据TomsHardware报道，除了惠普外，戴尔电脑也考虑采购长鑫存储的DRAM芯片，这两间PC制造商已经开始进行资格认证，为供应链提供更多替代方案。除了惠普和戴尔电脑外，华硕和宏碁要求其在中国大陆的合作伙伴采购长鑫存储的DRAM芯片。

惠普计划持续监控DRAM行情，如果到今年年中DRAM供应仍然紧张且价格不断上涨，或许会为非美国市场的PC采购长鑫存储的DRAM芯片。戴尔电脑也有类似的打算，原因是担心2026年DRAM价格持续飙升。

在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，最近长鑫存储和长江存储（YMTC）都已启动最大规模扩产计划，力图以最快速度扩大生产线，争夺更多市场份额，缩小与三大原厂之间的差距。长鑫存储的科创板上市申请已于‌2025年12月30日递交，2026年1月8日获受理‌，拟募资‌295亿元‌，将成为科创板史上最大规模IPO。‌‌

据Wccftech报道，惠普不仅仅在扫荡DRAM现货市场，而且正寻求中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）加入到供应链，目前正在进行额外的资格认证。由于三星、SK海力士和美光都没有额外的产能，惠普只能寻求其他途径来保障DRAM供应，似乎已没有其他选择。

预计长鑫存储2026年的DRAM晶圆产量将提高到每月30万片，而且现在已经有足够能力，大批量生产DDR5。长鑫存储另外一个有利的地方在于，暂时还没有量产HBM，不会像三星、SK海力士和美光那样挤压产能，加上去年开始就减少DDR4的供应，能更多地供应消费端所需要的主流DRAM产品。

长鑫存储的科创板上市申请已于‌2025年12月30日获受理‌，拟募资‌295亿元‌，将成为科创板史上最大规模IPO。‌‌虽然长鑫存储的产能仍比不上三星、SK海力士和美光，但是正在通过扩产及提升研发能力，力争成为行业的下一个巨头。

惠普采购长鑫存储的DRAM芯片最大障碍来自于美国的法规，虽然暂时商用产品并没有限制，但是考虑到未来可能面临的风险，惠普有可能将长鑫存储的DRAM芯片仅用于亚洲和欧洲发货的产品上。

这次长鑫存储发布了最新DDR5系列产品，速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，包括UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。

同时长鑫存储还展出了最近发布的LPDDR5X系列产品，最高速率达到了10667Mbps，最高颗粒容量16Gb，包括12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。目前长鑫存储提供的LPDDR5X还有8533Mbps和9600Mbps规格可选，还有容量为16GB和32GB的LPCAMM模组形态产品。

长鑫存储于今年初开始减少了DDR4的出货量，逐步将重心转移到DDR5/LPDDR5内存芯片，升级工艺并增加产量，缩小与领先DRAM芯片制造商之间的差距。通过DDR与LPDDR双线创新突破，长鑫存储进一步丰富了存储芯片的供给，为客户提供了更多的选择。

长鑫存储表示，将持续深耕技术迭代，精准响应市场需求，以自主实力引领产业生态协同升级。

据Digitimes报道，长鑫存储的计划似乎遇到了一些麻烦，由于使用相对较旧的工艺技术来生产DDR5，无论生产出来的颗粒质量，还是良品率，仍然没有达到令人满意的水平，有可能不得不推迟大规模生产的时间，延后至2025年末。

长鑫存储应该是采用了其第四代DRAM节点工艺技术来制造DDR5，从而使得面积比三星同类芯片大了40%，与三星2021年初的水平相当，这意味着制造成本要更高，难以降低成本，难以实现大规模生产。然而成本不是长鑫存储面临的唯一问题，早期测试发现这些DDR5内存模块在相对高温或者低温环境里出现稳定性问题，导致长鑫存储不得不改变其DDR5芯片的设计，以提升可靠性。

原来有业内人士预计，长鑫存储在2025年5月或者6月开始大批量生产DDR5，可是已经到7月了，仍然没有实现大规模出货。虽然技术上的一些问题已经解决，但是良品率方面仍徘徊在50%左右，要实现真正意义上的量产是不足够的。长鑫存储还需要更多经验，以继续改进生产。

事实上，长鑫存储的DDR5已经达到了同行业南亚科技的水平，正在缩小与领先DRAM厂商的差距。预计到2025年末，长鑫存储的DDR5才能进入大规模生产阶段。

据TrendForce报道，随着各个DRAM芯片制造商开始减少DDR4出货量，加上执行提价策略，最新的DRAM现货价格数据显示，DDR4产品价格正在大幅上涨，从5月7日到13日，DDR4 16Gb 2Gx8 3200 MT/s价格上涨了6.81%，DDR4 8Gb 1Gx8和512Mx16 3200 MT/s的价格分别上涨8.65%和8.74%。

虽然有传言称，长鑫存储在今年底也会停止DDR4出货，不过有可能仍以不同的品牌供应小批量产品。与此同时，有消息人士指出，三星、SK海力士和美光并没有彻底退出DDR4市场，仍将维持小规模生产，只不过面对来自中国竞争对手越来越大的压力，将逐步淘汰部分落后产品。目前许多客户都在寻求新的渠道，从而引发了一波囤积潮，寻找新的供应商需要时间，只会增加市场的紧迫性和不确定性。

去年有报道称，长鑫存储过去几年里不断增加产能，从2022年月产能7万片晶圆，提升到2023年的12万片晶圆，再到2024年的20万片晶圆，预计全球DRAM市场的份额占比将提升到10%。长鑫存储还采取了激进的定价手段，在PC和智能手机领域抢占了不少市场份额。

据DigiTimes报道，随着市场形势变化，国内DRAM芯片制造商长鑫存储（CXMT）正在考虑提高DDR4的价格。

去年有报道称，长鑫存储过去几年里不断增加产能，从2022年月产能7万片晶圆，提升到2023年的12万片晶圆，再到2024年的20万片晶圆，预计全球DRAM市场的份额占比将提升到10%。同时长鑫存储还采取了激进的定价手段，DDR4一度给出了50%的折扣，在PC和智能手机领域抢占了不少市场份额。

随着技术提升及应用范围拓宽，长鑫存储2025年的月产能可能会进一步增至30万片晶圆，至年底市场份额有可能达到15％。长鑫存储的强势崛起，加上市场供大于求，价格走弱，迫使三星和SK海力士等传统DRAM厂商在去年选择大幅度降低了DDR4的产量。

由于近期DRAM价格持续强势，DDR5已经过连续调涨，市场将注意力转向性价比更高的DDR4，推动了整体DRAM市场价格的涨势。

随着应用的发展，现在有许多用户追求大容量内存组合，尤其是4条DDR5内存组成的64GB容量，但通常情况下运行频率会比2条DDR5内存要低不少，这是CPU内存控制器和主板布线方式所共同决定的。微星表示，经过对主板的大量优化后，在新一代Intel 800系列主板上，微星已经能将速率提升到6800MT/s，满足了需要高频和大容量内存玩家的需求，而且这次优化工作主要针对长鑫存储的颗粒。

此前有报道称，长鑫存储在DDR5芯片生产的良品率上取得重大进展，已达到约80%，与最初量产时的50%相比有了大幅度的提升。目前长鑫存储在合肥运营着两间晶圆厂，其中Fab 1专门生产DDR4芯片，采用19nm工艺，月产能为100,000片晶圆。另外Fab 2使用了17nm工艺，用于生产DDR5芯片，月产能为50,000片晶圆，预计到2025年底，良品率会进一步拉升到90%的水平。

据Techpowerup报道，根据花旗集团最近的分析，长鑫存储在DDR5芯片生产的良品率上取得重大进展，已达到约80%，与最初量产时的50%相比有了大幅度的提升。这一进展建立在长鑫存储DDR4制造经验之上，目前DDR4芯片生产的良品率已在90%左右。

据了解，目前长鑫存储在合肥运营着两间晶圆厂，其中Fab 1专门生产DDR4芯片，采用19nm工艺，月产能为100,000片晶圆。另外Fab 2使用了17nm工艺，用于生产DDR5芯片，月产能为50,000片晶圆，预计到2025年底，良品率会进一步拉升到90%的水平。

尽管长鑫存储在技术和良品率上有了不小的提高，但是与行业领导者相比，还有一定的差距。目前三星和SK海力士等存储器制造商，已经引入12nm工艺生产DDR5芯片，这种技术差距导致长鑫存储的产品功耗相对更高，外形尺寸也没有那么紧凑。现阶段长鑫存储的客户主要在国内，用于PC和智能手机。

展望未来，长鑫存储会继续扩展DDR5的性能和产能，同时还会继续推进HBM的开发。长鑫存储已经在HBM2上取得了进展，正在进行客户取样，预计2025年中期开始小批量生产HBM2芯片。

据News.Cnyes.com报道，SSD主控芯片开发商慧荣科技（Silicon Motion）总经理苟嘉章在接受媒体采访时表示，虽然长鑫存储现阶段的出货仍然以LPDDR4和DDR4为主，但是随着LPDDR5和DDR5出货量逐渐飙升，可能会对全球DRAM市场产生巨大影响。大概三年前，长鑫存储在全球DRAM市场的份额还不到2％，预计今年会提高到10%，随着技术提升及应用范围拓宽，明年底有可能达到15％。

根据2024年第二季度的市场调查数据，三星、SK海力士和美光分别占据着42.9％、34.5％和19.6％的市场份额，不过该统计并没有将长鑫存储纳入其中。苟嘉章称，三星、SK海力士和美光三大原厂都在密切关注长鑫存储的动向，中国DRAM芯片供应商的发展是未来一段时间DRAM市场最大的变数。

据了解，长鑫存储从2022年月产能7万片晶圆，提升到2023年的12万片晶圆，今年预计已达到20万片晶圆。除了产能的增长，激进的定价手段也迫使其他厂商纷纷选择减产，DDR4一度给出了50%的折扣。虽然中国的DRAM芯片制造商已经在PC和智能手机领域抢占了不少市场份额，但是在企业级市场仍然机会有限，主要原因是服务器制造商更愿意与经过验证的供应商合作。

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金百达的银爵系列采用了银白色的铝合金马甲，运行电压为1.35V，时序为CL36-36-36-80。光威的龙武-弈系列采用的是星空黑配色的马甲，整体尺寸为136 x 38 x 6 mm，运行电压为1.40V，时序为CL36-40-40-96。不过这两款产品都属于无光款，如果需要RGB灯效的玩家可能还要再等待一段时间，相信后续会有其他产品上市。

据TrendForce报道，长鑫存储（CXMT）等中国竞争对手正在崛起，而且不断提高DDR4和LPDDR4X等传统存储芯片的产量。据了解，长鑫存储已经将其DRAM月产能从2020年的40,000片晶圆提高到160,000片，预计到今年年底，将提高到200,000片，2025年将进一步提升至300,000片。这使得三星和SK海力士在同类产品上面临较大的价格压力，也促使两大存储器巨头开始大幅度削减传统存储芯片的产量。

有消息人士透露，在最近与高盛的投资者关系会议上，SK海力士表示计划到今年年底前，将DDR4的产量占比降至DRAM总产量的20%，低于6月的40%和9月30%。此前三星设备解决方案（DS）部门执行副总裁Kim Jae-joon也确认了，将执行减少传统DRAM和NAND闪存芯片产量的计划。同时三星和SK海力士都强调了，会将焦点转移到HBM和eSSD这类高利润产品。目前PC DRAM的销售一直停滞不前，而来自服务器的订单带来了强劲的需求，预计这种趋势会在明年延续。

有分析机构表示，全球存储器供应将持续过剩。SK海力士打算加快位于无锡的旧DRAM生产设备升级，引入1αnm（第四代10nm级别）生产线，另外位于大连的NAND闪存生产线正在接近满负荷生产，以供应市场所需要的eSSD。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

今年初有消息称，长鑫存储已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置，在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。一般来说，至少一年甚至两年时间才能准备HBM生产所需要的工具。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然暂时美国还没有对HBM进行限制，但HBM3使用了美国的技术制造。

据Trendforce报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）和长鑫存储（CXMT）正处于HBM制造的早期阶段，目标2026年量产，主要是为了应对未来人工智能（AI）和高性能计算（HPC）领域的应用需求。其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂，长鑫存储则与封装和测试厂通富微电合作开发了HBM样品，并向潜在的客户展示。

HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。目前AI芯片的主流解决方案是采用CoWoS封装，其中集成了逻辑芯片和HBM芯片。国内一些芯片厂商也有同样的需求，这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

据了解，目前国内存储厂商的重点放在了HBM2。虽然美国没有限制HBM芯片的出口，但是HBM3芯片使用了美国的技术制造。

据DigiTimes报道，国内存储厂商武汉新芯（XMC）已经启动了专注开发和制造的HBM项目，瞄准了人工智能和高性能计算（HPC）领域。武汉新芯拟购置了16套设备，以满足采用3D芯片堆叠技术的生产需求，目标是每月3000片晶圆。虽然武汉新芯并非JEDEC标准制定组织的成员，无法访问或使用HBM规范，但随着清华紫光集团的入股，所以问题也不大。

此前就有报道称，长鑫存储（CXMT）计划生产HBM内存，已经获得用于HBM存储器组装和测试的装置。长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

传闻国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装。这也迫使其他晶圆代工厂，比如中芯国际开发更先进的封装技术，以满足客户的芯片生产需求。

目前市场上主流的HBM3是8层或12层垂直堆叠，中间通过硅通孔（TSV）互联，然后放在一个基本逻辑芯片上，采用1024位接口连接。虽然看起来很简单，但实际上并非如此，而且制造HBM是一项复杂的任务。其生产的设备与传统存储器的设备有着根本的不同，而且生产过程中要对其进行测试，然后封装，最后再测试整个堆栈。其中需要大量的工具和专业知识，但HBM产品在带宽和能效方面胜于市面上其他所有类型的内存。

长鑫存储已经在合肥附近运营一座DRAM晶圆厂，并筹集资金建造第二座，将引入更先进的工艺技术，用于制造和封装HBM存储器。此外，长鑫存储尚未开发自己的HBM生产和封装技术，也不清楚是哪类型的HBM，预计未来一到两年内还不能看到相关的产品。

国内一些芯片厂商还希望将HBM与逻辑芯片集成在一起，类似于台积电的CoWoS封装，这也迫使中芯国际需要开发更先进的封装技术。