据Blocks & Files报道，长江存储称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND闪存以及其他一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的专利或专利申请。

其实早在去年11月，长江存储已经在美国加州北部地区的地方法院向美光提起诉讼，指控对方侵犯其8项专利与3D NAND闪存的专利。此外，长江存储还在上个月，在美国加州北部地区的联邦法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁Roslyn Layton散布虚假信息，试图破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

尽管长江存储在2022年底被美国商务部列入了实体清单，无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造128层及以上的3D NAND闪存，但是仍然努力地通过原有设备及国产设备继续开发新技术。基于Xtacking 3.0架构的芯片仍在不断生产，并且在今年早些时候，成功地将3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外，长江存储还在开发基于Xtacking 4.0架构的芯片，最快可能会在今年末出现，层数超过了300层。

据TomsHardware报道，近期佰维展示了一款型号为X570的SSD，采用了PCIe 5.0 x4接口，面向高端消费市场。其采用了联芸科技（Maxio）的MAP1802主控，8个NAND通道，支持速率达3600 MT/s的3D NAND闪存芯片，顺序读取和顺序写入速度分别为14.5GB/s和14GB/s，提供了512GB、1TB、2TB和4TB容量的产品，对应的TBW分别为500、1000、2000和4000。值得一提的是，搭配的3D NAND闪存来自于长江存储（YMTC）。

为了提高散热效能，并最大限度地保证兼容性，佰维为X570 PCIe 5.0 SSD配备的是超薄石墨烯散热片，以解决台式机和笔记本电脑的安装问题。佰维有可能在今年晚些时候发布X570 PCIe 5.0 SSD，成为自家的新旗舰。由于联芸科技提供的主控主打性价比，新产品可能会提供一个更为吸引的定价，进一步提升产品的市场竞争力。

此外，佰维还会提供一些定位更低的产品，迎合主流市场的需求，包括NV3500和NV7400，分别对应PCIe 3.0 x4和PCIe 4.0 x4接口。

PC41Q采用无缓存DRAM-Less设计，HMB方案，内置固定SLC Cache及动态SLC Cache，搭载了晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D QLC NAND闪存芯片，具备高性能、高耐久度、高可靠性、低功耗等特性。其最大顺序读取速度为5500MB/s，拥有2400MT/s的单颗芯片接口速度，性能、密度和耐久度全面提升，并缩短了设备的响应时长。

PC41Q采用了PCIe 4.0 x4接口，拥有M.2 2242和M.2 2280两种外形规格，提供了512GB、1TB、2TB等多容量选择。新产品广泛适配笔记本电脑、超薄本、台式机和一体机等各种电脑终端，满足了不同用户群体，以及商务办公、日常生活娱乐、内容创作等应用场景的使用需求，并降低了客户和用户的成本，提供更灵活的选择。

得益于完善的内置功耗管理机制，PC41Q在PS4模式下待机功耗低至2mW，工作功耗4W，可显著降低设备发热，延长使用时间，提升用户体验。长江存储称，PC41Q拥有高达1.75MB/s/mW的性能功耗比，能提供更出众的能效表现。

小米去年推出了旗下首款桌面PC，也就是小米迷你主机，其中就使用了长江存储专为OEM打造的PC300系列SSD，不过采用的是基于晶栈2.0架构的第三代NAND闪存芯片。由于长江存储已进入小米供应链，双方进一步扩大合作范围也不会让人感到奇怪。

目前长江存储至少有两种232层3D NAND闪存芯片，除了X3-9070这款1Tb 3D TLC NAND闪存芯片以外，还有新款消费级SSD产品致态TiPro600上使用的1Tb 3D QLC NAND闪存芯片，两者均基于晶栈3.0架构打造，I/O传输速率达到了2400 MT/s。

这样的结果并不意外，毕竟前一段时间群联电子（Phison）首席执行官潘健成就已经表示，NAND闪存颗粒的价格进一步下调已经是不可能了，如果市场不尽快恢复，可能会有供应商出现破产。几乎在同一时间，美光已经表态不会再降低NAND闪存价格，这很大程度上是与供应链集体努力的结果。

有业内人士估计，包括三星、SK海力士、铠侠、美光以及西部数据在内的NAND闪存颗粒主要制造商，目前已在NAND闪存业务上损失超过了100亿美元，从而不得不选择减产。即便如此，面对恶劣的市场环境，仅通过减产手段也无法达到预期的效果，下一阶段需要维护价格体系的稳定，以保证利润率。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

作为存储大厂，今年美光、SK海力士和三星先后推出了200+层的3D NAND闪存解决方案。其中最早的是美光，在5月就宣布推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存，称准备在2022年末开始生产，其采用了CuA架构，使用NAND的字符串堆叠技术，初始容量为1Tb（128GB）。到了8月，SK海力士宣布已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，并已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品。三星在上个月宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层。

目前苹果NAND闪存芯片的供应由三星、SK海力士和铠侠（Kioxia）负责，而DRAM芯片则是三星和SK海力士。苹果在NAND闪存芯片和DRAM芯片上高度依赖韩国厂商，同时苹果也是三星排名前五的客户之一。

有业内人士表示，苹果与长江存储的合作是为了让其供应商多样化，以降低NAND闪存的购买成本。苹果选择与京东方的合作也有类似的因素，需要降低对三星显示面板的依赖。苹果在2019年到2021年的三年间，平均每年向三星支付约1万亿韩元（约合人民币50.51亿元）赔偿金，作为未能履行购买协议数量的补偿。苹果要向供应商支付赔偿金是不寻常的事情，表明其在供应上高度依赖三星。

长江存储为iPhone提供NAND闪存芯片仅仅只是开始，待时机成熟后，极大概率加入到iPad和Mac产品的供应链中。截至2021年，有51家中国大陆企业向苹果供应零部件，从而超越中国台湾地区成为苹果最大的零部件供应来源地。

据长江存储介绍，X3-9070的I/O传输速率达到了2400 MT/s，符合ONFI 5.0规范，相比上一代产品提高了50%的性能；得益于晶栈3.0架构，X3-9070成为了长江存储有史以来存储密度最高的闪存颗粒，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb（128GB）的存储容量；采用6-plane设计，相比一般的4-plane性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比提高了，成本也更低了。

长江存储执行副总裁陈轶表示：

“X3-9070闪存颗粒是长江存储近年来在三维闪存领域的匠心之作，它拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够快速高效地应用于主流商用场景之中。面对蓬勃发展的5G、云计算、物联网、自动驾驶、人工智能等新技术带来的全新需求和挑战，长江存储将始终以晶栈®为基点，不断开发更多高品质闪存产品，协同上下游存储合作伙伴，用晶栈®为存储产业赋能，践行‘成为存储技术的领先者，全球半导体产业的核心价值贡献者’的使命和责任。”

目前晶栈架构已经历了1.0到3.0的迭代发展，并基于相关技术打造了多款产品，提供了SATA III、PCIe 3.0和PCIe 4.0 SSD，并带来了用于移动通信和其他嵌入式应用的eMMC和UFS等存储产品。同时长江存储在三维异构集成领域也积累了丰富的经验，研发上逐渐赶上业界巨头。

据了解，苹果正在测试长江存储生产的NAND闪存芯片样品，进行验证至少已有半年以上的时间。不过也有业内人士指出，长江存储128层堆叠的3D NAND闪存已通过苹果的验证，最快会在今年5月份出货，将进入2022款iPhone SE的供应链，甚至会加入到下半年iPhone 14系列的供应体系中。

据称，苹果和长江存储最早于2018年就开始接触，但当时无法提供苹果所需要的存储芯片，直到2020年之后才能生产出符合苹果要求的产品。不过目前长江存储的产能有限，良品率还需要进一步提升，供应尚未完全稳定，即便成功打入苹果供应链，初期也只会少量出货。

去年曾有国外机构拆解长江存储的128层TLC闪存芯片，认为其技术已赶上业内领跑者。

长江存储的128层堆叠产品采用的Xtacking架构已经全面升级至2.0，可进一步释放3D闪存的潜能，其基于电荷俘获型（Charge-Trap）存储技术，可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps的数据传输速率。目前长江存储的Xtacking 2.0架构用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。

拆解的AN4 1TB SSD采用了长江存储128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片，尺寸为60.42平方毫米，位密度增加到8.48 Gb/平方毫米，相比Xtacking 1.0架构的芯片（256Gb）提高了92%。长江存储Xtacking混合键合技术使用了两片晶圆来集成3D NAND器件，因此可以找到两个die，一个用于NAND阵列芯片，另一个用于CMOS外围芯片。其单元结构是由两个层板组成，通过层板接口缓冲层连接，与铠侠的112层堆叠的BiCS 3D NAND闪存在结构上的工艺相同。

与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK海力士（4D PUC）现有的128层堆叠512Gb 3D TLC NAND闪存产品相比，长江存储的裸片尺寸更小，这使得它拥有最高的密度。Tech Insights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争，技术上已赶上其他领跑者。

TrendForce报道称，在一季度长江存储就已经向部分客户和控制器厂商提供了样品，而且长江存储武汉工厂已完成建设，不过仅为32层闪存产品提供有限的产量，而在生产64层闪存芯片时会提高产量并扩大产能。在2020年时，计划将晶圆产量提高到60K/m。不过相对于竞争对手的200K/m还有差距，但这还是会给闪存芯片市场带来一定的冲击。

图片来自TrendForce

同时在2020年，长江存储还计划跳过72层/96层技术，直接生产128层的3D NAND闪存，以此追上美光、英特尔、海力士等竞争对手，而这些厂商计划在2020年推出128层闪存芯片。

长江存储在技术上也在追赶。去年长江存储推出了Xtacking 3D NAND堆栈结构，这种结构相对于传统闪存有极高的I/O速度，更高的密度以及衍生品开发更容易的优势。

此前长江存储CTO程卫华在接受采访时就表示了大规模量产计划，而且他也表示计划进展顺利，没有任何障碍。如果长江存储计划真的顺利执行，那将会对接下来的闪存芯片市场带来一定冲击。

韩国Businesskorea网站报道称，长江存储公司CTO程卫华在接受日本媒体日经新闻亚洲版采访时表示“我们已经制定了大规模量产的计划。”，目前在中国政府的支持下，长江存储在武汉建造了价值240亿美元的半导体工厂，日经报道称该工厂将量产64层堆栈3D NAND闪存。

在采访中，CTO程卫华表示“长江存储公司的计划进展顺利，没有任何障碍。”他并没有正式宣布今年量产64层堆栈的3D NAND闪存，但专家分析称一旦该公司的量产计划实现，他们今年就能够推出64层堆栈的3D NAND闪存。

目前三星、SK Hynix正在使用90层堆栈的3D NAND闪存，去年完成开发之后，SK Hynix今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年能够量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么他们与三星等公司技术差距就可以缩小到2年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。

一些专家依然怀疑长江存储今年是否能够量产64层堆栈3D NAND闪存，因为这家中国半导体制造商还没办法量产32层堆栈的NAND闪存。

但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域似乎取得了进展。如果今年下半年量产64层堆栈的NAND闪存，中国政府可能要求中国智能手机及PC制造商采用国产NAND闪存。如果发生这种情况，将严重影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

来自Digitimes的消息，美光执行副总裁Sumit Sadana指出，他们公司正在密切关注中国制造商的3D NAND闪存生产进度，但他认为中国厂商在质量和产品方面仍有很大的提升空间，他们的产品需要一段时间才能满足客户的要求和标准。

业内消息称，无论长江存储的3D NAND进度如何，最初产品能达到何种质量水平，他们的产品都会获得中国品牌供应商的一定支持，政府也会给出强大的财政支持，这将迫使现有的闪存厂商投入更多的研发资源集中到NAND闪存领域，并可能在更激烈的价格竞争中迎来新的市场整合浪潮。

但是闪迪认为全球领先的闪存供应商不会被市场所淘汰，闪存行业是否会经理新一轮整合仍然有待观察。不过三星已经开始降价，2019年第一季度NAND闪存价格会加速下跌，业内人事认为，三星可能会继续他们的降价策略，以进一步的给同行们施压。

三星、SK海力士和美光占据了全球95%的DRAM市场份额，他们可以通过毛利率更高的DRAM产品保持盈利，这样他们就有更多的财务资源去填补NAND闪存价格战带来的损失。