2017年年初，PC DRAM的平均价格已经高于移动DRAM，不过这种情况将在今年第四季度结束。三大DRAM供应商在明年的产能提升能力方面十分有限，明年DRAM厂商主要通过优化现有圆晶厂的工艺流程和部署下一代制造工艺来提高产量，不太可能进行大规模扩容项目，因此2018年大部分时间内DRAM的供应量都很有限。

Google，Facebook，亚马逊和微软等技术公司在建造新的数据中心后，对服务器DRAM产品的需求正在稳步上升，Intel Purley平台的推出也会进一步推动服务器市场的需求，因此三大DRAM供应商很有可能调整产品组合，将更多的生产能力分配给服务器市场，这又可能影响到明年移动DRAM市场的出货量和价格。

在今年，移动DRAM价格的激增已经限制了智能手机厂商增加手机内存的想法，在接下来一段时间内新发布的中高端手机都只会有4G或6G的LPDDR4X内存，跟2017年上半年一样，可以说在内存这个方面厂商是不太愿意升级的，明年的中低端手机才是移动DRAM需求主要的驱动力。

从LPDDR3到LPDDR4的升级转型速度正在加快，DRAMeXchange预测在2018年LPDDR4将正式接过LPDDR3的大旗成为市场的主流，到时候LPDDR3只会存在与低端或者入门级市场。

LPDDR4X与LPDDR4经常同时出现，二者名字上的相似也容易让人混淆，这里就简单说下区别吧：

LPDDR4是LPDDR3内存的继任者，它是基于DDR4规范的，不过电压从DDR4的1.2V降低到了1.1V，而LPDDR3工作电压也是1.2V，从这点上来看LPDDR4相对前代节能效果并不明显，所以三星等厂商又推出了LPDDR4X内存，将LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变，而在LPDDR4中Vdd2、Vddq电压都是1.1V，所以电压更低的LPDDR4X内存更加节能。

具体能节能多少，不同厂商的参考对象可能不同，节能幅度并不一直，SK Hynix文档中宣称LPDDR4X比LPDDR4节能15%，而美光文档中提到过节能多达45%。我们粗略来算的话，LPDDR4X内存节能也在20-40%左右吧，这个还得看厂商的具体产品的频率、工艺等等。

LPDDR4X内存把Vddq电压从1.1V降到了0.6V，降低了能耗

除了电压更低导致能耗降低之外，LPDDR4X内存在针脚、封装等方面也跟LPDDR4有所不同，不过双方在技术上的差异并不大，而能耗更低的LPPDR4X显然更受厂商重视，三星、美光、SK Hynix三大内存厂商都把重点转向了LPDDR4X内存，而高通的骁龙820/835、联发科P20及X30还有今年的骁龙660等处理器都开始开始或者已经支持LPDDR4X内存了。

LPDD4X内存日渐受宠，所以上游厂商的出货量也偏向LPDDR4X了，集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称LPDDR4X产能持续增加，以及在Q2季度就会超越LPDDR4内存，而且价格上二者逐渐趋同，与LPDDR3的价差也不到5%了，所以LPDDR4系列内存更受厂商欢迎，普及速度将会加快，预计今年内就占据一半以上的份额，取代LPDDR3成为今年内的主流选择。

对于手机内存，今年发布的手机配备的容量最大还是6GB（华硕早前抢先推出过8GB内存手机，但他们的占有率实在太低），8GB内存手机说过很多次了，但主流厂商中还没有大规模上8GB。今天一加官方证实夏天发布一加5，据说它是首个大规模应用8GB内存的手机。

对于8GB内存，这容量恐怕比很多玩家的PC电脑内存容量都高了，大家真的期待这么大容量的内存吗？8GB内存对手机流畅性有什么影响吗？欢迎加小超哥（ID：9501417）微信聊聊，一起期待下首个8GB内存手机的诞生吧。

LPDDR4标准发布于2014年8月份了，标准名为“JESD209-4”，电压相比标准DDR4的1.2V降低至1.1V，而LPDDR4X内存技术上跟LPDDR4内存相同，只不过电压可低至0.6V，进一步降低了功耗，降幅可达40%。

LPDDR4标准问世时厂商尚未大规模量产LPDDR4内存，现在情况已经有所不同了，因此JEDEC又推出了JESD209-4B标准改善了原有标准以适应目前对性能、功耗的更高要求，新标准主要变化如下：

·针对小型应用额外增加了单通道内存支持·增加了MCP、PoP及IoT封装支持·针对最高4266MHz的频率增加新的定义和时序改善

根据JEDEC官方所说，这次标准升级主要是为移动设备提供更高的性能、更低的功耗，不过对普通用户来说这次标准改动影响并不大。目前三星、SK Hynix等公司已经量产了12Gb及16Gb核心的LPDDR4X内存，速率可达4266MHz，64bit位宽下带宽高达34.1GB/s。

日前半导体厂商Cadence宣布了全球首个LPDDR5标准的内存模组，他们的VIP（verification IP，实验性IP核心）核心将帮助工程师检验SoC芯片是否符合JEDEC的LPDDR5标准，该芯片可以按照真正的内存芯片那样实际运行，利用这种模组芯片可以减少开发过程中的风险及错误。

看到这个消息时感觉有点突然，因为在此之前我们对LPDDR5所知甚少，而且跟LPDDR3、LPDDR4有对应的DDR3、DDR4内存标准不同，对应LPDDR5的DDR5现在是不存在的，业界现在并没有统一的DDR5内存标准，即便是未来的产品真的叫DDR5这个名字，公认的时间也是在2018年后了，离我们还很远。

从Cadence的公告来看，LPDDR5是新一代的低功耗内存，提升了性能（带宽），改进了信号一致性，减少了刷新时间，主要用于移动及服务器市场。只不过Cadence并没有提到LPDDR5到底是什么东西，小编猜测它很可能还是在LPDDR4标准基础上进一步优化改进的。

可能是这个原因，LPDDR5内存的进度也会比较快，Cadence现在出了验证芯片，内存厂商们现在也开始预生产、测试，预计2016年Q4季度大规模生产，相关产品在2016年底到2017年初问世。

桌面PC市场面临着从DDR3到DDR4内存的转变，今年的移动设备市场也是如此。三星早在2013年底就宣布量产了8Gb核心的LPDDR4内存，SK Hynix今年初也开始出货8Gb LPDDR4内存颗粒，现在三星把LPDDR4内存颗粒的核心容量从8Gb推到了12Gb，容量提升了50%。

目前3GB内存的智能手机需要使用4颗6Gb核心的颗粒，4GB内存的手机需要4颗8Gb核心的颗粒，有了12Gb核心的LPDDR4内存，只要4颗就有6GB内存容量了，3GB内存的话则只要2颗，也就是说同样的空间下12Gb颗粒可将内存容量提升一倍，或者同样的容量下减少一半的占用面积。

至于速度方面，三星的12Gb LPDDR4内存也非常客观，比目前8Gb颗粒的LPDDR4快了30%，速度达到了4266Mbps，甚至比桌面级的DDR4内存还要快了。

这款手机沿用上一代的弧形设计，正面采用一块5.5寸1080P曲面屏，后盖也拥有自愈功能，最快可以在10秒内消除刮痕。

和弧形机身一样受到关注的是它的配置，特别是高通骁龙810处理器，此前常有传言称该处理器在TDP上遇到问题，甚至丢掉了三星这个大客户，不过高通昨日自曝温度测试成绩进行回击，而G Flex 2在更多地区上市也说明该处理器已经没有问题。

另外，虽然该机运行内存只有2GB，不过采用的是最新的LPDDR4芯片，这应该会成为今年旗舰手机的“标配”。其余参数有16GB/32GB存储空间、支持MicroSD卡扩展，采用210万+1300万像素OIS+摄像头和激光对焦系统，内置3000mAh电池，支持快速冲电，支持4G LTE Cat.6网络、802.11ac无线已经蓝牙4.1.

该机在香港市场是直接开卖了，售价5698港币，约合人民币4585元。而新加坡市场也会在2月27日开始接受预订，售价998新加坡元，约人民币4598元。

SK Hynix表示他们最近已经跟客户庆祝了世界首款使用LPDDR4内存诞生，因此他们的8Gb LPDDR4内存可以说已经正式商业化。

SK Hynix的8Gb LPDDR4内存颗粒规格也不例外，跟三星的一样都是8Gb容量，1.1V电压，DDR4-3200速率，带宽是LPDDR3-1600的两倍，功耗降低30%。

SK Hynix最终也没有公布客户的名字和首款LPDDR4手机的型号，LPDDR4内存需要SoC的支持，基本上跑不出目前的骁龙810处理器手机。小米之前发布了小米Note高配版，使用的正是4GB LPDDR4内存，但这个手机至少要到三月份，即便选择了SK Hynix的内存，也不符合这里的情况。

比较可能的应该是LG的G Flex 2手机，虽然它的内存容量只有2GB，不过却是LPDDR4规格的。SK Hynix在公告中也只提到了是8Gb LPDDR4颗粒，并没有说首款LPDDR4手机就是4GB内存总容量的，而LG G Flex 2手机这几日就要开卖了，完全符合SK Hynix所说的情况。

根据IHS公司的研究，2015年旗舰智能手机大都会使用4GB LPDDR4内存，明年则会以36%的市场份额超过目前3GB内存的手机。

目前主流智能手机使用的内存通常都是LPDDR3-1600，好点的会上LPDDR3-1866，颗粒容量大多是4Gb的。现在服务器及桌面PC上已经有DDR4内存了，而移动用的LPDDR4内存规范今年8月份正式公布，电压降至1.1V，频率从LPDDR4-3200起步，带宽从12.8GB/s提升到了25.6GB/s，简单来说就是功耗更低，速度更快。

LPDDR4内存相比LPDDR3内存的变化

三星量产的是8Gb容量的LPDDR4-3200颗粒，制程工艺为20nm，可以用来制造4GB容量的移动设备内存，用于智能手机、平板等。

三星本月开始提供基于8Gb、6Gb颗粒的2GB、3GB LPDDR4内存，2015年早些时候开始提供4GB封装的LPDDR4内存。此外，用于桌面和服务器市场的20nm DDR4内存产能也提升了。

LPDDR4内存还是新事物，目前唯一明确支持LPDDR4内存的只有高通的骁龙810/808处理器，联发科的新旗舰MT6795、三星的Exynos 5433支持的还是LPDDR3-1866，华为的海思麒麟930信息未知，小编认为使用LPDDR4的可能性也不大，因为除了高通之外，其他几家SoC厂商并不是追求最高性能的，使用LPDDR4内存代价会很大，要承担新技术的风险和成本，唯一可能跟骁龙810比拼的应该是NVIDIA新一代Tegra处理器了。

上一代LPDDR3的频率为2133MHz，而LPDDR4则是直接从3200MHz起步，最高甚至可以达到4266MHz，足足有LPDDR3的2倍。

为此LPDDR4的架构被重新设计，从以前的每die单通道16bit升级到双通道16bit（共计32bit），还允许时钟、位址总线和数据总线能够被整合在一起。

功耗方面，LPDDR4的电压从上代的1.2V进一步降低到1.1V，上面讲到的双通道设计自然会降低一部分功耗，此外还有两个技术为降低功耗做出贡献：

一方面引入JEDEC和三星合作开发的LVSTL（低电压摆幅中断逻辑）I/O接口，I/O信号电压只有367mV或者440mV，不到LPDDR3的一半。

另一方面还允许内存设定2个频率设置点（FSP），因应不同操作而快速切换频率。两个FSP被寄存于DRAM内，保证频率切换时不会带来太大的延迟。

按照之前报道过的新闻，8Gb LPDDR4将会在今年下半年开始量产，2016年正式商用，64位处理器高通骁龙810也会支持这一内存标准。

SK海力士的8Gb LPDDR4芯片同样基于20nm级别工艺打造，数据传输速率可达3200Mbps，电压为1.1V，基本参数与三星的产品基本一致。SK海力士表示，LPDDR4芯片无论是速度还是功耗都要比LPDDR3有更好的表现，适合用在移动设备上。

按照SK海力士的安排，这款8Gb LPDDR4芯片会在2014年下半年开始量产，并于年底登陆旗舰级的移动设备，到了2015年就扩大产品覆盖范围，陆续在中高端产品上取代LPDDR3内存芯片，到了2016年则成为移动设备的标准配置。

该内存芯片采用三星20nm级别制作工艺（可能是21nm），每die最大容量可达1GB，此外还采用与JEDEC合作制定的低电压摆幅终止逻辑LVSTL I/O界面，每pin传输速度高达3200Mbps，比自家20nm的LPDDR3快了50%。此外其电压仅为1.1V，功耗仅为LPDDR3的40%。

三星8Gb LPDDR4内存芯片将会在明年开始用于高端智能手机上，可能会和CES 2014亮相的64位Exynos Octa处理器搭配使用。值得一提的是，此前三星电子也是业内首家提供3GB LPDDR3内存方案（6Gb×4die）的厂商。