据Wccftech报道，一方面长鑫存储正在积极地开展HBM的开发工作，并尽快提升产能，另一方面长鑫存储及其供应链已经提前启动布局DDR6和LPDDR6，希望在三星和SK海力士建立市场优势之前，抢先切入市场，确保顺利过渡到下一代DRAM产品。

在DDR4和DDR5生产上，无需太多复杂的制造工艺。不过到了DDR6，由于需要多层设计，对封装基板的层数和工艺精度要求大幅提升，传统卷对卷工艺在成本与效率上已难以满足需求，面板级封装成为更好的选择。目前长鑫存储正在推进面板级生产方法落地，为下一代DRAM量产提前铺路。

传闻长鑫存储已完成LPDDR6的工程送样，速率可达12.8Gbps。另外DDR6预计在2028年至2029年之间实现商业化，长鑫存储也为此做好准备。随着三星与SK海力士将产能更多地转向HBM，加上传统LPDDR市场出现结构性短缺，为长鑫提供了发展窗口期。

据The Elec报道，三星、SK海力士和美光这些DRAM制造商最近已经与基板供应商协调DDR6内存模块的开发工作，包括厚度、堆叠结构和布线等。目前DDR6原型产品正在生产和验证当中，这部分工作也是在JEDEC固态技术协会监督下进行的。

JEDEC于2024年提供了DDR6初步草案，在性能和架构方面取得了重大进步。其转向多通道设计，采用4×24位子通道，有别于DDR5的2×32位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，当然也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。

预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6支持新的CAMM2标准，取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。

目前业界已经完成了向DDR5的过渡，去年在服务器市场的占比超过了80%，今年预计达到90%。原本JEDEC可以更早地发布DDR6标准规范，但是一些主要规格迟迟未能敲定，包括厚度、信号使用、功率范围和引脚设计等。随着DRAM制造商加速DDR6标准产品的开发，这一情况将有所改变，预计2028年至2029年之间实现商业化。

在2026至2028年，SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、12层和16层堆叠的HBM4E，还有定制款的HBM4E。在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存，面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND方面，他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD，企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD，以及面向移动设备的UFS 5.0闪存，面向AI市场有专用的高密度NAND。

在2029至2031年，SK海力士计划推出HBM5、HBM5E以及其定制版本，这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部，从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。

DRAM市场方面，线路图上出现了GDDR7-Next，并不是GDDR8，所以应该是GDDR7的升级版，目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps，而标准的上限是48Gbps，还有很大潜力可以挖掘，也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内，说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。

NAND方面，线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD，UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND，还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。

据TrendForce报道，包括三星、SK海力士和美光在内的DRAM制造商早已启动了DDR6的开发工作，专注于芯片设计、控制器验证和封装模块集成。目前已经完成DDR6原型芯片设计，正在与英特尔和AMD等内存控制器和平台厂商合作进行接口测试。

在产品支持方面，预计2026年起，将会有新款处理器开始支持DDR6，目标客户包括AI服务器、HPC系统和高端笔记本电脑。不过DDR6要真正进入大规模采用阶段，还要等到2027年。

JEDEC去年提供了DDR6初步草案，性能和架构方面取得了重大进步，正式规范很快会到来。DDR6将转向多通道设计，采用4×24位子通道，而DDR5目前是2×32位设置，这将会带来更好的并行处理、数据流和带宽利用率，尽管也对模块I/O设计和信号完整性提出了更高的要求。

预计DDR6的速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。同时DDR6采用新的CAMM2标准，取代长期使用的SO-DIMM和DIMM标准，提供了更高的带宽、更高的密度、更低的阻抗和更纤薄的外形尺寸，也解决了传统内存插槽的物理限制。

据Trendforce报道，JEDEC固态存储协会最近已确认，长期使用的SO-DIMM和DIMM内存标准将被CAMM2取代，用于DDR6和LPDDR6。预计JEDEC固态存储协会年内发布DDR6标准的初步草案，2025年第二季度公布正式的1.0规范，具体产品最快可能在2025年第四季度或2026年初到来。

目前DDR6的标准还没有最终确定，预计速率从8.8 Gbps起步，最高至17.6 Gbps，甚至可能扩展至21 Gbps。即便最后没有继续扩展，速率已经是DDR5的翻倍了。CAMM2作为一种全新的内存标准，同时支持DDR6，未来可适用于台式机等大型PC设备。

考虑到市场采用情况，业界认为DDR6采用新的CAMM2标准需要大规模更换现有生产设备，这将带来新的成本结构问题。据了解，一个CAMM2标准的32GB LPDDR6内存模块，价格约为500美元，是LPDDR5的五倍，相信DDR6也面临同样的问题。新标准在市场演进中的高成本问题，将很大程度限制DDR6或LPDDR6的大规模采用。

目前，三星、SK海力士、美光等上游厂商已经有一些支持CAMM2标准的内存产品。在下游品牌制造商中，联想和戴尔电脑也紧随其后，后者已于2023年在其企业产品线中引入CAMM2内存模块。

Computerbase已经从三星那里获得了新一代内存的各种信息，目前DDR5还处于生命周期的初期，频率普遍不是很高，不过随着时间的推移频率是会慢慢上去的，三星认为在不久的将来DDR5的频率就会提升到JEDEC标准的6400Mbps，而超频条的频率可达到8400Mbps，其实现在就已经有厂商把DDR5内存的频率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已经在早期开发阶段，未来用于取代DDR5，当然预计至少在2025到2026年后才会推出，DDR4内存至少用了6年，而DDR5到DDR6估计也会差不多的时间。

三星认为未来的DDR6内存的JEDEC标准会达到12800Mbps，而超频条的频率可能会到17000Mbps，甚至可能会突破20000Mbps，目前DDR6的标准各家目前还在一同讨论中，预计在2024年完成。每个模组DDR6内存的通道数和现在的DDR5相比再次翻倍，变成16bit*4，bank数量增加到最多64个。

显存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+计划，用于取代现有的GDDR6，三星计划在本月采用1znm开始试产GDDR6+，它的频率能到24Gbps，并会成为下一代GPU的配置，如果真能达到此频率的话拥有320/352/384bit显存位宽的显卡显存带宽就能超过1TB/s，而256bit的GPU的带宽也能到768GB/s。

至于新一代的GDDR7显存，预计可提供高达32Gbps的传输速度，并且会支持实时错误保护技术，但三星并没有对其进行详细说明。而HBM3内存，三星计划会在2022年第二季度开始投产，并表示速度会是800GB/s，将会用在未来的HPC和数据中心GPU/CPU系统中。

DDR5是新一代内存标准，相关规范去年已经公布了，三星、美光之前也宣布了旗下的16Gb DDR5内存了，三星去年甚至宣布了移动版的LPDDR5-6400内存了。SK Hynix去年宣布了16Gb DDR5号称是首个完全满足JEDEC标准的DDR5内存芯片，使用的也是1Ynm工艺，频率达到了DDR5-5200，带宽比DDR4-3200内存高了大约60%，是目前已宣布的DDR5内存中频率最高的，距离标准上限DDR5-6400MHz也没多远了。

至于DDR5的量产时间，SK Hynix明确表示他们会在2020年量产DDR5内存，也就是至少还有一年多时间。在SK Hynix之前，美光也宣布过DDR5内存量产计划，他们预计会在2019年底开始量产DDR5内存。总之，不论哪家内存芯片公司，量产DDR5内存的时间都不会很早，2020年才是起步时间。

但在技术研发方面，DDR5内存的工作是已经完成了，下一步就是DDR6内存了，韩国先驱导报援引SK Hynix公司内存研发人员Kim Dong-kyun的消息称，他们已经开始预研DDR6内存了，预计需要5-6年时间才能完成。

目前业界还没有统一的DDR6规范，SK Hynix方面提出了DDR6内存的两个方向，一个是继续目前不断提升频率/带宽的技术路线，另一个则是跟系统技术结合起来，比如跟CPU结合，目前都没有定论呢。

继续提高频率的话，DDR6内存的频率将达到12Gbps，比目前的DDR5内存标准上限DDR5-6400再翻一倍，带宽也会翻倍，意味着单条内存带宽能达到100GB/s。

不过现在说的这些依然只是DDR6内存技术的潜在选择，5年后内存市场变化会很大，DDR6标准依然是起步阶段，提升频率只是其中一个方向，未来3D堆栈的内存技术必然会对DDR内存发起挑战。