据TrendForce报道，黄仁勋表示三星必须开发出一种“新设计”，以便通过英伟达的验证，对方也确实这么去做了，而且动作还很快。自去年以来，黄仁勋被多次问到涉及三星HBM3E的问题，一直保持乐观的态度，称这些芯片处于“合格”阶段，英伟达正迅速完成认证工作。

目前SK海力士是英伟达主要的HBM供应商，已经提供了8层和12层堆叠的HBM3E芯片，最近还公布了16层堆叠的HBM3E，预计2025年上半年向英伟达提供样品，开始验证工作。相比之下，三星的进度远远落后于竞争对手。

另外还有一个值得注意的是GDDR7，随着GeForce RTX 50系列的发布，英伟达是首个采用GDDR7的客户。过去有报道称，三星在台式机使用的独立显卡上独占了GDDR7显存的供应，而发布会上黄仁勋透露搭配的是美光的GDDR7芯片。

当被问及为何选择美光作为GDDR7首发供应商时，黄仁勋表示不太清楚原因，认为这可能没什么大不了的，

据Greened报道，英伟达将首个采用GDDR7的公司，在台式机上，已决定三星独占显存供应，笔记本电脑则还在考虑当中，三星、SK海力士和美光都可能采用，不过三星仍然是被优先考虑的供应商。从这点上看，三星已在下一代RTX 50系列游戏显卡的显存供应上占据了上风。

有消息人士透露，三星、SK海力士和美光都向英伟达提供了样品进行测试，其中只有三星的产品经过了验证并在市场中处于领先地位，现阶段可以提供运行速度最快的GDDR7。传闻RTX 50系列搭配的是28Gbps的GDDR7模块，其中某些型号可能会将速率提升到32Gbps。

三星在上个月宣布，已成功开发出其首款24Gb（3GB）GDDR7模块，采用了第五代10nm级DRAM制程技术，使其在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将存储单元密度提高了50%，同时根据使用环境的不同，速率可进一步提升至最高42.5Gbps。

SK海力士表示表示：“GDDR具备了专用于图形处理的性能和高速度的特性，全球人工智能应用客户对其关注度日益增加。顺应这一趋势，公司已于今年3月份开发完成最新规格的GDDR7，此次正式推出并将于今年第三季度开始量产，将搭载于最新款显卡上。”

SK海力士准备的GDDR7速率达到了32Gbps，相比前一代产品提高了60%以上，根据使用环境速率最高可达到40Gbps。在提供更快速度的同时，GDDR7的能效与前一代产品相比提升了50%以上。

为了解决超高速处理数据所导致的芯片发热问题，SK海力士在GDDR7产品研发过程中采用了新的封装技术。SK海力士将用于封装的放热基板从四层增至六层，并在封装材料中使用具有高导热性的环氧树脂模塑料（EMC）。不但维持了相同的产品尺寸，而且与前一代产品相比，成功地将GDDR7的热阻减少了74%。

SK海力士希望通过GDDR7，进一步加强了其高端存储器产品线，并发展成为客户最为信赖的人工智能存储器解决方案企业。

据Business Korea报道，三星、SK海力士和美光三大存储器制造商之间的竞争正在从高带宽存储器（HBM）扩展到图形DRAM领域。与HBM产品不同，显卡采用的GDDR产品发展重点是拓宽数据传输路径来提高处理速度和效率，不仅能用于人工智能（AI）芯片，还能用于挖掘加密货币。

根据市场调查研究机构的数据，随着AI PC热潮的到来，相关终端设备的增加，预计GDDR市场也会迎来快速增长，到2024年末将占整个DRAM市场的15%，比2022年时的7%翻了一倍有余。市场规模的扩大预示着收益的增加，三星、SK海力士和美光都计划在2024年第四季度到2025年第一季度之间量产GDDR7。

显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForce RTX 50系列GPU将支持GDDR7。有业内人士认为，显存将是继HBM之后的新战场，三星、SK海力士和美光也将围绕英伟达新一代GPU争夺订单。从之前厂商发布的公告及展出的样品来看，三星和美光首批GDDR7芯片为16Gb（2GB）的模块，对应速率为32Gbps，而SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

三星和美光都打算在2024年内实现量产，其中前者的GDDR7产品页面已于今年3月在官网上线，后者最近发布了公告，确认已向合作伙伴提供了样品，计划在2024年下半年开始供货。根据现有信息推算，SK海力士在GDDR7上的进度比起三星和美光慢了大概一个季度。虽然量产时间更晚一些，但是不代表三星和美光完全掌握了主动，现阶段只是在与合作伙伴进行验证方面抢先了一步。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

根据展出的样品来看，SK海力士计划提供16Gb（2GB）和24Gb（3GB）模块，速率最高达到40Gbps，对应的带宽为160GB/s。三星和美光首批GDDR7芯片的速率为32Gbps，为16Gb（2GB）的模块，能提供更快、更大的产品或许是SK海力士的底气所在。

美光副总裁兼计算产品事业部总经理Praveen Vaidyanathan表示：“美光再次走在内存创新的最前沿，开发了可用的最高带宽解决方案，采用先进的工艺和接口技术构建，以实现持续的图形性能领先地位。美光GDDR7的一流功能有助于为要求最苛刻的应用带来更高水平的真实感和性能。”

美光的GDDR7采用了1β（1-beta）工艺打造，功耗方面也做了优化设计，并带有四个独立通道，速率达到了32Gbps，提供了超过1.5TB/s的系统带宽。与GDDR6相比，GDDR7的能效提高了50%以上，带宽高出了60%，而且有着更好的散热效果，并延长了电池续航时间，引入新的休眠功能则将待机功耗降低了70%。

与GDDR6使用的NRZ/PAM2或英伟达和美光合作共同开发的GDDT6X使用的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

美光表示，GDDR7芯片将从2024年下半年开始供货。

近日Rambus宣布，推出GDDR7控制器IP，这是面向AI 2.0的内存解决方案，具有行业领先的接口和安全数字IP产品组合，而且已经上市了。Rambus称，新款GDDR7控制器IP将在下一波AI推理浪潮中提供服务器和客户端所需的突破性内存吞吐量，提供了功能齐全、带宽效率高的解决方案。

Rambus GDDR7控制器主要特点包括：

支持所有GDDR7链路功能，包括PAM3和NRZ信令。

支持各种GDDR7设备尺寸和速率。

针对各种流量场景的高效率和低延迟进行了优化。

灵活的AXI接口支持。

支持低功耗（自刷新、休眠自刷新、动态调频等）。

可靠性、可用性和可维护性 （RAS） 功能，比如端到端数据路径奇偶校验、存储寄存器的奇偶校验保护等。

全面的内存测试支持。

提供对第三方PHY的集成支持。

使用最新的GDDR7 VIP和内存供应商内存型号进行验证。

与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

Rambus表示，新款GDDR7控制器IP适用于尖端AI加速器、图形和高性能计算（HPC）应用，支持40 Gbps操作，为GDDR7存储设备提供160 GB/s的吞吐量，比业界最高的吞吐量GDDR6控制器提高了67%，完全满足新一代 GDDR内存的部署。

而根据以上信息，不难算出未来SK海力士GDDR7的显存规格：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "SK海力士GDDR7显存规格", header: ["显存位宽", "传输速度", "最大显存", "最大带宽"], width: '92%', columnWidth: 'AVG', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["512bit", "40Gbps", "48GB", "2560GB/s"], ["384bit", "40Gbps", "36GB", "1920GB/s"], ["256bit", "40Gbps", "24GB", "1280GB/s"], ["192bit", "40Gbps", "18GB", "960.0GB/s"], ["128bit", "40Gbps", "12GB", "640.0GB/s"] ] });除了上述信息外，SK海力士并没有披露更详细的信息，像运行电压、功耗、显存热阻等信息都未知，只是笼统地介绍了GDDR7的一些标准特性。不过这次展示出来的显存传输速度比早些时候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7显存还要快3Gpbs，这很有可能会打击三星在新显卡供应链上的地位。

除了GDDR7显存以外，SK海力士还展出了服务于移动端的LPDDR5T内存和DDR5 MCR DIMM服务器内存，后者单条容量可达64GB，传输速度8800Mbps，运行电压为1.1V。

目前来看NVIDIA下一代RTX 50系显卡极大概率会采用GDDR7显存，而三星则会成为新显存的重要供应商之一，hardwareluxx在GTC会场上拍到了三星所展示的GDDR7显存。GDDR7显存的频率将从28~32Gbps起跳，未来计划会有速度更快的37Gbps版本，但从目前泄露的RTX 50系显卡信息来看，新显卡可能无法充分发挥GDDR7的速度，因为显卡的显存频率被设置在28Gbps。

三星现场所展示的GDDR7显存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比带宽提升了33%，而GDDR7的额定电压是1.1V，这点与GDDR6是一样的，而GDDR6X则需要1.35V，这意味着更高的能耗比，此外三星表示新的显存热阻降低了70%，这能降低运行时所产生的热量，散热会比GDDR6X更容易。

虽然关于下一代GeForce显卡的传闻有许多，但发布时间还是不确定的，NVIDIA可能会在今年某个时间发布RTX 50系列显卡，届时我们才能看到新一代GDDR7显存具体的表现。

近日有网友表示，首批支持GDDR7的GPU使用16Gb（2GB）模块，这是JEDEC发布的GDDR7标准里最低的容量。

上一代GeForce RTX 30系列最初采用的是8Gb（1GB）模块，到了RTX 3090 Ti才引入16Gb模块，这也是现有GeForce RTX 40系列产品的GDDR6X标准，确保了位宽在384-bit、256-bit、192-bit和128-bit时能分别提供24GB、16GB、12GB和8GB显存。

不过英伟达可能在部分产品上非JEDEC标准的GDDR7，而是选择一家DRAM厂商共同设计一个拥有适合其图形架构内存总线信号和电源管理技术的独家标准。之前在GDDR6X上，英伟达就选择了美光。到了GDDR7时代，或许英伟达会延续与美光之间的合作。

根据美光之前公布的产品路线图，GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。这意味不排除首批支持GDDR7显卡里也会有采用24Gb（3GB）模块的产品，那么可以看到显卡在256-bit、192-bit和128-bit位宽下分别提供24GB、18GB和12GB显存。

如果GPU厂商希望通过缩减位宽降低制造成本，那么可以选择24Gb模块弥补显存容量的不足。

JES239 GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM，采用了PAM3信号编码机制。相比NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输和PAM4每周期提供2位的数据传输，PAM3每两个周期的数据传输提升至3位，能效得到较为显著的提升。

此外，JES239 GDDR7还拥有以下高级功能特性：

具备支持眼图掩蔽和误差计数器的核心独立LFSR(线性反馈移位寄存器)训练模式，可提高训练准确性，同时减少训练时间。

独立通道数量翻倍，从GDDR6的2个增加至4个。

支持16 Gbit至32 Gbit的存储容量以及双通道模式，可使系统容量翻倍。

通过整合最新的数据完整性功能来满足市场对RAS(可靠性，可用性，可服务性)的需求，包括带实时报告的芯片上ECC (ODECC)、数据中毒、错误检查和清理以及带命令阻塞的命令地址奇偶校验(CAPARBLK)。

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7标志着高速存储器设计的重大进步。随着向PAM3信号的转变，存储器行业有了一条扩展GDDR设备性能的新途径，有效推动图形和各种高性能应用的持续发展。”

包括美光、三星、海力士在内的多家存储厂商都对JEDEC发布的JES239 GDDR7标准表示支持，并积极推动GDDR7显存的发展计划。其中，早在去年7月，三星就宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，并承诺GDDR7在能效方面相比GDDR6会有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位宽为384位的情况下，提供了高达1.536 TB/s的带宽，远远超过了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。

SK海力士将会成为继三星之后第二家展示GDDR7显存芯片的公司，它们家产品的速度是35.4Gbps，比三星的慢，不过存储密度是相同的，都是单颗16Gbit。与三星的一样，SK海力士的GDDR7同样采用PAM3信号编码机制，拥有专门的低功耗设计，不知道它是否类似三星的四种低时钟状态。

GDDR7是给下一代游戏显卡所准备的，而AI HPC领域则需要HBM3E，海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GB HBM3E芯片，新的设计理论上能让单颗芯片速度达到1280GB/s，采用四颗HBM3E就能达到192GB容量和5.12TB/s的超高带宽。新的HBM3E采用全新的全功能TSV(硅通孔)设计和6相读书节队列选通方案，以实现硅通孔面积优化。

最后SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存，频率高达10533MHz，内存电压1.05V，如此高的数据速度得益于独家的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，新的高频LPDDR5T内存能为智能手机、平板电脑和轻薄笔记本提供更好的性能。

与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。

为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。三星在去年末表示，在过去的一年里不断改善GDDR7的动态功耗，且通过额外的时钟控制，已经将待机功耗降低至GDDR6的一半水平。

英伟达的GeForce游戏显卡使用的GDDR主要由美光提供，而三星希望先利用HBM切入，然后在下一代GDDR产品上成为供应商。三星在上个月宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，承诺在能效方面相比GDDR6会有20%的提升，为此还引入了几项新的技术。据了解，三星已经向英伟达提供了样品，用于验证下一代系统。虽然SK海力士没有明确其GDDR7的时间表，不过有消息称，会在年内完成开发工作。

相比之下，美光的GDDR7要慢一些。今年6月在2023财年第三财季的财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra已确认，美光会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，时间大概是明年的上半年。从时间上来看，美光要落后于三星和SK海力士，因此英伟达可能会优先考虑两家韩国存储器巨头的GDDR7产品。