据Techpowerup报道，根据花旗集团最近的分析，长鑫存储在DDR5芯片生产的良品率上取得重大进展，已达到约80%，与最初量产时的50%相比有了大幅度的提升。这一进展建立在长鑫存储DDR4制造经验之上，目前DDR4芯片生产的良品率已在90%左右。

据了解，目前长鑫存储在合肥运营着两间晶圆厂，其中Fab 1专门生产DDR4芯片，采用19nm工艺，月产能为100,000片晶圆。另外Fab 2使用了17nm工艺，用于生产DDR5芯片，月产能为50,000片晶圆，预计到2025年底，良品率会进一步拉升到90%的水平。

尽管长鑫存储在技术和良品率上有了不小的提高，但是与行业领导者相比，还有一定的差距。目前三星和SK海力士等存储器制造商，已经引入12nm工艺生产DDR5芯片，这种技术差距导致长鑫存储的产品功耗相对更高，外形尺寸也没有那么紧凑。现阶段长鑫存储的客户主要在国内，用于PC和智能手机。

展望未来，长鑫存储会继续扩展DDR5的性能和产能，同时还会继续推进HBM的开发。长鑫存储已经在HBM2上取得了进展，正在进行客户取样，预计2025年中期开始小批量生产HBM2芯片。

据News.Cnyes.com报道，SSD主控芯片开发商慧荣科技（Silicon Motion）总经理苟嘉章在接受媒体采访时表示，虽然长鑫存储现阶段的出货仍然以LPDDR4和DDR4为主，但是随着LPDDR5和DDR5出货量逐渐飙升，可能会对全球DRAM市场产生巨大影响。大概三年前，长鑫存储在全球DRAM市场的份额还不到2％，预计今年会提高到10%，随着技术提升及应用范围拓宽，明年底有可能达到15％。

根据2024年第二季度的市场调查数据，三星、SK海力士和美光分别占据着42.9％、34.5％和19.6％的市场份额，不过该统计并没有将长鑫存储纳入其中。苟嘉章称，三星、SK海力士和美光三大原厂都在密切关注长鑫存储的动向，中国DRAM芯片供应商的发展是未来一段时间DRAM市场最大的变数。

据了解，长鑫存储从2022年月产能7万片晶圆，提升到2023年的12万片晶圆，今年预计已达到20万片晶圆。除了产能的增长，激进的定价手段也迫使其他厂商纷纷选择减产，DDR4一度给出了50%的折扣。虽然中国的DRAM芯片制造商已经在PC和智能手机领域抢占了不少市场份额，但是在企业级市场仍然机会有限，主要原因是服务器制造商更愿意与经过验证的供应商合作。

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金百达的银爵系列采用了银白色的铝合金马甲，运行电压为1.35V，时序为CL36-36-36-80。光威的龙武-弈系列采用的是星空黑配色的马甲，整体尺寸为136 x 38 x 6 mm，运行电压为1.40V，时序为CL36-40-40-96。不过这两款产品都属于无光款，如果需要RGB灯效的玩家可能还要再等待一段时间，相信后续会有其他产品上市。

据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）等中国竞争对手正在崛起，而且不断提高DDR4和LPDDR4X等传统存储芯片的产量。据了解，长鑫存储已经将其DRAM月产能从2020年的40,000片晶圆提高到160,000片，预计到今年年底，将进一步提高到200,000片，预计2025年将提升至300,000片。这使得三星和SK海力士在同类产品上面临较大的价格压力，也促使两大存储器巨头开始大幅度削减传统存储芯片的产量。

有消息人士透露，在最近与高盛的投资者关系会议上，SK海力士表示计划到今年年底前，将DDR4的产量占比降至DRAM总产量的20%，低于6月的40%和9月30%。此前三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁Kim Jae-joon也确认了，将执行减少传统DRAM和NAND闪存芯片产量的计划。同时三星和SK海力士都强调了，会将焦点转移到HBM和eSSD这类高利润产品。目前PC DRAM的销售一直停滞不前，而来自服务器的订单带来了强劲的需求，预计这种趋势会在明年延续。

有分析机构表示，全球存储器供应将持续过剩。SK海力士打算加快位于无锡的旧DRAM生产设备升级，引入1αnm（第四代10nm级别）生产线，另外位于大连的NAND闪存生产线正在接近满负荷生产，以供应市场所需要的eSSD。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

今年初有消息称，长鑫存储已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置，在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。一般来说，至少一年甚至两年时间才能准备HBM生产所需要的工具。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然暂时美国还没有对HBM进行限制，但HBM3使用了美国的技术制造。

据Trendforce报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）和长鑫存储（CXMT）正处于HBM制造的早期阶段，目标2026年量产，主要是为了应对未来人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口，但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。

据DigiTimes报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）已经启动了专注开发和制造的HBM项目，瞄准了人工智能和高性能计算（HPC）领域。武汉新芯拟购置了16套设备，以满足采用3D芯片堆叠技术的生产需求，目标是每月3000片晶圆。虽然武汉新芯并非JEDEC标准制定组织的成员，无法访问或使用HBM规范，但随着清华紫光集团的入股，所以问题也不大。

此前就有报道称，长鑫存储（CXMT）计划生产HBM内存，已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置。长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

传闻国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装。这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

目前市场上主流的HBM3是8层或12层垂直堆叠，中间通过硅通孔（TSV）互联，然后放在一个基本逻辑芯片上，采用1024位接口连接。虽然看起来很简单，但实际上并非如此，而且制造HBM是一项复杂的任务。其生产的设备与传统存储器的设备有着根本的不同，而且生产过程中要对其进行测试，然后封装，最后再测试整个堆栈。其中需要大量的工具和专业知识，但HBM产品在带宽和能效方面胜于市面上其他所有类型的内存。

长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。此外，长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术，也不清楚是哪类型的HBM，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装，这也迫使中芯国际需要开发更先进的封装技术。

据DigiTimes报道，长鑫存储在合肥的新工厂已经开始量产采用18.5nm工艺的DRAM芯片，第一期生产线已经接近满负荷运转，初始的月产能已达到10万片晶圆。长鑫存储即将进行第二阶段产能提升，到2024年底，每月产能还会增加4万片晶圆。这意味着，长鑫存储在全球范围内DRAM总产能的占比将达到10%。此外，长鑫存储计划为新的扩产大幅增加国内采购。

相比之下，主攻NAND闪存芯片的长江存储（YMTC）在产能提升方面受到全面的限制，本土化供应链具有较大的挑战性。不过长江存储在技术研发上依然取得进步，比如高层数的NAND闪存，同时还推出了新款120层产品，绕过了128层的限制，开辟了一条可行的道路。产能扩张依然是长江存储最大的障碍，可能还会持续一段时间。

目前长鑫存储和长江存储以不同的策略应对外部环境限制，加速新技术和新产品的开发。

当谈及性能时，HBM类产品无疑是领先的，利用堆栈技术带来了更大的接口带宽，也提高了数据传输的速率，而这类存储器也并不需要最先进的光刻技术。现今大量供货的HBM2E和HBM3产品，也经过了时间的验证，发展得很成熟了。

HBM类产品要求较高的是封装技术，需要使用微小的硅通孔（TSV）垂直连接8个或12个存储器，这是一个复杂的过程。不过相比在更高的10nm级工艺技术上生产DRAM芯片，对堆叠的芯片模块进行封装还是相对要简单一些。理论上，长鑫存储有生产HBM类产品的技术，不过每个模块能够堆叠多少DRAM还很难说。

在未来人工智能、高性能计算、自动驾驶汽车等各种应用场景中，HBM类产品都有较高的需求，适用范围非常广，能够依靠自己的技术实现自主研发和生产，肯定是利大于弊。