据TECHPOWERUP报道，虽然外界已经知道长江存储将生产DRAM芯片，但是并不确定具体信息。传闻自2025年10月以来，长江存储已经在其Fab 2工厂生产DRAM芯片，月产能约5000片晶圆，属于16Gb LPDDR5X模块，速率7500MT/s。目前长江存储准备在其Fab 3工厂正式量产LPDDR5X，速率将提升至9600MT/s，

长江存储的LPDDR5X采用了4F²单元结构，利用晶体管垂直布局实现芯片面积微缩。长江存储在混合键合技术方面具有显著优势，这一点在晶栈Xtacking 4.0架构已经得以体现。在生产过程中，长江存储将存储阵列与外围逻辑电路分开在两片晶圆制造，再通过键合工艺整合，突破传统DRAM制造的工艺限制，降低了对光刻设备的依赖。

即便未来长江存储转向3D DRAM，也能凭借混合键合技术轻松过渡。由于受制于光刻设备，在现有DUV光刻技术下，预计直到3D DRAM正式推出前，无论长江存储还是长鑫存储，都会积极推动4F²单元结构普及。

慕尼黑第一地区法院第七民事庭向长江存储出具两项德国实用型号的禁令，这是一种未经审查的专利保护形式，期限为10年：

DE202020006166U1 - “三维存储器件的阶梯结构”专利，案件号7 O 12615/25；

DE202021004551U1 - “三维NAND存储器中字线接触的阻挡层”专利，案件号7 O 12614/25。

这两项均为3D NAND存储芯片制造环节的核心底层结构技术，是长江存储Xtacking架构体系中的关键技术组成部分。

另外法院对另外三起涉及长江存储专利的案件选择延期审理：

DE202018007011U1 - “含多个堆栈的三维存储器件”专利，案件号7 O 12609/25；

DE202022003278U1 -  “三维存储器件”专利，案件号7 O 12616/25；

EP3931868 - “具有沉积半导体插塞的三维存储器及其形成方法”欧洲专利，案件号7 O 12593/25。

德国实用新型是当地专利体系中的特殊保护形式，与常规发明专利处于并列的法律地位，相比普通发明专利，申请流程更快捷、授权成本更低，完成登记后即可获得正式的法律保护，最长保护期限为10年。

除了在德国外，长江存储与美光的专利之争横跨多个市场，包括中国和美国等。

据TrendForce报道，长鑫存储正准备进入快速增长的NAND闪存市场，已经与潜在的客户讨论了其计划。长鑫存储打算在北京新建工厂建造NAND闪存研发生产线，并建立研发中心，暂时还不清楚具体时间表。

其实更早之前就有消息称，长江存储计划大幅扩张产能，在即将完工的一座工厂基础上再建两座工厂。长江存储也打算进军DRAM领域，三座新工厂的部分产能将用于DRAM生产，具体分配情况取决于其开发方面的进度。目前长江存储已经向客户发送了LPDDR样品，预计今年年底前会收到使用反馈，这将是未来DRAM生产的重要决策参考。

目前长鑫存储和长江存储都在推进重大投资和融资计划，都希望在这一轮存储行情中寻找更多机会，扩大市场份额。随着长鑫存储上市成功，长江存储也在加速推进科创板IPO，拟募资330亿元，将超过长鑫存储的295亿元和中芯国际（SMIC）的200亿元，创造科创板最高拟募资金额纪录。

据Wccftech报道，长鑫存储和长江存储已经从ASML采购了足够多的DUV光刻机，可以满足未来三年的扩产计划。虽然被限制采购更先进的EUV光刻机，但是对于存储芯片来说，现阶段绝大部分时候仍然依赖于面向成熟制程节点的DUV光刻机。

另外有消息称，国内企业的DUV光刻机已经开始进入量产阶段，今年计划生产12台，高于年初5台的目标。

TrendForce指出，随着大规模扩产，长鑫存储短短一年内研发人员的规模将扩大了60%以上，目前员工总数已经达到SK海力士的78%左右。同时长鑫存储也投入了更多资金在人才支持上，数据显示2026年上半年，员工平均薪酬上涨了34%，另外还将招聘扩展到了海外。

据Counterpoint Research最新数据显示，本季度三星虽以28%的营收份额稳居榜首，但较Q1的29%及去年同期的32%相比，市场占有率已经有所下降。SK海力士以19%紧随其后，美光则凭借高昂的售价策略，将份额提升至15%，成功跻身前三。相比之下，铠侠（14%）与闪迪（11%）表现平稳，而长江存储成为最大黑马，其市场份额从一年前的9%一路攀升至Q2的14%，增长势头迅猛。

究其根源，人工智能基础设施的爆发式需求是幕后推手。企业与超大规模云服务商正疯狂囤积高容量闪存用于AI服务器，制造商也因企业级产品利润远高于消费级SSD而主动倾斜产能。这直接导致客户端SSD供应收紧，即便出货量持平，消费者仍需面对持续走高的硬盘价格。

值得注意的是，长江存储的崛起恰逢巨头们全力追逐高利润的企业订单，使其得以在消费及中端市场填补空白、快速收割份额。业内普遍预计，由于新增NAND产能建设周期长达数年，且AI需求毫无放缓迹象，市场价格有望在2027年才迎来实质性企稳。

按照之前的说法，长江存储拟募资330亿元，其中208亿元将用于提高良品率、增加产能和优化工艺等技术升级项目，包括122亿元用于研发相关项目。这一金额超过长鑫存储（CXMT）的295亿元和中芯国际（SMIC）的200亿元，创造了科创板最高拟募资金额纪录。

长江存储希望上市后，能够将资金用于升级及扩建生产线，并加快新技术的研发，从而为国内企业提供更多的NAND闪存，并争取出口海外市场，供应给国际客户。考虑到当下国内外复杂的政经环境，长江存储要实现这一目标将非常具有挑战性，特别是来自美国政府的阻挠和施压。

2026年第二季度全球NAND闪存市场数据显示，按照位元出货量计算，长江存储是仅次于三星和SK海力士（包括Solidigm的部分）的全球第三大NAND闪存企业。三星、SK海力士和长江存储的市场份额分别为25%、22%和14%，长江存储与前面两名仍然有一定差距。

据Wccftech报道，可能与外界所期待的有些不一样，长鑫存储和长江存储的意愿并没有那么高，似乎都无意作为关键环节进入苹果错综复杂的供应链，而是将这种潜在的合作关系视为自身实力的证明，以此起到背书的作用，特别是与其他西方客户的交易中。

虽然长鑫存储和长江存储主要供应国内客户，以确保达到国内严格的自给自足目标，但是过去这段时间里，也开始向西方客户提供存储芯片。由于全球DRAM和NAND闪存都面临供应短缺的问题，海外客户甚至愿意支付更高的溢价。

上个月长鑫存储成功上市，长江存储也很快进行IPO，加上行情向好，目前两家公司都资金充裕，选择积极扩充产能，合作谈判中也处于有利的位置。随着大量买家上门抢购，长鑫存储和长江存储今明两年剩下的可分配产能已经很有限，留给苹果的空间并不多。

长江存储拟募资330亿元，其中208亿元将用于提高良品率、增加产能和优化工艺等技术升级项目，包括122亿元用于研发相关项目。这一金额超过长鑫存储（CXMT）的295亿元和中芯国际（SMIC）的200亿元，创造了科创板最高拟募资金额纪录。

长江存储提交的初步财务数据显示，首次实现盈利是在2024年，2026年第一季度的收入为470.42亿元，净利润达到了333.79亿元，超过了2025年全年的约2.35 倍。另外长江存储的毛利率在2024年和2025年分别为32.49%和35.30%，到了2026年第一季度大幅飙升至76.77%，其中NAND闪存产品达到了78.73%，显然盈利的快速增长离不开当前存储价格的暴涨。

目前长鑫存储的总市值接近4万亿元，是A股市值最高公司，预计长江存储上市后总市值将达到3万亿元。

2026年第二季度全球NAND闪存市场数据显示，按照位元出货量计算，长江存储是仅次于三星和SK海力士的全球第三大NAND闪存企业。

据Notebokcheck报道，最近在测试联想新款ThinkBook 14 G9 IPL时发现，其中搭载了长江存储（YMTC）的PCIe 4.0 NVMe SSD 512GB，属于M.2 2242规格，应该是首次被发现用于美国销售的笔记本电脑。虽然在测试中成绩很普通，但是从市场角度出发则是一件大事情，意味着长江存储的固态硬盘最终将进入全球主流市场。

无论国际数据公司（IDC）还是技术研究与咨询公司Omdia（Canalys已并入），提供的数据都显示在2026年第一季度里，联想继续领跑全球市场，并进一步扩大市场份额，同比增长8.6%左右，市场份额超过了25%。反观最大竞争对手惠普，市场份额已跌至20%以下，而排名第三的戴尔电脑市场份额大概保持在15%，两者与联想之间有一定的距离。

相比于惠普和戴尔电脑，联想得益于国内的长鑫存储（CXMT）和长江存储，DRAM和NAND闪存供应更加多元且稳定，有利于在当下行情较差的PC市场维持更好的业绩表现。

据了解，长江存储超过50%的设备、材料和工具均来自国内供应商，其中包含了垂直堆叠工具。事实上，长江存储也打算进军DRAM领域，三座新工厂的部分产能将用于DRAM生产，具体分配情况取决于其开发方面的进度。目前长江存储已经向客户发送了LPDDR样品，预计今年年底前会收到使用反馈，这将是未来DRAM生产的重要决策参考。

在主营的NAND闪存方面，长江存储已占据全球11.8%的市场份额，与闪迪（SanDisk）持平，逼近美光的13.3%。有市场分析机构指出，随着长江存储产能的提升，预计2027年初的NAND闪存市场份额将突破14%，也就是说进一步贴近前三名，分别是三星的30.4%、SK海力士的16%、以及铠侠（Kioxia）的15.9%。

在这一轮人工智能（AI）浪潮中，存储器地位逐渐抬升，三星和SK海力士相关业务都迎来了创纪录的营收和利润记录。国内无论是长江存储，还是专注于DRAM领域的长鑫存储（CXMT），都希望抓住时代机遇。特别是HBF这类将DRAM与NAND闪存技术特点融合的产品出现，将极大拓展存储器的容量、速度和适用范围。

PC550提供了M.2 2242和M.2 2280两种外形规格，采用了PCIe 5.0 x4接口，支持NVMe 2.0协议，搭配了晶栈Xtacking 4.0技术打造的3D NAND闪存芯片X4-9070，为终端客户提供存储密度更高、I/O速度更快和品质更可靠的存储产品。其采用了四通道闪存接口设计，相比八通道方案有效降低了SSD的功耗与发热，满载功耗低于6W，休眠功耗低至3mW，更契合笔记本电脑的散热环境，同时提升设备续航能力，为用户带来更稳定、持久、舒适的使用体验。

PC550的最高顺序读取速度可达10500 MB/s，最高顺序写入速度为10000 MB/s，另外4K随机读取和4K随机写入最高均为1300K IOPS，提供了512GB、1TB和2TB容量可选，对应分别为300TB、600TB和1200TB，另外MTBF为2,500,000小时，使电脑从容应对多任务处理与高负载应用，为用户带来卓越的性能体验。

新产品引入了全新谷底预测算法，通过对闪存运行状态的实时监控与分析，精确预测最佳读取电压，提高数据可靠性，为AI PC提供更加稳定、高效的存储支撑。另外还支持先进的多命名空间管理（Multiple Namespace）功能，为用户带来了双重收益：既实现了核心数据与系统的硬件级安全隔离，强化了隐私与安全保障；又通过独立的数据路径优化，确保了在多任务并发及AI运算场景下，依然能保持高效运行体验。

据TomsHardware报道，除了惠普外，戴尔电脑也考虑采购长鑫存储的DRAM芯片，这两间PC制造商已经开始进行资格认证，为供应链提供更多替代方案。除了惠普和戴尔电脑外，华硕和宏碁要求其在中国大陆的合作伙伴采购长鑫存储的DRAM芯片。

惠普计划持续监控DRAM行情，如果到今年年中DRAM供应仍然紧张且价格不断上涨，或许会为非美国市场的PC采购长鑫存储的DRAM芯片。戴尔电脑也有类似的打算，原因是担心2026年DRAM价格持续飙升。

在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，最近长鑫存储和长江存储（YMTC）都已启动最大规模扩产计划，力图以最快速度扩大生产线，争夺更多市场份额，缩小与三大原厂之间的差距。长鑫存储的科创板上市申请已于‌2025年12月30日递交，2026年1月8日获受理‌，拟募资‌295亿元‌，将成为科创板史上最大规模IPO。‌‌