Ares战神之翼DDR5-6000 C26内存高度为51mm，采用了经严格筛选且经官方认证的海力士A-Die内存颗粒以及定制的强化10层PCB设计，支持ON-Die ECC纠错，以获得最好的信号质量、稳定性和超频性能。外部加入了厚达1.8mm的铝制散热模块以及PMIC专属导热硅脂垫，不但看起来十分时尚，还能有效带走芯片的热量。内存条顶部集成了8颗高亮LED灯珠，提供多达13种RGB灯光模式和1680万种色彩选择，与主流硬件兼容实现灯效同步，用户可随心随意打造个性化的电竞氛围。

内存预设了专为AMD平台适配优化的EXPO超频文件，用户可轻松一键超频至内存的最佳状态，具体为DDR5-6000 CL26-36-36-68，电压1.45V。据雷克沙官方宣称，内存所带来的C26超低时序可令延迟低至55ns，有效提升游戏1%低帧，减少帧率波动与卡顿，带来更稳定的画面表现，相比同频率、时序为C30的内存综合性能提升约10%。此外，雷克沙还为该产品提供终身质保服务。

新产品依旧采用X型羽翼外观设计，提供潜影黑和冰戟银两种配色，散热装甲采用了精密锻压工艺打造，具备较高的密度和不俗的导热效果，单侧装甲厚度达2mm，内部导热硅胶的导热系数为2.5W/M.K，让内存更稳定运行。X型的异形设计还能提升气流传导，带来更优异的空冷表现。

为了达到更高的频率，新的内存全部采用特挑海力士A-die颗粒，配合10层PCB设计和OC PMIC电源管理芯片，可带来更强的超频潜力，且内存均适配ntel XMP 3.0及AMD EXPO超频技术，一键即可达到预设超频频率。

内存顶部的RGB灯光模组拥有8个独立的灯光区域，提供1680万RGB色值，支持10余种灯控效果，便于玩家打造专属专属个性风格，联动整机RGB灯光同步带来赏心悦目的视觉体验。

近日，阿斯加特宣布推出全球首款CUDIMM DDR5-9600内存，比华擎所支持的9200+ MT/s还要高，而且还是开启XMP后即可达到。新品隶属于主打高性能超频体验的雷神系列，提供极夜黑与闪电银两种配色，采用无光设计，配以2mm厚度散热片和矽硅脂导热胶，结合锯齿状散热结构，可与机箱风道或内存散热风扇实现优秀的冷热能量交换，有效降低内存的工作温度。同时该内存还采用了符合第三代JEDEC标准的颗粒，搭载全新的PMIC电源管理芯片，不锁电压，为玩家提供更加优质稳定的超频体验。

从官方的测试截图中我们可以看到，阿斯加特这款DDR5-9600内存单条容量为24GB，存储芯片来自SK海力士，生产日期为2024年第37周，运行在双通道模式下。在开启XMP后，内存时序为CL44-56-56-136，电压给到了1.5V，内存控制器频率为2400MHz，FSB与DRAM的比值为3:72。

阿斯加特表示，CUDIMM DDR5-9600内存基于传统UDIMM，在每一根记忆体模组上搭载了CKD（Clock Drvier），有效解决了CPU与DRAM之间时钟信号传输的瓶颈问题，使得内存能够在更高频率下保持稳定的运行状态。这一技术突破不仅提升了内存的极限频率，还增强了系统的整体稳定性。并且，阿斯加特未来还会推出10000MHz以及更高频率的内存模组。

目前，阿斯加特雷神系列内存在京东平台仅上架了DDR5-6800 CL32 极夜黑16Gx2套条版本，售价为929元，DDR5-9600规格的上市日期暂时未知，预计售价不低。

应用了NitroPath DRAM技术的内存插槽相比传统内存插槽，主要是在与内存金手指接触的引脚上做出了变化。NitroPath DRAM的引脚线路更短，且凭借更合理的物理结构设计，提供更好的弹性，增强对内存的固定压力。其中，内存插入时的侧向压力从传统的6.23kgf提升至7.46kgf，拔出时释放的的侧向压力从传统的3.88kgf提升至4.84kgf，插入后的持续压力从传统的4.72kgf提升至7.42kgf，有效减少内存出现接触不良或松动的情况，带来更加稳定高效的传输性能。

NitroPath DRAM技术的出现，可以说是继加电压、调小参、找到合适的ODT值这些软件层面上的操作后，在硬件层面上为超频玩家们提供了又一更好的超频条件，减少木桶效应带来的影响。

在Gamescom 2024上，华硕全新X870E/X870系列主板正式登场，其中ROG CROSSHAIR X870E HERO和ROG STRIX X870E-E GAMING WIFI是首批支持NitroPath DRAM技术的主板型号，相信在新技术的加持下，能够进一步释放AM5平台的内存性能。另外，该项技术大概率也会在10月份要新推出的Intel 800系主板中得到应用。

掠夺者 Hera影锋系列内存整体尺寸为136.46*8.4*50.1 mm，散热装甲采用了精密锻压工艺打造，具备较高的密度和不俗的导热效果，单侧装甲厚度达2mm，硅胶导热系数为2.5W/M.K。外观X异形设计能一定程度上强化气流的传导，带来更好的空冷散热表现。

内部用料方面，该系列内存均采用了10层PCB设计，配备严选特挑的海力士原厂颗粒及OC PMIC电源管理芯片，适配Intel XMP 3.0及AMD EXPO超频技术，并有着不俗的超频潜力。

内存顶部的RGB灯光模组拥有8个独立的灯光区域，提供1680万RGB色值，支持10余中灯控效果，便于玩家打造专属专属个性风格，联动整机RGB灯光同步带来赏心悦目的视觉体验。

据开发人员之一的Deep Jariwala介绍，该耐高温存储设备主要使用氮化铝钪（AIScN）材料进行制造，这种材料拥有更稳定更强大的化学键，能在高温下保持稳定，十分耐用。存储设备本身由“金属-绝缘体-金属”结构组成，通过一层45nm厚的氮化铝钪（AIScN）将金属镍电极和金属铂电极结合在一起。Jariwala还说，氮化铝钪（AIScN）层的厚度是制成这种内高温存储设备的关键，“如果它（AIScN）太薄，那增强的活性会驱使扩散并导致材料退化。如果太厚，则我们寻找的铁电开关性能就会丧失，因为开关电压随厚度尺度变化，并且在实际工作环境中存在这一方面的限制”。

Jariwala称，这种耐高温存储设备可以解决目前芯片架构设计中一个关键缺陷，即中央处理器和内存分离而导致的效率低下，因为运算数据必须在两者之间传输，这个缺陷对需要处理大量数据的AI应用程序影响尤为明显。新存储设备允许内存和处理器更加紧密地集成在一起，降低数据传递时间，从而提升计算速度、复杂性和效率，研发团队称之为“内存增强计算”。未来大规模AI系统建设时可使用这种存储器作为内存，可有效提高运行稳定性和计算效率。

根据DigiTimes的报道，地震中断了晶圆厂的运营，美光、三星和SK海力士均收到影响，这必然影响供应，这可能会导致内存价格上涨幅度超出预期。其实内存行业在地震前就在涨价了，以弥补他们在前几年价格低估时的损失。

在地震发生后不久，内光就停止了第二季度的产品报价，随后三星和SK海力士也迅速跟上，这明显就是准备涨价了。过去由于自然灾害或事故造成生成中断，内存价格通常都会飙升，这次地震估计也是如此。在地震发生前，市场预测第二季度DRAM和NAND合同价格增长速度会比第一季度放缓，预计在15%到20%之间，而第一季度涨幅超过了20%。

目前内存模块制造商的芯片库存量较低，目前正在准备加购芯片增加库存，原本他们希望价格上涨趋势能放缓，只不过从去年开始上游芯片制造商都集体减产以维持产品定价，现在加上地震的影响，合约价必然会涨得更厉害。

根据这一状况，包括服务器制造商在内的下游客户可能会预计到会出现供货短缺而积极备货，这会进一步推高内存价格。只不过在消费级市场依然处于农历新年后的需求低位，尽管价格估计也会跟随上涨，但应该不会出现缺货的现象。

手机市场目前还处于芯片厂商着眼提升运算效能的阶段，目前还没有实际的AI应用推出，所以这波话题不会发酵得很厉害，而且由于2023年存储器价格因为市场供过于求导致暴跌，至使2023年手机单机内存平均搭载容量较去年增长17.5%，而NAND闪存方面则年增长19.2%，容量已经能满足使用者需求。因此2024年在没有新应用推出的预期下，DRAM和NAND的单机搭载容量涨幅会放慢，分别预计为11%和9.3%。

服务器方面，随着AI服务器需求持续增加，高端AI芯片例如NVIDIA H200/B100、AMD MI350以及云端服务业者自研ASIC芯片陆续投产。但由于训练AI服务器依然是市场主流，扩大内存依然有助于高速运算，所以相较于SSD，服务器内存的单机平均涨幅更大，预计年增长率为17.3%，而服务器SSD的年增长率约13.2%。

笔记本方面，微软要求AI PC的CPU算力要达到40TOPS以上，目前符合该需求的只有高通骁龙X Elite、AMD Strix Point以及Intel的Lunar Lake，但上述搭载这些CPU的笔记本电脑至少要到今年下半年才陆续推出，因此对于拉高存储器容量的帮助有限。而且AI PC的硬件规格是内存容量16GB，SSD并没有硬性规定，因此预计笔记本电脑单机平均内存容量年增长率约12.4%，SSD的年增长率则为9.7%，后续随着AI PC投产后，2025年涨幅才会比较明显。

根据wccftech消息，在瑞穗证券最新的报告内有提到智能手机芯片成本持续上涨，据传第三代骁龙8移动平台的成本已高于上一代产品，而明年的第四代骁龙8移动平台将采用台积电的"N3E"工艺进行制造，成本将会继续增加，而且传闻称第四代骁龙8移动平台将是高通公司有史以来最贵的SoC。所以瑞穗证券预测，随着这些成本的增加，三星和苹果等手机制造商对于新机型的配置升级将采取保守的态度，尤其在内存容量方面将落后于其他品牌。

Revegnus也针对瑞穗证券的预测在X平台上发表了个人看法，他认为除了半导体价格上涨之外，目前人工智能生成的内容对用户缺乏吸引力，所以三星和苹果认为没有必要为此在Galaxy S24和iPhone 16上升级内存配置。

目前关于iPhone 16，已有传闻称苹果将对其麦克风配置进行升级，以改善Siri和其他人工智能相关功能的体验。此外，传闻三星也正在开发一种新的UFS 4.0闪存以运行人工智能相关功能，但尚未有消息确认是否会用在Galaxy S24系列机型上。

近日，芝奇（G.SKILL）宣布推出为新一代AMD 锐龙 Threadripper平台打造的Zeta R5 Neo系列超频DDR5 R-DIMM内存，适用于AMD 锐龙Threadripper 7000系列和Threadripper Pro 7000 WX系列处理器以及它们的座驾——AMD TRX50和WRX90芯片组主板。值得一提的是，这是AMD首款正式支持内存超频的R-DIMM平台。

芝奇 Zeta R5 Neo系列超频DDR5 R-DIMM内存目前拥有64 GB（16GB x4）和 128 GB（32GB x4）两款型号，四套条的封装便于用户直接安装适配主板的四/八通道设计。内存具有AMD EXPO内存超频配置文件，进入主板BIOS开启后频率可达6400MHz，时序为CL32-39-39-102，并且配有On-Die ECC和Side-Band ECC，可有效地检测和纠正数据错误，提高数据传输准确性和可靠性，同时为了改善高频下的时钟和命令信号，该系列内存还配备了RCD（注册时钟驱动程序）。

据Techpowerup消息称，该系列内存已经在本月开始向芝奇全球范围内的分销合作伙伴出货，预计将会在不久后上市。

2022年全球前5大内存厂家占了整体销售额的90%，前10总共占据了全球内存市场的96%，其中金士顿一家就占据了78%的内存市场，虽然营收较去年下降了5.3%，但依然稳居全球第一，而且他们的营收衰减算是较少的了。

第二名的是Ramaxel记忆科技，2022年营收增长超过90%，表现相当亮眼，他们在服务器领域有较大收获，PC OEM供货也稳定增长，但这种增幅的主要原因是2021年的衰退较大，如果剔除2021年的数据和前几年营收对比的话，去年的营收其实是比较合理的。

第三名是威刚，他们主要为消费级市场供货，虽然去年在积极布局工控、车用和电竞类高毛利产品，但现阶段占比还比较低，因此难以抵挡全球需求紧缩带来的影响，营收下降了10%。

其余厂家的表现请看下表：

说完了去年的事，接下来看看下季度内存和NAND闪存市场，预计今年第四季度移动内存合约价会出现13~18%的涨幅，eMMC和UFS的合约价也会涨10~15%，原因有几个方面，首先是三星扩大减产，美光的报价提升了20%，这奠定了同业涨价的信心。而需求市场方面，下半年本来就是传统销售旺季，再加上华为Mate 60系列的推出也刺激了国内手机品牌扩大生产目标，刺激了需求，带动第四季度移动内存和NAND闪存涨价。

预计2024年第一季度存储设备的涨价会持续，但由于是传统淡季和春节的影响，涨价幅度不会那么大，涨幅要视生产厂是否会保持保守的投资策略，以及消费市场的需求情况。

从测试的结果来看，无论是在1080p还是在1440p分辨率下，DDR5-6200和DDR5-7400二者在游戏性能上基本没有区别，DDR5-7400甚至还要略弱于DDR5-6200。

至于为何更高的内存频率为什么没有带来游戏性能的提升，很可能是因为DDR5-7400内存以1:2模式运行，使得IMC频率减半；此外较高频率配置的时序也较高，这些因素都可能导致其游戏性能没有提升。当然，高频内存也并非一无是处，DDR5-7400可以带来更大的总带宽，这也有利于未来桌面APU的核显更好地释放性能。