Compute EXpress Link 3.2规范的亮点包括：

优化CXL内存设备监控和管理 - 用于内存分层的新CXL热页监控单元（CHMU）；常见事件记录；与PCIe管理消息直通（MMPT）的兼容性；CXL在线固件（FW）激活功能

用于操作系统和应用程序的CXL内存设备的增强功能 - 软件包修复（PPR）增强功能；针对CXL存储设备的附加性能监控事件

使用可信安全协议（TSP）扩展安全性 - 适用于仅主机相干主机管理设备的新元位存储功能

存储器（HDM-H）地址区域 - 通过扩大IDE保护范围提高安全性；提高具有反向无效（HDM-DB）功能的仅主机相干设备管理内存的安全性；增强互操作性的合规性测试

与所有以前的CXL规范完全向后兼容

CXL联盟主席Larrie Carr表示：“我们很高兴地宣布发布了CXL 3.2规范，通过增强CXL存储设备的安全性、合规性和功能来推进CXL生态系统。CXL联盟将继续开发开放、连贯的互连，并为异构内存和计算解决方案实现可互操作的生态系统。”

JESD319是内存控制器标准，定义了CXL内存控制器ASIC的总体规格、接口参数、信令协议和功能。关键部分包括了引脚参考信息和功能描述，其中涉及CXL接口、内存控制器、内存RAS、元数据、时钟、复位、性能和控制器配置要求。JESD319专注于基于CXL 3.1规范的直连内存扩展应用程序，提供标准化功能的基线，同时允许额外的创新和定制。

JESD325是内存设备管理标准，为CXL内存中的系统和设备管理功能提供了参考规范。其面向基于PCIe 5.0的现场可更换CXL内存设备，符合CXL 2.0规范或更高版本，主要内容包括：

管理接口要求 - 物理层、传输层和协议层

安全要求 - 签名和散列算法、安全启动、安全FW更新和SPDM

管理传感器和控制的要求

热管理要求

FRU重要产品数据内容要求

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示，随着JESD319和JESD325的发布，JEDEC固态存储协会已经完成了支持CXL技术的强大标准体系，为业界开发各种CXL存储产品提供了灵活性。

SK海力士表示：“CXL作为继HBM之后的下一代面向AI的存储器产品而备受瞩目，公司自主研发的CXL优化软件HMSDK，其性能已获得国际认可，并成功应用于全球最大的开源操作系统Linux中。这标志着不仅是如HBM等超高性能硬件实力方面，公司的软件竞争力也获得广泛认可，具有重大意义。”

HMSDK能够根据传统存储器与扩展CXL存储器之间的带宽差异，灵活进行差异化存储分配。在无需对现有应用程序进行任何调整的前提下，实现了存储器组合的带宽扩展30%以上。该软件还具备“基于访问频率的优化”功能，能够将高频使用数据迁移至更快的存储器中，从而使性能较传统系统提升了12%以上。

今年下半年，首批支持CXL 2.0标准的服务器处理器就会出现，标志着CXL内存模块将正式进入商业化阶段。目前SK海力士正对96/128GB的CXL 2.0内存模块进行客户验证，并计划在年底实现量产。

上个月SK海力士系统架构副总裁Park Kyung出席了在韩国首尔举行的学术活动，其中谈及了人工智能（AI）与存储器的进展和相互关系，认为现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，新型的CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

据Business Korea报道，Park Kyung强调人工智能系统的性能严重依赖于内存，现有的HBM产品不能完全满足GPU的需求，而传统的DRAM主要是为了协助CPU完成任务，但现在的大型语言模型（LLM）需要处理尽可能多的数据，要求存储芯片尽可能地靠近，这意味着现有的系统架构需要改变，从半导体到应用程序都必须同时改变，才能解决问题。

Park Kyung进一步阐述了SK海力士为解决这些问题所做的努力，积极地开发96GB的DDR5和支持CXL 2.0的128GB内存模块，并计划今年下半年实现商用化。Park Kyung认为，CXL内存模块能缓解人工智能负载对内存容量和带宽需求上的压力，从而提高整体系统性能。

Compute EXpress Link（CXL）作为一种开放性的互联协议，最新规范已来到CXL 3.0。其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上，能让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并提供更高的带宽及更好的内存一致性。

SK海力士和三星都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，计划加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

据相关媒体报道，目前三星在HBM市场上落后于SK海力士，不过希望押注了下一代CXL内存模块，预计今年下半年开始出货。三星认为CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，将成为人工智能（AI）领域的后起之秀，打算加大投入，加速CXL技术开发抢占先机。

三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在上个月的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

据ZDNet Korea报道，三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在近期的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

CXL是一种开放性的互联协议，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。三星预计引入CXL技术后，可以让每台服务器的内存容量增加8到10倍，这标志着计算能力的重大飞跃。

Choi Jang Seok表示，三星在过去多年里，一直致力于开发和大规模生产高质量CXL内存模块，目前正与合作伙伴一起测试产品，以进行性能验证。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

JESD317A为CXL内存模块提供了详细的指引，包括机械、电气、引脚、供电和散热，以及新兴CXL内存模块（CMM）的环境指南。这些模块符合SNIA（存储网络行业协会）的EDSFF外形，包括E1.S和E3.S，为数据中心和类似的服务器提供友好的热插拔组件。JESD405-1B定义了这些CMM标签的内容，帮助用户选择合适的CXL内存解决方案。标签包括有关内存介质类型的信息，比如DDR5、支持的CXL协议的修订级别、以GB或TB为单位的总容量，另外还有通过单个连接器（1C）至四个连接器（4C）、支持x4至x16的连接器和I/O配置。v1.1版本包括模块组件原产国的文档，可在所需的二维条形码中读取，从而简化库存管理。

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示，JESD317A和JESD405-1B证明了JEDEC对扩展CXL解决方案市场的积极支持，这些文件代表了数十家公司的合作，代表了CXL内存解决方案的供应商和最终用户，有助于解决方案的商品化，为行业带来好处。

由于生成式人工智能（AI）、自动驾驶和内存数据库（In-Memory Database，IMDB）等新兴领域的数据吞吐量和内存需求呈指数级增长，对具有更大内存带宽和容量的系统的需求也在增加。CXL作为一种开放性的互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。

在最新的开发中，三星针对Red Hat Enterprise Linux（RHEL）9.3做了CXL内存的优化工作，并验证了在Red Hat的KVM和Podman环境下的内存识别、读写操作。这让数据中心客户可以轻松使用三星CXL内存，无需对现有硬件进行额外调整。三星和Red Hat还在合作编写“RHEL 9.3 CXL内存启用指南”，以帮助用户在该操作系统上使用三星的CXL内存，并在各种用户环境中构建高性能计算系统。

三星和Red Hat的合作始于2022年5月，双方签署了关于下一代存储器合作的谅解备忘录（MOU），并将通过三星存储器研究中心（SMRC）继续开发CXL开源和参考模型。目前双方合作的范围涵盖一系列存储和内存产品，包括NVMe SSD、CXL内存、计算内存/存储和结构。

美光希望未来几年继续在HBM和GDDR类内存上努力，此前已推出业界首款带宽超过1.2 TB/s、引脚速度超过9.2 GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3 Gen2，对应的应该就是路线图上显示的HBM3E。美光该款HBM3E将于2024年初到来，预计会在英伟达面向AI和HPC推出的新一代GPU上首次亮相。美光还在准备12层垂直堆叠的单品36GB HBM3E芯片，将会在2025年推出。

更大变化的将是HBM4，计划在2026年发布，内存堆栈将采用2048位接口，带宽超过1.5 TB/s。美光打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，带宽增加至2 TB/s以上。

下一个GDDR版本，也就是GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。预计到2026年末，单个芯片的容量会超过24Gb，速率也会提升至36 Gbps。

美光预计在2025年提供128GB至256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率为8800 MT/s，然后在2026年或2027年提供容量超过256GB的MCR DIMM内存模块，数据传输速率会攀升至12800 MT/s。同时美光准备推出支持CXL 2.0的内存模块，容量在128GB至256GB，带宽将达到36 GB/s，接下来还有支持CXL 3.x的内存模块，容量超过256GB，带宽超过72 GB/s。

对于低功耗应用，业界将继续使用LPDDR内存。美光速率为8533 MT/s或9600 MT/s的LPDDR5X将继续使用一段时间，然后从2025年开始提供基于LPDDR设计的LPCAMM2内存，速率为8533 MT/s，容量在16GB至128GB，到了2026年中旬还会有速率为9600 MT/s、容量超过192GB的产品。

争夺CXL市场的核心自然就是DRAM，三星和SK海力士是全球第一和第二大存储器厂商，当然不会错过CXL这片“新蓝海”，目前都在积极开发CXL技术，以提高服务器DRAM销量。CXL内存模块理论上在服务器中可以实现“无限”的DRAM扩展，而且还能统一不同信息处理设备直接的通信协议，简化了数据处理、减少了数据瓶颈、提高了能源效率，解决了现有计算机标准里DRAM的物理可扩展性问题。

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，三星和SK海力士都认为，CXL是继HBM之后引领存储器市场的新技术，都打算加大投入，加速CXL技术开发，以抢占先机。

CXL技术允许构建各种设备来处理大量的工作负载，从扩展内存子系统的容量和性能到提供超快速的持久存储。据ServeTheHome报道，铠侠提供了两种CXL产品：一种是基于CXL+XL-Flash闪存的产品，用于以性能和可靠性为中心的应用，比如数据库和人工智能推理等；另外一种是基于CXL+BiCS FLASH的产品，用于大数据和人工智能训练等。两种存储设备都采用了特助的控制器，对各自的任务做了针对性的优化。

铠侠在去年推出了第二代XL-FLASH存储级内存解决方案，这是一种基于其BiCS FLASH 3D闪存技术的存储级内存（SCM）解决方案。与第一代采用SLC NAND不同，第二代改用了MLC NAND，提供了更高的读写性能及更低的延迟，保证了比主流3D TLC NAND有更高的性能，并有效降低了成本。铠侠表示，当CXL与第二代XL-FLASH结合后，不但实现了更高的容量，同时更具成本效益。

这次铠侠展示了1.3TB的CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND设备样品，外形为E1.S和E3.S规格，采用了PCIe 5.0 x4接口。铠侠没有透露具体的性能参数，可能是由于开发还没完成。虽然使用基于CXL协议的PCIe接口加上低延迟的3D TLC NAND似乎是一个合理的方案，但性能不如采用第二代XL-FLASH的产品。

对于旗下CXL内存扩展模块的发布计划，铠侠一直守口如瓶。从展示的情况来看，基于CXL+BiCS FLASH的产品应该会更早上市。

CZ120内存扩展模块提供了高达36GB/s的带宽，相比于一般相同容量的DDR5-4800 RDIMM（带宽为38.4GB/s）只是稍慢一些。目前AMD第四代EPYC服务器处理器（代号Genoa）支持12通道DDR5-4800内存子系统，提供高达460.8GB/s的带宽，而英特尔第四代Xeon服务器处理器（代号Sapphire Rapids）支持8通道DDR5-4800内存子系统，提供高达307.2GB/s的带宽。一般情况下，这些处理器都具有足够的带宽，但某些工作负载需要更大容量的内存和更高的带宽，比如数据库软件，这时候CZ120内存扩展模块就能发挥作用了。

据美光的介绍，如果在一台配备12条64GB DDR5内存的系统上增加四个256GB的CZ120内存扩展模块，可以使服务器处理器的内存读写带宽提高24%，而且多出的内存容量可以让其每天多处理96%的数据库查询。

美光表示，一直使用英特尔和AMD的平台开发和测试CZ120内存扩展模块，希望通过其产品创新与CXL生态系统的合作，让新标准更快地被接受，以满足数据中心及其内存密集型工作负载不断增长的需求。美光暂时还没有透露CZ120内存扩展模块的具体定价，以及出货计划，估计要等各方完成验证和认证工作后才能进行，应该要等到2024年。

这次支持CXL 2.0的CXL内存模块采用了PCIe 5.0 x8接口，提供了35GB/s的带宽。三星计划在今年晚些时候开始生产支持CXL 2.0的CXL内存模块，并准备推出各种不同容量的衍生产品，以满足未来计算应用的需求。

三星表示，其一直处于CXL技术的最前沿，致力于通过与全行业的数据中心、服务器和芯片组公司合作，进一步扩展CXL生态系统。此次三星与英特尔合作，在至强服务器平台上取得的里程碑式进步，双方的共同投资将促进CXL产品在整个行业内的应用和发展。

CXL联盟在2020年年末推出了CXL 2.0规范，其建立在PCIe 5.0标准的物理和电气接口上，主要增加了内存池的支持，以最大限度地提高内存利用率，并且提供了对持久性内存的标准化管理，允许与DDR同时运行，从而可以释放DDR用于其他用途。

CXL作为一种开放性的互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，预计将在人工智能（AI）和机器学习（ML）等核心技术的高速数据处理需求迅速增加的下一代计算市场掀起波澜。

SK海力士提供的1y nm、1a nm 16 Gb DDR5 DRAM模块，以及1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块，可在第四代EPYC服务器处理器上实现4800 Mbps的支持，相比现有的DDR4产品多提供50%的内存带宽。SK海力士还提供了CXL存储器，这是一个容量为96GB的产品，基于1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块构建，为客户提供高满意度，灵活配置带宽和容量、以及经济高效的扩展。

SK海力士DRAM产品规划和支持负责人Sungsoo Ryu表示，与AMD的合作将加强SK海力士作为服务器市场内存解决方案供应商的领导地位，最新的EPYC 9004系列服务器处理器将为SK海力士新的DDR5和CXL存储产品铺平道路，为市场提供卓越的性能。

据TomsHardware报道，在AMD的这场网络研讨会里，涵盖了多个主题，包括AM5平台、DDR5内存、以及PCIe 5.0 SSD等。在提问环节中，AMD回答“为什么存储设备没有连接到内存总线”的时候，其储存和内存高级经理Leah Schoeb表示，接下来的三到五年中，首先会在服务器领域看到持久内存技术的加入，然后会到消费领域，AMD将确保系统内存与其他存储设备可以通过CXL协议在同一总线上进行通信。

群联电子相关负责人也对这个话题做了补充，称这是另一个生态系统类型的项目，需要大家共同努力才能做到这一点，这些合作在过去几年里推动了PC的发展，双方暂时在该领域宣布任何事情。不过第一款支持CXL的CPU很快就会到来，AMD代号Genoa的EPYC和英特尔的Sapphire Rapids处理器都围绕PCIe 5.0接口构建的规范进行了早期修订。