2017年年初，PC DRAM的平均价格已经高于移动DRAM，不过这种情况将在今年第四季度结束。三大DRAM供应商在明年的产能提升能力方面十分有限，明年DRAM厂商主要通过优化现有圆晶厂的工艺流程和部署下一代制造工艺来提高产量，不太可能进行大规模扩容项目，因此2018年大部分时间内DRAM的供应量都很有限。

Google，Facebook，亚马逊和微软等技术公司在建造新的数据中心后，对服务器DRAM产品的需求正在稳步上升，Intel Purley平台的推出也会进一步推动服务器市场的需求，因此三大DRAM供应商很有可能调整产品组合，将更多的生产能力分配给服务器市场，这又可能影响到明年移动DRAM市场的出货量和价格。

在今年，移动DRAM价格的激增已经限制了智能手机厂商增加手机内存的想法，在接下来一段时间内新发布的中高端手机都只会有4G或6G的LPDDR4X内存，跟2017年上半年一样，可以说在内存这个方面厂商是不太愿意升级的，明年的中低端手机才是移动DRAM需求主要的驱动力。

从LPDDR3到LPDDR4的升级转型速度正在加快，DRAMeXchange预测在2018年LPDDR4将正式接过LPDDR3的大旗成为市场的主流，到时候LPDDR3只会存在与低端或者入门级市场。

　　SK Hynix在今年6月份曾经试产了全球首款8Gb LPDDR3内存，现在看起来还是会首先量产6Gb LPDDR3内存，该公司认为明年上半年开始到2015年，3GB内存都将是高端手机的主要配置。

　　SK Hynix预计在明年初开始量产6Gb LPDDR3内存。目前除了三星Galaxy Note 3使用了3GB内存之外，今年底将要发布的一些手机也会使用3GB内存，国产新机中步步高的Xplay 3S也会是3GB内存。

　　4Gb LPDDR3的数据传输速度可以达到2133Mbps，高于LPDDR2移动DRAM（800Mbps）的两倍。

　　三星20纳米LPDDR3移动DRAM能为5英寸或更大尺寸屏幕的智能手机提供良好的全高清视频播放效果，和30纳米LPDDR3移动DRAM相比，20纳米的产品能提升30%的性能，节省20%的功耗。

　　通过新技术，OEM厂商可以在2GB的单个封包里实现4颗DRAM芯片的封装，而厚度为0.8毫米。

　　三星还计划在今年迟些时候增产新产品。预测2013年DRAM市场与去年相比将增长13%，达到296亿美元，而移动DRAM的销售将超过100亿美元，占DRAM市场总额的35%。

　　除此之外，三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组，同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成，主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域，特别是智能手机与平板电脑领域，只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间，能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

　　另外我们不妨如此猜测，既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组，那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机，是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢？这种可能性还是蛮大的。

　　相比LPDDR2内存，LPDDR3在内存频率、内存带宽、读写延时等方面有更大的优势。以运行频率为例，LPDDR2内存频率为1066MHz，而LPDDR3则可以达到1600MHz的水品，比前者提升了50%。

　　此外，LPDDR3还引入了一些新的技术，例如写入均衡、指令地址调度、片内指令终接器以及低I/O电容等，总的来说就是让内存芯片在拥有更高性能的同时，功耗控制能力亦有所提升。

　　目前三星、SK海力士等多家内存芯片厂商都展示了自己的LPDDR3内存技术，现在标准已经公布，相信他们很快就会投产对应的产品。只是想要采用LPDDR3内存的成品上市，就不知道要等待多久了。