendForce报道，目前三星和SK海力士已入选Vera Rubin的HBM4供应名单，而HBM4的生产从DRAM晶圆到最终封装耗时超过六个月，最早将在本月开始生产。据了解，英伟达还没有最后确定HBM4的订单分配及定价，预计SK海力士应该能拿到今年英伟达包括HBM3E在内的一半以上HBM份额，而三星有可能在HBM4上领先于SK海力士。

根据JEDEC公布的HBM4标准，速度为8Gb/s，不过英伟达要求供应商提供的产品速度至少要达到10Gb/s，远高于基准线。目前三星已经通过了英伟达的HBM4认证测试，包括10Gb/s和11Gb/s两个等级的速度。SK海力士仅通过10Gb/s的部分，还在为11Gb/s而努力。

过去一段时间有消息称，美光在HBM4供应上出现了一些问题，导致落后于三星和SK海力士，英伟达可能会对原先规划的订单进行调整，将部分美光的订单转交给三星。随后美光否认了相关传言，表示实际上HBM4的生产提速，良品率与预期相符，可以提供11Gb/s以上的产品。

不过按照现在的情况来看，美光进度上比竞争对手要慢，应该还没有完成认证流程，而且关键区别也是在速度上。传闻英伟达并没有将美光排除出Vera Rubin供应链，但是打算仅在非旗舰型号产品上采用美光的HBM4。

美光表示，256GB SOCAMM2内存模组注重容量、能效和工作负载性能优化，能够实现更高的内存容量、显著降低了功耗、提供更高的性能表现，适用于各种AI和通用计算工作负载。

AI服务器内存容量扩展 - 256GB SOCAMM2比之前的192GB SOCAMM2多了三分之一容量，为8通道1DPC的服务器处理器提供最大2TB的LPDRAM容量，可更好地处理更大的上下文窗口和复杂的推理工作负载。

更低功耗和更小的占用面积 - SOCAMM2与同类RDIMM相比，功耗降低了三分之二，同时仅占用后者三分之一的空间，从而提高机架密度并降低总拥有成本（TCO）。

推理能力和核心计算性能提升 - 在统一内存架构中，256GB SOCAMM2可让首个token的时间提升2.3倍以上，在高性能计算工作负载下，每瓦性能比主流内存模块高出3倍以上。

模块化设计提升了可维护性和可扩展性 - SOCAMM2有着更好的可维护性，而且支持液冷服务器架构，并能随着AI和核心计算内存需求的持续增长，实现未来的容量扩展。

目前美光提供了业内最广泛的数据中心LPDRAM产品组合，其中包括了48GB至256GB的SOCAMM2内存模块。

目前启用的是第一阶段工程的设施，属于封装和测试工厂，专注于将DRAM和NAND闪存晶圆转化为成品，涵盖球栅阵列（BGA）集成电路封装、内存模块和固态硬盘。该设施包括了50万平方英尺的洁净室，是全球最大的单层封装测试洁净室之一，为大规模、高效率的生产奠定了坚实基础，以满足人工智能推动的全球DRAM和NAND闪存需求增长。

美光是在2023年6月官宣该项目，两个阶段的投资总额预计在8.25亿美元，并会在未来数年内创造多达5000个直接在美光工作的新岗位，另外还有15000个社区工作岗位。根据印度政府的补贴政策，美光会从印度中央政府获得项目总成本50%的财政支持，同时从古吉拉特邦获得项目总成本20%的奖励。这意味着美光自身加上政府机构的补助，总投资额将达到27.5亿美元。

该项目的第二阶段预计2025年后开始，规模和设施与第一阶段基本一致。

据Wccftech报道，首批Galaxy S26系列产品里，大约有一半采用了美光的LPDDR5X。暂时还不清楚三星后续会继续施行50/50 DRAM分摊策略，还是像Galaxy S25系列那样逐渐提高自产LPDDR5X的占比。三星这次大批量采购美光的LPDDR5X，主要原因是作为存储器制造商，三星享有前所未有的定价权，如何能将利润最大化才是其考量的核心。

Wccftech表示，考虑到DRAM市场的严峻形势，苹果在今年的谈判中立马答应了三星涨价100%的要求。苹果的爽快甚至让三星有点意外，原因是100%涨幅只是三星在谈判开始时设定的预期目标，原本只是想达成涨价60%的目标。由于三星内部MX部门向DS部门采购DRAM并没有任何实质性折扣，于是向苹果高价出售LPDDR5X，然后再从外部采购，反而可能让三星赚得更多。

根据过去的历史数据，存储部分一般占智能手机物料清单的10%至15%，如今已增至30%至40%，未来甚至有可能进一步提高至50%。

虽然三星和SK海力士都能提供速率更高的3GB模块，但是英伟达并没有在产品中采用如此快的GDDR7显存，目前最高的是GeForce RTX 5080的30Gbps，其他型号则是更低的28Gbps。理论上现阶段速率高低没有太大意义，不过美光的3GB模块显然来得有点晚。考虑到当前DRAM市场的严峻形势，拥有第三家24Gb GDDR7 DRAM供应商对英伟达及其他厂商来说还是非常有利的，毕竟有更多选择。

目前英伟达仅有两款显卡采用了3GB模块，分别是GeForce RTX 5090移动版和RTX Pro 6000 Blackwell工作站显卡，整体出货量不算大。传闻GeForce RTX 50 SUPER系列将大规模启用3GB模块，首批包括RTX 5080 SUPER、RTX 5070 Ti SUPER 、以及RTX 5070 SUPER三款产品，可是随着过去几个月DRAM涨价及供应短缺，这款中期升级产品甚至存在取消的可能，至少今年是没有希望了。

今天美光宣布，Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD已进入量产阶段，成为首款实现这一里程碑的数据中心PCIe 6.0 SSD。美光设计了该款SSD的主控芯片，搭载了原厂G9 NAND闪存颗粒和缓存DRAM，还有美光生产并经过验证的固件。

Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD可选EDSFF E3.S/ E1.S规格外形，搭载了TLC闪存，可选1DWPD读取密集型PRO版和3DWPD混合负载型MAX版，支持风冷和水冷（E1.S 9.5mm）散热选项。其提供了最大顺序读取速度为28GB/s，最大顺序写入速度为14GB/s，最大随机读取5500K IOPS，最大随机写入900K IOPS，带来了两倍于竞争对手的性能。

美光表示，Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD可支持风冷和水冷散热配置，能够满足现代数据中心中更高的性能密度需求。美光还对Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD生态系统进行了为期18个月的互操作性测试，包括与高端交换机、重定时器的验证，以及在行业活动中的演示。

目前Micron 9650 PCIe Gen 6 NVMe SSD已经获得了原始设备制造商和AI数据中心客户的认证，可用于AI训练和推理工作负载，特别是那些需要为大型语言模型提供高吞吐量数据访问以及增强检索生成管道的场景。

据TrendForce报道，近日在公开活动中，美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy驳斥了美光被英伟达边缘化的传言，称这些报道都是“不准确的”，表示美光已经开始大规模生产HBM4，并向客户发货。

按照Mark Murphy说法，实际情况应该是HBM4生产提速，量产时间从第二季度前移至第一季度。同时Mark Murphy还强调，美光的HBM4良品率与预期相符，正在按计划推进，可以提供速率超过11Gbps的产品。

美光的HBM4采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，性能比上一代产品提高了60%以上，同时还内置自检（MBIST）功能。与美光的上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的功率效率提高了20%以上。

随着英伟达Vera Rubin平台进入量产阶段，三星、SK海力士和美光在HBM4的争夺战也变得愈发激烈。

据TrendForce报道，随着三星、SK海力士和美光转向较短期限的合同，一种新的交易形式正在兴起。三大原厂在部分合同里包含“结算后调整”条款，即根据市场行情而非固定期限协议来调整价格，主要针对的是北美地区的大客户。这意味着即便在供应结束后，付款也会根据市场价格进行调整，从而让三大原厂能更有效地获取价格增长带来的收益。

不少客户其实更希望签订两年或更长时间的合同，以确保为不断扩大的人工智能（AI）基础设施提供稳定的供应。可是由于库存有限和价格波动不定，三星、SK海力士和美光已经将许多合同期限缩减，从年度变成季度甚至是月度。

有消息人士透露，这类短期、事后结算的存储交易协议预计至少持续到今年下半年，直到存储价格放缓。