虽然三星和SK海力士都能提供速率更高的3GB模块，但是英伟达并没有在产品中采用如此快的GDDR7显存，目前最高的是GeForce RTX 5080的30Gbps，其他型号则是更低的28Gbps。理论上现阶段速率高低没有太大意义，不过美光的3GB模块显然来得有点晚。考虑到当前DRAM市场的严峻形势，拥有第三家24Gb GDDR7 DRAM供应商对英伟达及其他厂商来说还是非常有利的，毕竟有更多选择。

目前英伟达仅有两款显卡采用了3GB模块，分别是GeForce RTX 5090移动版和RTX Pro 6000 Blackwell工作站显卡，整体出货量不算大。传闻GeForce RTX 50 SUPER系列将大规模启用3GB模块，首批包括RTX 5080 SUPER、RTX 5070 Ti SUPER 、以及RTX 5070 SUPER三款产品，可是随着过去几个月DRAM涨价及供应短缺，这款中期升级产品甚至存在取消的可能，至少今年是没有希望了。

近日三星官网显示，更高速率的24Gb GDDR7 DRAM已经出样，从原来的28Gbps（K4vcf325zc-sc28）提高至32Gbps（K4vcf325zc-sc32）和36Gbps（K4vcf325zc-sc36）。虽然大家都知道英伟达规划中的GeForce RTX 50 SUPER系列显卡将选用3GB模块，但是不确定是否会提供更高的速率，至少三星现在已经给出了选项。

24Gb GDDR7采用了先进的工艺节点，属于第五代10nm级DRAM制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将存储单元密度提高了50%。与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。

同时三星将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，让GDDR7实现了能效的显著提高。其中包括了“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等方法，可以大幅降低不必要的功耗，进而实现超过30%的能效提升。为了确保在高速运行时的稳定性，三星还采用了电源门控设计，尽可能地降低电流泄漏。

据Benchlife报道，英伟达将为GeForce RTX 50系列添加供应商，计划采用美光的GDDR7。接下来消费者购买到的GeForce RTX 50系列产品，显存将分为三星、SK海力士和美光三个版本。虽然美光很快会加入到供应链名单中，不过英伟达的合作伙伴什么时候采用还不清楚。

早在2024年6月，美光就宣布推出业界最高比特密度的下一代GDDR7显存芯片样品。其采用了1β（1-beta）工艺打造，功耗方面也做了优化设计，并带有四个独立通道，速率分为28/32Gbps两个版本。与GDDR6相比，GDDR7的能效提高了50%以上，带宽高出了60%，而且有着更好的散热效果，并延长了电池续航时间，引入新的休眠功能则将待机功耗降低了70%。

据了解，目前三星、SK海力士和美光都提供了16Gb（2GB）模块，但是24Gb（3GB）模块仅三星提供，现阶段只用于RTX PRO 6000 Blackwell 工作站显卡和RTX 5090移动显卡。

据MEGAsizeGPU透露，英伟达已开始为GeForce RTX 50系列增添新的显存供应商，选择采购来自SK海力士的GDDR7芯片，首先会用于GeForce RTX 5070显卡。暂时还不清楚采用SK海力士GDDR7的显卡是否已经出货，所以也不能确定与三星提供的芯片是否存在温度或者超频之类的差别。

目前GeForce RTX 50系列显卡上使用了两种速率的GDDR7芯片，分别是RTX 5090、RTX 5090 D、 RTX 5070 Ti和RTX 5070的28Gbps速率芯片，还有RTX 5080的32Gbps速率芯片。此外，三星的GDDR7芯片在笔记本电脑使用的GeForce RTX 50系列上也能找到。

去年SK海力士就已推出了GDDR7，速率达到了32Gbps，根据使用环境速率最高可达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。除了16Gb（2GB）模块外，SK海力士还可以提供24Gb（3GB）模块。

为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，SK海力士在GDDR7产品研发过程中采用了新的封装技术。SK海力士将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。不但维持了相同的产品尺寸，而且与前一代产品相比，成功地将GDDR7的热阻减少了74%。

据TrendForce报道，黄仁勋表示三星必须开发出一种“新设计”，以便通过英伟达的验证，对方也确实这么去做了，而且动作还很快。自去年以来，黄仁勋被多次问到涉及三星HBM3E的问题，一直保持乐观的态度，称这些芯片处于“合格”阶段，英伟达正迅速完成认证工作。

目前SK海力士是英伟达主要的HBM供应商，已经提供了8层和12层堆叠的HBM3E芯片，最近还公布了16层堆叠的HBM3E，预计2025年上半年向英伟达提供样品，开始验证工作。相比之下，三星的进度远远落后于竞争对手。

另外还有一个值得注意的是GDDR7，随着GeForce RTX 50系列的发布，英伟达是首个采用GDDR7的客户。过去有报道称，三星在台式机使用的独立显卡上独占了GDDR7显存的供应，而发布会上黄仁勋透露搭配的是美光的GDDR7芯片。

当被问及为何选择美光作为GDDR7首发供应商时，黄仁勋表示不太清楚原因，认为这可能没什么大不了的，

据Greened报道，英伟达将首个采用GDDR7的公司，在台式机上，已决定三星独占显存供应，笔记本电脑则还在考虑当中，三星、SK海力士和美光都可能采用，不过三星仍然是被优先考虑的供应商。从这点上看，三星已在下一代RTX 50系列游戏显卡的显存供应上占据了上风。

有消息人士透露，三星、SK海力士和美光都向英伟达提供了样品进行测试，其中只有三星的产品经过了验证并在市场中处于领先地位，现阶段可以提供运行速度最快的GDDR7。传闻RTX 50系列搭配的是28Gbps的GDDR7模块，其中某些型号可能会将速率提升到32Gbps。

三星在上个月宣布，已成功开发出其首款24Gb（3GB）GDDR7模块，采用了第五代10nm级DRAM制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将存储单元密度提高了50%，同时根据使用环境的不同，速率可进一步提升至最高42.5Gbps。

24Gb GDDR7采用了先进的工艺节点，属于第五代10nm级DRAM制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将存储单元密度提高了50%。与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。这让三星24Gb GDDR7的速率达到了40Gbps，与前代产品相比提高了25%。根据使用环境的不同，可进一步提升至最高42.5Gbps。

同时三星将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，让GDDR7实现了能效的显著提高。其中包括了“时钟控制管理”和“双电压（VDD）设计”等方法，可以大幅降低不必要的功耗，进而实现超过30%的能效提升。为了确保在高速运行时的稳定性，三星还采用了电源门控设计，尽可能地降低电流泄漏。

三星计划今年在下一代人工智能计算系统中对24Gb GDDR7进行验证，并于明年年初实现商业化。

SK海力士表示表示：“GDDR具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年3月份开发完成最新规格的GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产，将搭载于最新款显卡上。”

SK海力士准备的GDDR7速率达到了32Gbps，相比前一代产品提高了60%以上，根据使用环境速率最高可达到40Gbps。在提供更快速度的同时，GDDR7的能效与前一代产品相比提升了50%以上。

为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，SK海力士在GDDR7产品研发过程中采用了新的封装技术。SK海力士将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。不但维持了相同的产品尺寸，而且与前一代产品相比，成功地将GDDR7的热阻减少了74%。

SK海力士希望通过GDDR7，进一步加强了其高端存储器产品线，并发展成为客户最为信赖的人工智能存储器解决方案企业。

据Business Korea报道，三星、SK海力士和美光三大存储器制造商之间的竞争正在从高带宽存储器（HBM）扩展到图形DRAM领域。与HBM产品不同，显卡采用的GDDR产品发展重点是拓宽数据传输路径来提高处理速度和效率，不仅能用于人工智能（AI）芯片，还能用于挖掘加密货币。

根据市场调查研究机构的数据，随着AI PC热潮的到来，相关终端设备的增加，预计GDDR市场也会迎来快速增长，到2024年末将占整个DRAM市场的15%，比2022年时的7%翻了一倍有余。市场规模的扩大预示着收益的增加，三星、SK海力士和美光都计划在2024年第四季度到2025年第一季度之间量产GDDR7。

显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。有业内人士认为，显存将是继HBM之后的新战场，三星、SK海力士和美光也将围绕英伟达新一代GPU争夺订单。从之前厂商发布的公告及展出的样品来看，三星和美光首批GDDR7芯片为16Gb（2GB）的模块，对应速率为32Gbps，而SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

三星和美光都打算在2024年内实现量产，其中前者的GDDR7产品页面已于今年3月在官网上线，后者最近发布了公告，确认已向合作伙伴提供了样品，计划在2024年下半年开始供货。根据现有信息推算，SK海力士在GDDR7上的进度比起三星和美光慢了大概一个季度。虽然量产时间更晚一些，但是不代表三星和美光完全掌握了主动，现阶段只是在与合作伙伴进行验证方面抢先了一步。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

根据展出的样品来看，SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。三星和美光首批GDDR7芯片的速率为32Gbps，为16Gb（2GB）的模块，能提供更快、更大的产品或许是SK海力士的底气所在。

美光副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示：“美光再次走在内存创新的最前沿，开发了可用的最高带宽解决方案，采用先进的工艺和接口技术构建，以实现持续的图形性能领先地位。美光GDDR7的一流功能有助于为要求最苛刻的应用带来更高水平的真实感和性能。”

美光的GDDR7采用了1β（1-beta）工艺打造，功耗方面也做了优化设计，并带有四个独立通道，速率达到了32Gbps，提供了超过1.5TB/s的系统带宽。与GDDR6相比，GDDR7的能效提高了50%以上，带宽高出了60%，而且有着更好的散热效果，并延长了电池续航时间，引入新的休眠功能则将待机功耗降低了70%。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

美光表示，GDDR7芯片将从2024年下半年开始供货。

近日Rambus宣布，推出GDDR7控制器IP，这是面向AI 2.0的内存解决方案，具有行业领先的接口和安全数字IP产品组合，而且已经上市了。Rambus称，新款GDDR7控制器IP将在下一波AI推理浪潮中提供服务器和客户端所需的突破性内存吞吐量，提供了功能齐全、带宽效率高的解决方案。

Rambus GDDR7控制器主要特点包括：

支持所有GDDR7链路功能，包括PAM3和NRZ信令。

支持各种GDDR7设备尺寸和速率。

针对各种流量场景的高效率和低延迟进行了优化。

灵活的AXI接口支持。

支持低功耗（自刷新、休眠自刷新、动态调频等）。

可靠性、可用性和可维护性 （RAS） 功能，比如端到端数据路径奇偶校验、存储寄存器的奇偶校验保护等。

全面的内存测试支持。

提供对第三方PHY的集成支持。

使用最新的GDDR7 VIP和内存供应商内存型号进行验证。

与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

Rambus表示，新款GDDR7控制器IP适用于尖端AI加速器、图形和高性能计算（HPC）应用，支持40 Gbps操作，为GDDR7存储设备提供160 GB/s的吞吐量，比业界最高的吞吐量GDDR6控制器提高了67%，完全满足新一代 GDDR内存的部署。

而根据以上信息，不难算出未来SK海力士GDDR7的显存规格：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "SK海力士GDDR7显存规格", header: ["显存位宽", "传输速度", "最大显存", "最大带宽"], width: '92%', columnWidth: 'AVG', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["512bit", "40Gbps", "48GB", "2560GB/s"], ["384bit", "40Gbps", "36GB", "1920GB/s"], ["256bit", "40Gbps", "24GB", "1280GB/s"], ["192bit", "40Gbps", "18GB", "960.0GB/s"], ["128bit", "40Gbps", "12GB", "640.0GB/s"] ] });除了上述信息外，SK海力士并没有披露更详细的信息，像运行电压、功耗、显存热阻等信息都未知，只是笼统地介绍了GDDR7的一些标准特性。不过这次展示出来的显存传输速度比早些时候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7显存还要快3Gpbs，这很有可能会打击三星在新显卡供应链上的地位。

除了GDDR7显存以外，SK海力士还展出了服务于移动端的LPDDR5T内存和DDR5 MCR DIMM服务器内存，后者单条容量可达64GB，传输速度8800Mbps，运行电压为1.1V。

目前来看NVIDIA下一代RTX 50系显卡极大概率会采用GDDR7显存，而三星则会成为新显存的重要供应商之一，hardwareluxx在GTC会场上拍到了三星所展示的GDDR7显存。GDDR7显存的频率将从28~32Gbps起跳，未来计划会有速度更快的37Gbps版本，但从目前泄露的RTX 50系显卡信息来看，新显卡可能无法充分发挥GDDR7的速度，因为显卡的显存频率被设置在28Gbps。

三星现场所展示的GDDR7显存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比带宽提升了33%，而GDDR7的额定电压是1.1V，这点与GDDR6是一样的，而GDDR6X则需要1.35V，这意味着更高的能耗比，此外三星表示新的显存热阻降低了70%，这能降低运行时所产生的热量，散热会比GDDR6X更容易。

虽然关于下一代GeForce显卡的传闻有许多，但发布时间还是不确定的，NVIDIA可能会在今年某个时间发布RTX 50系列显卡，届时我们才能看到新一代GDDR7显存具体的表现。