CXL技术允许构建各种设备来处理大量的工作负载，从扩展内存子系统的容量和性能到提供超快速的持久存储。据ServeTheHome报道，铠侠提供了两种CXL产品：一种是基于CXL+XL-Flash闪存的产品，用于以性能和可靠性为中心的应用，比如数据库和人工智能推理等；另外一种是基于CXL+BiCS FLASH的产品，用于大数据和人工智能训练等。两种存储设备都采用了特助的控制器，对各自的任务做了针对性的优化。

铠侠在去年推出了第二代XL-FLASH存储级内存解决方案，这是一种基于其BiCS FLASH 3D闪存技术的存储级内存（SCM）解决方案。与第一代采用SLC NAND不同，第二代改用了MLC NAND，提供了更高的读写性能及更低的延迟，保证了比主流3D TLC NAND有更高的性能，并有效降低了成本。铠侠表示，当CXL与第二代XL-FLASH结合后，不但实现了更高的容量，同时更具成本效益。

这次铠侠展示了1.3TB的CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND设备样品，外形为E1.S和E3.S规格，采用了PCIe 5.0 x4接口。铠侠没有透露具体的性能参数，可能是由于开发还没完成。虽然使用基于CXL协议的PCIe接口加上低延迟的3D TLC NAND似乎是一个合理的方案，但性能不如采用第二代XL-FLASH的产品。

对于旗下CXL内存扩展模块的发布计划，铠侠一直守口如瓶。从展示的情况来看，基于CXL+BiCS FLASH的产品应该会更早上市。

铠侠称，第二代XL-FLASH存储级内存解决方案旨在为数据中心、企业服务器和存储系统带来更高的性能和更低的成本。放眼未来，该技术还可能应用于CXL（Compute Express Link）产品上。目前三星和SK海力士已推出了CXL存储器，均基于DDR5 DRAM。

第二代XL-FLASH除了使用现有的SLC闪存，还增加了每单元存储两位数据的新多层单元功能（MLC），从而降低了成本。此前第一代产品使用的是128Gb的闪存芯片，第二代提高到了256Gb，同时数据吞吐量也有所增加。在同一个封装中，还可以堆叠两层、四层或八层芯片。

铠侠表示，将在今年8月初在全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）的主题演讲中展示第二代XL-FLASH存储级内存解决方案。此外，相关样品计划于今年11月出货，预计2023年投入量产。

根据Anandtech的报道，东芝首片XL-FLASH将使用128Gb的裸片，并且分割成16个平面以提供相对于现在面向容量的3D NAND闪存更强的并行性。XL-FLASH闪存的页面大小为4KB，也明显小于当前大多数3D NAND闪存，不过由于XL-FLASH的单元只存储1位而不是像现在TLC或QLC存储3为或4位，所以小页面大小也是正常的。同时东芝到目前也没有透露擦除块大小，但应该是要比目前大容量NAND闪存要更小的。

性能是东芝推出XL-FLASH的关键，东芝称其读取延迟小于5微秒，而相比之下3D TLC约为50微秒。这个提升还是很大的。

而且在本届闪存峰会上，Memblaze也展示了首款采用XL-FLASH闪存的超低延迟SSD，并且将于英特尔的傲腾及三星的Z-NAND闪存进行竞争。根据Anandtech的报道，Memblaze也采用了公司专有的SSD控制器与XL-FLASH搭配。而且其声称PBlaze5 X26系列SSD拥有低于10微秒的4K随机写入延迟和平局低至26微秒的4K回合读写延迟。虽然相比英特尔的傲腾SSD还是要高一些，但售价应该要相对便宜一些。

图片来自Anandtech

虽然当前的3D NAND闪存在顺序读写及容量上有了非常大的提升，但随机性能等方面依旧有很大进步空间。英特尔已经推出了基于3D Xpoint的傲腾SSD，三星也推出了Z-NAND闪存，提供更低的延迟及更好的性能表现。现在东芝也加入到高性能NAND芯片的研发生产中，未来高性能SSD市场竞争会更加激烈。