DRAM制造行业的制程更新要比做计算芯片的慢一些，镁光的1z纳米工艺是他们在10纳米节点的第三代工艺，在六月份美光第三季度的财报会议准备文件中，他们就已经将迈入1z纳米工艺作为下一个财年的重要事项写进去了。而同时他们实际进入1z纳米工艺的时间也比内部时间表要早那么一些。

对于DRAM来说，更新的工艺能够做出单片容量更加大的内存颗粒来，也更加的省电。而首批采用1z纳米工艺的产品将是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X内存颗粒，尤其是后者，对于目前移动端越来越大的内存大小和带宽的需求，容量越大、速度越高并且更加省电的内存颗粒是移动厂商们的最爱，美光的大容量LPDDR4X颗粒还正好赶上了Intel的IceLake处理器开始正式出货，而新的处理器加上了对于频率为3733MHz的LPDDR4X内存支持，在中高端轻薄笔记本市场上面，美光的新颗粒也有很大的市场了。

而对于大容量的DDR4颗粒来说，它们的用途多在制造大容量内存条上面，目前单条32GB的产品还没成为桌面端的主流，但是对于工作站和服务器来说，这种单条大容量的内存条是刚需。

在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高频率可以达到4266MT/s的内存的同时，美光还提供了一种基于UFS的多芯片封装方式——uMCP4，它可以将NAND和DRAM整合在一个封装中，目前有64GB+3GB和256GB+8GB两种配置，这种封装可以减少存储芯片们所占据的位置。

三星去年7月份宣布量产8GB LPDDR4X内存，使用了第二代10nm级别工艺，这个10nm级工艺并不是10nm，而是1ynm工艺。在进入20nm工艺节点之后，DRAM工艺也面临着越来越难的困境，所以制程工艺升级也不像之前那样激进了，1xnm是第一代10nm级别工艺，三星之前有18nm工艺DRAM量产，而1ynm工艺则是第二代，大概是14-16nm工艺的样子。

具体来说，这次推出的12GB LPDDR4X内存频率4266Mbps，与去年的8GB LPDDR4X没变化，不过容量提升了50%，内部有6颗16Gb容量的DRAM核心，总容量是目前容量最大的，应该就是Galaxy S10+手机12GB版的同款内存了。

在三星之后，SK Hynix及美光的12GB LPDDR4X内存也会跟进，今年的智能手机高配版上12GB内存容量只会越来越多。

美光表示其12Gb LPPDR4X颗粒是目前业界容量最高的，速度也是最快的——速度快倒是真的，不过美光的12Gb LPDDR4X内存并不是容量最大的了，三星早在4月份就宣布了16Gb核心容量的LPDDR4X内存了，频率同样是4266Mbps。

12Gb颗粒意味着单核心就有1.5GB容量，4核心就有6GB内存容量，8核心则是12GB内存了，明年差不多就会有12GB内存的高端智能手机了。

除了频率高达4266Mbps之外，美光表示其LPDDR4X内存还有能耗上的优势，功耗降低了10%。

美光的12Gb LPDDR4X内存使用了1Y nm工艺，官方表示是10nm级别的，这种说法经常会误导一些媒体同行，以为是10nm工艺的，它其实是1X nm之后第二代10nm级工艺，1X nm大概是16-19nm，1Y应该是14-16nm工艺，之所以这么模糊是因为20nm节点之后DRAM工艺也面临各种困难，线宽指标没有明确的数值了，所以用XYZ代替，在这之后还有1α及1β工艺。

10nm的DRAM相比现有的主流产品也具有更高的可靠性：可在-40°C至125°C中工作，符合Automotive Grade 1标准，这个数据足以通过世界上汽车厂家的热循环测试，为汽车应用的可靠性增添一份保障。三星能为汽车厂家提供12Gb、16Gb、24Gb及32Gb的10nm LPDDR4X DRAM产品，不仅如此，在扩展10nm产品线的同时，三星还计划加强与汽车厂商的技术解决方案伙伴关系，包括辅助驾驶系统（ADAS）、自动驾驶系统、资讯娱乐系统及车载网络方案等。目前手机上主流的LPDDR4X DRAM好像是三星18nm、海力士21nm、美光20nm的LPDDR4X DRAM，有望之后的手机旗舰也能搭上10nm工艺DRAM的班车。

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LPDDR4X与LPDDR4经常同时出现，二者名字上的相似也容易让人混淆，这里就简单说下区别吧：

LPDDR4是LPDDR3内存的继任者，它是基于DDR4规范的，不过电压从DDR4的1.2V降低到了1.1V，而LPDDR3工作电压也是1.2V，从这点上来看LPDDR4相对前代节能效果并不明显，所以三星等厂商又推出了LPDDR4X内存，将LPDDR4内存中的Vddq电压从1.1V降至0.6V，Vdd2电压保持1.1V不变，而在LPDDR4中Vdd2、Vddq电压都是1.1V，所以电压更低的LPDDR4X内存更加节能。

具体能节能多少，不同厂商的参考对象可能不同，节能幅度并不一直，SK Hynix文档中宣称LPDDR4X比LPDDR4节能15%，而美光文档中提到过节能多达45%。我们粗略来算的话，LPDDR4X内存节能也在20-40%左右吧，这个还得看厂商的具体产品的频率、工艺等等。

LPDDR4X内存把Vddq电压从1.1V降到了0.6V，降低了能耗

除了电压更低导致能耗降低之外，LPDDR4X内存在针脚、封装等方面也跟LPDDR4有所不同，不过双方在技术上的差异并不大，而能耗更低的LPPDR4X显然更受厂商重视，三星、美光、SK Hynix三大内存厂商都把重点转向了LPDDR4X内存，而高通的骁龙820/835、联发科P20及X30还有今年的骁龙660等处理器都开始开始或者已经支持LPDDR4X内存了。

LPDD4X内存日渐受宠，所以上游厂商的出货量也偏向LPDDR4X了，集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表报告称LPDDR4X产能持续增加，以及在Q2季度就会超越LPDDR4内存，而且价格上二者逐渐趋同，与LPDDR3的价差也不到5%了，所以LPDDR4系列内存更受厂商欢迎，普及速度将会加快，预计今年内就占据一半以上的份额，取代LPDDR3成为今年内的主流选择。

对于手机内存，今年发布的手机配备的容量最大还是6GB（华硕早前抢先推出过8GB内存手机，但他们的占有率实在太低），8GB内存手机说过很多次了，但主流厂商中还没有大规模上8GB。今天一加官方证实夏天发布一加5，据说它是首个大规模应用8GB内存的手机。

对于8GB内存，这容量恐怕比很多玩家的PC电脑内存容量都高了，大家真的期待这么大容量的内存吗？8GB内存对手机流畅性有什么影响吗？欢迎加小超哥（ID：9501417）微信聊聊，一起期待下首个8GB内存手机的诞生吧。

相比于LPDDR4，LPDDR4X的能耗比提高了20%，它工作的标准电压只有0.6V，而LPDDR4的工作电压是1.1V，SK海力士这次推出的8GB LPDDR4X内存是采用四颗双通道16Gb Die封装而成，在64 bit的内存位宽下数据传输速率达到了34.1GB/s。

SK海力士称，他们的8GB LPDDR4X的封装面积比8GB LPDDR4小了30%，尺寸只有12*12.7mm，厚度不到1mm。

目前能使用LPDDR4X内存的SoC只有高通骁龙835和MTK Helio P20两款，不过未来应该会有更多的SoC会支持，而且下一代旗舰手机估计内存容量都会达到8GB了。