铠侠表示，NAND闪存市场预计在中长期内持续增长，主要受代理型AI、物理AI和设备端AI的推动。通过兴建Fab3，铠侠旨在通过扩大生产和确保尖端NAND闪存产品的稳定供应，来满足市场不断增长的需求，希望能够抓住这一市场机遇。Fab 3工厂的具体建设进度和投资将根据市场趋势确定，另外投资计划还取决于当地政府的支持。

铠侠和闪迪（包括之前的西部数据）在半导体行业拥有最长、最成功的合资合作伙伴关系，已经持续超过25年。双方的合作推动了数十年来NAND闪存技术的创新和发展，过去25年在日本累计投资超过了500亿美元。未来顺应市场趋势，双方将对三重县四日市市与岩手县北上市的工厂提供持续的基础设施建设支持，并继续提供先进的技术，以满足全球范围内由AI和数据驱动的增长需求。

今年1月，铠侠和闪迪已确定将位于日本三重县四日市市的工厂合资协议延长五年，至2034年12月31日。

第九代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，并实现了更快速部署的先进存储解决方案，应用于云端及数据密集型应用。与之前的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC闪存相比，新技术通过六平面架构和性能提升，提供了更高的读写带宽，同时功耗表现也会更好。

铠侠表示，引入基于第九代BiCS FLASH的新一代高性能QLC 3D闪存技术是其产品路线图上的重要里程碑，凸显了与闪迪合作的持续实力。通过最大化CBA技术的灵活性，正在创造NAND闪存创新的新机遇，帮助客户应对AI时代日益增长的存储需求。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

新一代QLC 3D闪存技术采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将CMOS辑电路与存储阵列分别做在独立的晶圆上，然后通过高精度晶圆对位工艺进行键合，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。铠侠和闪迪还采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，让其成为了业界首个NAND I/O接口速率达到4.8Gbps的QLC 3D闪存技术。

另外还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，提高了I/O数据输出传输能效。随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

官方已经确认，这次的新技术也是基于第十代BiCS FLASH闪存技术。上个月采用相同技术的TLC闪存的样品已开始出货，总层数也是332层，不过位密度为29 Gb/mm²，显然QLC闪存在存储密度方面有着更大的优势。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

KIOXIA GP1系列可提供高达10M IOPS的随机读取性能，可扩展GPU可用显存容量，为AI工作负载实现高速数据访问。其符合PCIe 6.0和NVMe 2.2规范，可选EDSFF E3.S和E1.S两种外形规格（部分形态兼容冷板液冷，所有形态均支持风冷），耐久度可达50DWPD。得益于搭载的第二代XL-FLASH闪存，新产品相比于传统TLC NAND的SSD有着更高的IOPS、更细粒度的512字节数据访问、以及更低的单位IO功耗。

新产品源自铠侠与英伟达的合作，也就是NVIDIA Storage-Next计划，针对GPU驱动的AI工作负载开发经过优化的存储产品，利用NAND闪存有效增加HBM容量。双方是为了解决从计算密集型工作负载转向数据密集型工作负载的需求，扩大目前受限于HBM容量的GPU可用显存占用，以此在计算资源上放置更多数据来访问更大的数据集，并提高GPU的利用率。

铠侠的架构设计目标是实现可扩展性，从当前10M IOPS随机读取性能扩展至未来最高100M IOPS的目标。

新产品采用低延迟、高性能的XL-FLASH闪存技术，使原本常用于存储场景的闪存也可用作内存扩展方案。该系列专为满足日益增长的大内存AI应用需求而设计研发，计划于2026年8月向行业生态合作伙伴交付评估样品。

近年来，随着AI负载的不断增长，数据中心对内存的需求显著增高，带来了容量不足、成本攀升等严峻挑战。为满足这一需求，铠侠面向超大规模数据中心推出了KIOXIA XL1系列内存扩展模块。其结合了低延迟、高性能 XL-FLASH闪存与CXL接口，将访问频率较低的数据存放其中，从而提高DRAM的利用效率，填补了传统DRAM与SSD之间在性能和成本上的差距，可满足高要求AI应用的应用需求。

其实早在2023年，铠侠就曾展出过基于CXL+XL-Flash闪存打造的产品，用于以性能和可靠性为中心的应用。铠侠表示，当CXL与第二代XL-FLASH结合后，不但实现了更高的容量，同时更具成本效益。

新产品基于最新的JEDEC UFS 5.0标准，在物理层采用MIPI M-PHY v6.0，协议层采用UniPro v3.0，MIPI M-PHY v6.0引入全新的HS-Gear6模式，理论上支持每通道高达 46.6 Gb/s 的接口速度，结合双通道配置，可实现约10.8 GB/s的有效读写性能。

铠侠采用了自主研发的UFS 5.0控制器，以及第八代BiCS FLASH 3D闪存。相较于与上一代产品，无论性能、能效还是封装方面均实现了显著提升，为端侧AI应用实现更快的应用加载、更高的响应速度，带来前所未有的用户体验。具体包括：

顺序读取性能高达10 GB/s

顺序写入性能高达9.0 GB/s

相较于上一代产品，能效进一步优化

热管理能力升级

采用7.5 x 13 mm小型BGA封装，封装尺寸小于上一代产品

提供1TB和512GB两种容量

除了搭载端侧AI的高端智能手机外，还能用于支持AI功能的平板电脑、游戏设备、AR/VR、机器人、智能安防摄像机，以及其他各类运行数据密集型AI任务、需要快速本地存储的工业边缘应用。

CM10系列是铠侠首款企业级PCIe 6.0 SSD，支持直接冷板液冷，可为下一代AI基础设施实现更高效的散热方案。相较于上一代产品，CM10系列的顺序读取性能提升约92%，随机读取性能提升约85%，可助力加速数据密集型AI推理和企业级应用，同时提升整体系统效率。

随着AI模型不断扩大至万亿级别参数规模，上下文窗口扩展至数百万Token，市场对高性能上下文缓存存储的需求也在迅速增长。CM10系列SSD还支持NVIDIA CMX架构，通过超高速闪存存储将内存层级扩展到GPU显存之外，使得企业级SSD成为AI基础设施中日益关键的组成部分，新产品具备大规模AI部署所需的性能、容量和耐久度。

铠侠CM10系列SSD的亮点包括：

符合PCIe 6.0、NVMe 2.1 以及Open Compute Project (OCP) 数据中心级NVMe SSD规范v2.7(2)，支持NVMe Flexible Data Placement (FDP)

提供E3.S、E1.S和2.5英寸三种外形尺寸，其中E3.S和E1.S 9.5mm支持冷板液冷（所有外形尺寸均支持传统风冷环境）

容量范围从1.60TB到61.44TB（随外形尺寸而有所差异），提供读取密集型（1DWPD）与混合型（3DWPD）两种耐久度选项

采用领先的第十代KIOXIA BiCS FLASH（332层）闪存，可提升SSD的性能和能效

安全选项包括SIE、SED、SED FIPS 140-3（规划中）、CNSA 2.0 推荐的后量子密码算法，支持SPDM 1.4认证

铠侠表示，CM10系列SSD已向部分客户提供样品。

第九代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存以铠侠创新的CBA（CMOS直接键合到存储阵列）技术以及OPS（同节距选择栅漏极）技术为基础，基于第八代BiCS FLASH技术的230层堆叠工艺与先进的CMOS技术研发而成，实现了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，性能比肩第十代产品。

铠侠强调，将继续推行双线并行发展战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。在该战略下，铠侠同步推进两条不同的产品线：第九代在相对较低的投资成本下提供高性能的同时实现卓越性能；第十代则通过先进的堆叠工艺实现超大容量与卓越性能。

铠侠表示，将秉承“记忆由芯，世界尤新”的使命，致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步的创新，继续满足客户多样化需求，为新一代AI基础设施提供前沿存储解决方案。

第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）和OPS（On-Pitch Select Gate Drain）技术，自第八代BiCS FLASH以来这两项技术就一直沿用。其中CBA是将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的NAND I/O接口速度。OPS则是通过创新的横向收缩技术，进一步提升位密度。

第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存的层数从第八代BiCS FLASH的218层增至332层，总层数增加了38%，经过优化平面布局后，位密度提升了59%，超过29Gb/mm2，实现了业界领先的1TB TLC闪存密度；NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps，提升了33%；写入和读取效率分别提升了18%和30%；I/O能效提升，数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%；采用Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，引入了PI-LTT技术，以实现高速、低功耗运行。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

EXCERIA G3采用提供PCIe 5.0×4接口，支持NVME 2.0c协议，属于M.2 2280外形规格。其搭载了BiCS8 FLASH QLC NAND闪存颗粒，存储密度提高了50%，同时支持开创性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，NAND I/O接口速度达到了3.6Gb/s，比上一代产品提高了60%，再加上写入性能和读取延迟有着20%的提升幅度，将加速用户的整体性能和可用性。

该型号提供了1TB、2TB和4TB三种容量，最高连续读取速度为为10000MB/s，最高连续写入速度为9600MB/s，满足用户对大规模文件与素材库的高速存储需求；最大4K随机读取为为1,600,000 IOPS，最大4K随机写入为1,450,000 IOPS；三种容量的TBW分别为600TB、1200TB和2400TB。铠侠还加入了创新标签设计，辅助高效散热，有效保障硬盘在持续高强度读写中依然保持稳定性能，避免因过热而降速。

用户可以使用铠侠的SSD Utility管理软件，轻松监控硬盘健康状况、查看剩余寿命，并进行固件更新等维护操作。

XG10系列的目标是替换掉XG8系列PCIe 4.0 SSD，得益于更新至PCIe 5.0标准的接口，新产品的顺序和随机性能得到了提升。其中最大顺序读取速度可达到原来的两倍，达到了14000 MB/s，最大顺序写入速度可达到原来的两倍多，达到了12000 MB/s，另外4K随机读取性能提升约122%，至2000K IOPS，4K随机写入性能提升约158%，至1600K IOPS，从而支持更快的数据访问，并提升了系统的响应速度。

主要功能和特性包括：

支持PCIe 5.0 x4通道，兼容NVMe 2.0d标准；

基于TCG Opal 2.02版本的自加密驱动器（SED）支持；

推荐用于高性能PC系统，包括AI电脑、工作站和游戏平台；

M.2 2280外形规格；

提供了512GB、1TB、2TB和4TB四种容量。

铠侠表示，PCIe 5.0标准代表了客户端存储领域的重大进步，尤其是在性能领域，通过XG10系列，铠侠带来了明显的性能增长，提升了内容创作者、游戏玩家、以及应对日益严苛工作负载专业人士的整体客户端存储体验。

目前XG10系列正在向部门PC OEM客户提供试用，预计2026年第二季度起会有搭载该产品的PC出货。

BG8系列采用了PCIe 5.0 x4接口，满足NVMe 2.0d标准，支持HMB和SLC Cache技术，提供了512GB、1TB和2TB三种容量，另外还支持TCG Opal 2.02版本的自加密驱动器（SED），以确保用户的数据安全。其最大顺序读取速度为10300 MB/s，最大顺序写入速度为10000 MB/s，4K随机读取为1400K IOPS，4K随机写入为1300K IOPS。相比上一代产品，BG8系列在最大顺序读取速度、最大顺序写入速度、4K随机读取和4K随机写入性能上分别提高了47%/67%、44%和30%，使得新产品能够在多种客户端工作负载下实现更快的响应速度。

BG8系列很好地平衡了性能、功耗和成本，而且注重灵活性，提供了M.2 2280/2242/2230三种外形规格可选，以支持更广泛的安装条件，使得OEM厂商有更大的选择空间，覆盖更多的终端设备。

铠侠已经向部分PC原厂客户提供了BG8系列PCIe 5.0 SSD样品，正在进行使用，预计2026年第二季度起会有搭载该产品的PC出货。

EG7系列采用了PCIe 4.0 x4接口，满足NVMe 2.0d标准，支持HMB和SLC Cache技术，提供了512GB、1TB和2TB三种容量，另外还支持TCG Opal 2.02版本的自加密驱动器（SED），以确保用户的数据安全。其最大顺序读取速度为7000 MB/s，最大顺序写入速度为6200 MB/s，4K随机读取/写入为1000K IOPS，将性能和能效优势带入PC原厂的常见计算工作负载。

作为一款以性价比为导向的PC客户端SSD产品，基于完全成熟的技术，最大限度地提升能耗表现，并保持良好的性能。EG7系列可选M.2 2280/2242/2230三种外形规格，实现了在多种系统配置和空间限制下的更广泛兼容性，让PC OEM厂商在系统设计和设备管理上有了更大的灵活性，能覆盖更多的终端设备。

铠侠已经向部分PC原厂客户提供了EG7系列PCIe 4.0 SSD样品，正在进行使用，预计2026年第二季度起会有搭载该产品的PC出货。

据TrendForce报道，仅仅过去十天左右，铠侠又再发布新的停产通知，告知将于2028年逐步淘汰部分浮栅式（Floating Gate）和第三代BiCS Flash产品。这意味着到2029年，铠侠将退出2D NAND闪存市场。

具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和第三代BiCS Flash，包括晶圆BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD相关产品。客户可以在2026年9月30日之前最后一次提交需求预测，最终出货时间安排在2028年12月31日。

新公告也是前一次公告的延续，未来铠侠会将资金和技术转向更为先进的工艺开发上，转向更高附加值的产品。

三星曾是最大的MLC NAND闪存供应商，去年3月就宣布将进入停产阶段，最终出货时间为2026年6月。随着各大NAND闪存供应商减少或停止MLC NAND闪存生产，预计2026年全球MLC NAND闪存产能同比下降41.7%，将导致供需缺口变得更大。

铠侠在通知里表示，选择停产的主要原因是受限于产能与基材供应，已经无法继续生产8Gb至64Gb的TSOP封装产品。客户可以在2026年5月30日之前最后一次提交需求预测，最后下单的截止时间为2026年9月15日，最终出货时间安排在2027年3月15日。

有分析指出，与主流的TLC/QLC NAND闪存相比，MLC NAND闪存单位价值低，考虑到当下人工智能（AI）热潮推动着高性能NAND闪存市场需求增长，像铠侠这类大型存储器生产商倾向于将更多资源投入到高价值产品上，MLC NAND闪存无论在规模效率和资本优化方面都与其目前的战略不太契合。竞争对手三星早在去年5月就退出了消费端MLC NAND闪存业务，进一步精简旗下的产品组合。

最近存储器制造商的长期协议成为了市场关系的焦点，美光已确定签署了首个五年战略客户，同时还积极地与多个客户洽谈，三星则表示正在与主要客户合作，将交易模式转变为固定期限的供应合同，即三年至五年期限的协议。铠侠现阶段的核心策略是按年定价，每季度进行定价审查和调整，不过已经有客户提出将协议涵盖到2027年和2028年，并开始展开谈判。