近日闪迪宣布，SANDISK Optimus的中文名定为“闪迪奥丁马仕”，包含三大系列，旨在助力游戏玩家、内容创作者、专业人士等各领域用户轻松理解性能分级，并甄选适配其需求的存储解决方案。

SANDISK Optimus - 作为性能的基准而设计，专为追求更快、更流畅计算体验的内容创作者打造，在速度和性价比之间取得平衡，替换以往WD_Blue SN5xxx系列。

SANDISK Optimus GX - 专为追求极快加载时间、更大容量和高效能的玩家而设计，带来畅快的游戏体验，替换以往WD_Black SN7xxx系列。

SANDISK Optimus GX PRO - 定位于旗舰产品，展现了闪迪SSD的性能巅峰，专为追求最新技术突破和无妥协性能的开发者、专业人士和游戏玩家而设计，用于构建AI PC、工作站和高端游戏PC，结合了前沿的存储技术，并具备更大的容量，替换以往WD_Black SN8xxx系列。

闪迪也公布了新品销售计划，SANDISK Optimus“闪迪奥丁马仕”系列产品预计2026年6月在国内上市。

SK海力士表示，将与闪迪携手，共同推动HBF成为行业通用标准，为整个AI生态系统协同发展奠定基础，目前已依托OCP1框架，设立专项工作组（Workstream），正式启动HBF的标准化制定工作。双方将充分发挥各自在HBM与NAND闪存领域长期积累的设计能力、封装技术及大规模量产经验，率先推动HBF的标准化与产品化进程。

HBF作为介于HBM和固态硬盘之间的新型存储阶层，旨在弥合HBM高性能与固态硬盘大容量特性之间的差距，并满足AI推理场景对容量扩展性与能效的双重需求。在传统架构中，HBM负责提供最高带宽，而HBF则负责与其深度协同。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO），预计以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案将于2030年前后迎来全面市场扩张。

近期AI产业正加速由大型语言模型（LLM）的训练阶段，迈向以实际服务应用为导向的推理阶段。在AI推理市场，竞争优势不仅取决于单芯片性能，更取决于CPU、GPU、内存与存储之间的系统级协同优化能力。在SK海力士看来，能同时提供HBM与HBF综合性存储器解决方案的存储器厂商，在未来半导体行业中的战略地位将变得愈发重要。

闪迪表示，新产品的速度几乎是前代的两倍，耐用性也有所提升，目前已开始上市，完整产品线将于今年晚些时候陆续推出。

Sandisk Extreme Portable SSD - 专为创意工作者、摄影和视频爱好者、以及处理大量文件的专业人士设计，以支持活跃的工作流程，支持IP65防水防尘，支持3米防坠保护。其读取速度最高可达2000MB/s，能够支持在60秒内传输多达1000张高分辨率照片，使其非常适合管理创意项目并高效地在不同设备间移动内容。闪迪将提供1TB - 4TB容量，预计还会有500GB可选。

Sandisk Extreme PRO Portable SSD - 专为专业摄影师、电影制作人和设计师设计，旨在支持对创意和多流工作流程的高要求任务，包括实时编辑和处理高分辨率视频，支持IP65防水防尘，支持3米防坠保护。其读取速度最高可达4000MB/s，支持1分钟内传输10分钟的12K视频。闪迪将提供2TB - 4TB容量，预计还会有8TB可选。

Sandisk Portable SSD - 专为学生、办公室工作人员和家庭档案管理员设计，提供了可靠的便携式存储设备，用于日常的数字内容存储，支持2米防坠保护。其读取速度最高可达1000MB/s，有着紧凑的外形，方便随身携带。闪迪将提供1TB - 2TB容量，预计还会有500GB可选。

Sandisk Extreme Portable SSD和Sandisk Extreme PRO Portable SSD可享五年有限质保，Sandisk Portable SSD则是三年有限质保。

铠侠和闪迪表示，这一协议的扩展凸显了双方之间的深度合作，将继续利用人工智能（AI）时代的智能制造和规模经济，确保先进3D NAND闪存的生产稳定，这对于满足生成式AI应用推动的日益增长的需求至关重要。此外，位于日本岩手县北上市的工厂合资协议也将保持一致，有效期同样延后至2034年12月31日。

作为续签协议的一部分，闪迪将通过现金方式向铠侠支付11.65亿美元，用于制造服务和持续供应，在2026年至2029年间分期支付。

铠侠和闪迪将继续致力于通过持续共同开发3D NAND闪存技术，以及顺应市场趋势的联合投资，实现协同效应的最大化。双方将携手巩固竞争优势，强化在全球存储器行业的领导地位。这次合作新篇章彰显了双方运营规模及持续协作带来的互利共赢，期待未来十年继续携手前行。

据TrendForce报道，近日在一场论坛研讨会上，有着“HBM之父”之称的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩表示，三星和闪迪计划在2027年末至2028年初将HBF集成到英伟达、AMD和谷歌的产品中。虽然HBM花费了十多年的时间开发，但是HBF比起来要短得多，因为后者利用了前者过去积累的流程和设计专业知识，使得HBF有望更快实现商业化。

金正浩预计，HBF将在HBM6推出时获得更广泛的采用，暗示HBF在2038年前市场规模可能会超过HBM。另外HBM6不会由单一DRAM堆栈组成，而是多个堆栈相互连接。随着DRAM堆叠面临容量限制，金正浩相信采用NAND闪存堆栈的 HBF 将会出现以填补这一空白。

目前GPU在推理过程中首先从HBM获取变量数据，处理后再生成输出。金正浩认为未来将由HBF承担这一角色，提供更大的容量来支持该任务。虽然HBM更快，但是HBF容量更大，大约是其10倍。虽然HBF支持无限次读取周期，但是写入周期受限于约10万次，因此需要OpenAI或谷歌等公司的软件针对性进行优化工作。

此外，目前将数据传输至GPU的过程需要经过存储网络、数据处理器和GPU管道等环节，存在较长的传输路径。这种结构预计随着HBM7出现而改变，已经有专业人员称其为“内存工厂”。

闪迪表示，新的品牌标识突显了对性能领先地位、卓越工程、以及闪存领域信任传统的重视，新设计的层级结构也能让消费者更容易理解性能等级。SANDISK Optimus将划分为三个等级，具体如下：

SANDISK Optimus - 作为性能的基准而设计，专为追求更快、更流畅计算体验的内容创作者打造，在速度和性价比之间取得平衡，替换以往WD_Blue SN5xxx系列。

SANDISK Optimus GX - 专为追求极快加载时间、更大容量和高效能的玩家而设计，带来畅快的游戏体验，替换以往WD_Black SN7xxx系列。

SANDISK Optimus GX PRO - 定位于旗舰产品，展现了闪迪SSD的性能巅峰，专为追求最新技术突破和无妥协性能的开发者、专业人士和游戏玩家而设计，用于构建AI PC、工作站和高端游戏PC，结合了前沿的存储技术，并具备更大的容量，替换以往WD_Black SN8xxx系列。

根据闪迪的安排，WD_Black和WD_Blue向“SANDISK Optimus”过渡从公告发布后开始，前者沿用黑色外观，后者改成灰色外观，而采用新品牌的产品预计在2026年上半年送达全球部分零售商处。

据TrendForce报道，美国和日本正在考虑一项公私合营计划，在美国建造一间新的NAND闪存工厂，铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）被视为潜在的牵头投资者。不过这项计划仍面临不少障碍，比如不同投资方在资本支出方面的分歧以及中国相关的监管风险不断升级等。

受制于财务状况，铠侠可能会对新投资保持谨慎。在本月发布的2025财年第二财季财报中，铠侠的净利润为407亿日元，相比去年同期大幅下降了62%，主要原因是产品组合不合理造成的，季节性智能手机需求提高了利润率较低的智能设备在收入中的占比，达到了35%。

铠侠和闪迪联合建造新的NAND闪存工厂不是没有根据的，毕竟双方长期以来一直有合作，在日本运营着四日市工厂和北上工厂。另外由于没有DRAM业务，长江存储、铠侠和闪迪都选择采取更激进的措施来巩固自身的市场地位，其中铠侠和闪迪的投资同比增长41%，达到45亿美元，投资BiCS8 FLASH 3D闪存技术的扩展和开发。

目前全球NAND闪存生产主要集中在东亚地区，虽然美国过去几年大幅增加半导体产能的投资，但是主要集中在逻辑芯片和DRAM芯片，大规模的投资计划里并没有涉及NAND闪存业务。

HBM很好，但是也很贵。HBF的设计思路类似于HBM，两者有着相似之处，都是利用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个芯片。同时两者共享了电气接口，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，相当于高带宽NAND闪存。不过由于协议略有变化，所以不完全兼容。HBF实现了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，从而提供HBF+HBM的自定义组合产品。

闪迪和SK海力士的目标是2026年下半年发布HBF样品，预计首批搭载HBF产品的AI推理系统会在2027年初亮相。另外一家存储器巨头三星也在行动，已经开始对自己的HBF产品进行早期概念设计工作，不过暂时还没有提供时间表。

有业内专业人士表示，HBF将与HBM 一起成为主要的下一代存储技术，推动半导体制造商的增长。未来AI架构将采用多层级存储体系，其中GPU将以互补配置整合HBM与HBF，标志着AI计算和内存融合新时代的到来。

据TomsHardware报道，闪迪已经将11月的NAND闪存合同价格提高了50%，此举凸显了在人工智能（AI）数据中心的持续需求以及晶圆供应紧张的推动下，存储市场正在迅速收紧。有消息人士表示，NAND闪存的定价给存储供应链带来了冲击波，促使大量SSD厂商暂停出货并重新评估报价。现在存储行业正在经历去年芯片领域相同的故事：AI工作负载正在吸走产能。

现在半导体制造商正在将更多产品线用于GPU和相关存储产品，得消费类SSD、嵌入式模块和主流DDR4等领域陷入了困境。结构性短缺提高了存储供应商的利润，同时让品牌厂商和终端用户手忙脚乱。有业内人士指出，厂商需要在价格上涨与有限产能之间取得平衡，预计价格上涨势头在未来一段时间内将持续下去。

如果用户着急升级设备或者扩大存储容量，或许选择尽早入手会比较好，目前供应短缺的情况可能会在2026年持续。

WD Blue SN5100 SSD采用了新的外包装和产品设计，引入了“SanDisk”的Logo，还加上了“Powered By SanDisk”的字样，呈现了更多的闪迪元素。其属于M.2 2280外形规格，单面设计，为PCIe 4.0 x4接口，搭载了闪迪自研主控芯片，搭配铠侠的BiCS8 QLC NAND闪存，采用了DRAM-less方案。新产品支持nCache 4.0技术，可在存储大文件或应用程序之间进行多任务处理时，实现快速突发写入。

虽然仍然属于PCIe 4.0 NVMe SSD，但是集成了新的组件，闪迪称WD Blue SN5100 SSD相比上一代产品有着30%的性能提升，最高连续读取速度可达7100MB/s，最高连续写入速度6700MB/s，最大4K随机读取为1000K IOPS，最大4K随机写入为1300K IOPS，耐用等级最高至1200TBW。

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "闪迪 WD Blue SN5100 NVMe SSD 规格参数", header:["容量","500GB","1TB","2TB","4TB"], width: '91%', columnWidth: 'AVG', //表格宽度，"AVG"平均，"AUTO"自动（默认），指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["闪存","BiCS8 QLC NAND 闪存"], ["接口","PCIe 4.0 x4",], ["外形","M.2 2280",], ["最高连续读取","6600 MB/s","7100 MB/s","7100 MB/s","6900 MB/s"], ["最高连续写入","5600 MB/s","6700 MB/s","6700 MB/s","6700 MB/s"], ["4K随机读取","660K IOPS","1000K IOPS","1000K IOPS","900K IOPS"], ["4K随机写入","1100K IOPS","1300K IOPS","1300K IOPS","1100K IOPS"], ["TBW","300TB","600TB","900TB","1200TB"], ["质保","五年",], ] });

现在WD_Black SN8100 NVMe SSD的8TB版终于与大家见面了，除了裸条外，同样提供了带有散热器版本，在海外市场已经上市了，定价分别为999.99美元（约合人民币7122.33元）和1049.99美元（约合人民币7478.45元），提供五年有限保修。搭配的散热器带有可定制RGB灯效，运用了阳极氧化铝工艺，另外表面还加入了“Powered By SanDisk”的字样。

WD_Black SN8100 NVMe SSD的功耗较低，仅有7W。搭配的是218层BiCS8 TLC 3D NAND闪存，采用了先进的缩放和晶圆键合技术，以极具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性。新产品支持nCache 4.0技术，可在存储大文件或应用程序之间进行多任务处理时，实现快速突发写入。

WD_Black SN8100 NVMe SSD的2TB和4TB版最高可提供14900 MB/s的顺序读取速度，以及14000 MB/s的顺序写入速度，另外4K随机读取为2300K IOPS，4K随机写入为2400K IOPS；1TB版会慢一些，顺序写入速度将降至11000 MB/s，4K随机读取也降至1600K IOPS；8TB版的顺序写入速度也有所降低，为13200 MB/s，4K随机读取同样略有下降，为2200K IOPS。

官方称，这座新建NAND闪存工厂有能力生产基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术构建的218层NAND闪存，采用了双方合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，以及未来先进的3D NAND闪存节点，以满足人工智能（AI）驱动下日益增长的存储需求。

Fab 2采用了抗震建筑结构，对内部进行了优化，节省出更多的空间，以扩大洁净室中制造设备的可用空间。里面安装了最先进的节能制造设备，并通过人工智能驱动来提高生产效率。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的补贴。

公告称，铠侠和闪迪已经成功地建立了20多年的合资伙伴关系，未来将继续共同开发3D NAND闪存，并根据市场趋势进行资本投资，最大限度地提高协同效应和市场竞争力。此外，还将致力于抓住闪存市场机遇，让合作的客户能够充分利用人工智能带来的增长机会。

作为Designed for Xbox计划的一部分，两款新产品都针对Xbox掌机进行了优化设计、测试和认证，主要功能包括：

WD_BLACK SN7100X NVMe SSD

可选2TB和4TB两种容量，让游戏玩家拥有大量存储空间来存放新游戏和喜爱的游戏。

采用DRAM-less设计和PCIe 4.0×4接口，搭载TLC 3D CBA NAND闪存。

最高顺序读写速度分别达到7250MB/s和6900MB/s，享受五年质保。

提供1个月试用版Xbox Game Pass Ultimate会员服务。

SANDISK microSD存储卡

可选512GB、1TB和2TB三种容量，让玩家直接在存储卡上玩游戏。

采用UHS-I总线，最高顺序读写速度分别达到200MB/s和140MB/s。

防摔、防震和防X射线，可满足掌机游戏的需求。

享受有限终身质保，为玩家提供长期的支持和保护。

WD_BLACK SN7100X NVMe SSD将在未来几个月内上市销售，2TB和4TB的定价分别为159.99美元（约合人民币1139.9元）和279.99美元（约合人民币1994.9元）。SANDISK microSD存储卡开始接受预订，512GB、1TB和2TB的定价分别为69.99美元（约合人民币498.7元）、149.99美元（约合人民币1068.7元）和299.99美元（约合人民币2137.4元）。

据TrendForce报道，最近闪迪首席执行官David Goeckeler出席了高盛Communacopia+科技峰会，表示闪迪将数据中心确定了主要的增长动力，而且势头会继续加速，同时还强调了闪迪平衡供需关系和控制产能扩张的战略方法，认为进入2026年后市场状况不会很好。

在闪迪看来，NAND闪存供应短缺将贯穿全年，同时价格还有很大的上涨空间。闪迪首席财务官Luis F. Visoso表示，闪迪预计将有机会在客户端、数据中心和云计算领域提高定价，并指出闪迪会在每个季度与每位客户协商价格和采购数量。

目前闪迪正在加速推进其NAND闪存路线图，计划更换主控和NAND闪存芯片，预计到今年末，BiCS8 FLASH 3D闪存在旗下产品组合里的占比将从原来的个位数增长到40%到50%。目标是未来几年内，闪迪的产品组合中全面部署BiCS8 FLASH 3D闪存。此外，闪迪的高带宽闪存（HBF）技术将在2026年末准备就绪，预计相关产品会在2027年初上市。