即将发布的LPDDR6更新计划，功能包括：

原本每个芯片有2个子通道，每个子通道有12条数据信号线 (DQ)，代表着LPDDR6的单个芯片位宽从上代的16-bit提升至24-bit，有更高的位宽。在更新计划里，每个子通道有12条数据信号线将减半至6条数据信号线，位宽也降至12-bit。这能让每个封装内容纳更多的芯片，且每个芯片和每个子通道对应的内存容量也更大，有利于部分AI工作负载。

更新计划里，LPDDR6还将支持灵活的元数据分离。这一技术旨在最大限度地减少对峰值数据吞吐量的影响，使数据中心客户能够根据其具体的可靠性要求来平衡用户对容量和元数据需求。

未来LPDDR6将支持512GB高密度系统内存容量，意味着超越当前LPDDR5/5X最高容量，以满足AI训练和AI推理工作负载不断增长的内存容量需求。

目前正在制定基于LPDDR6的SOCAMM2内存模块标准，推进紧凑、易于维护的内存模块形式，为LPDDR5X SOCAMM2之后的迭代提供清晰的升级路径。

另外JEDEC还在制定LPDDR6-PIM标准，作为现有LPDDR6路线图的补充，旨在满足边缘和数据中心推理工作负载快速提升的性能和能效需求。其实早在2024年，三星与SK海力士就开始推动LPDDR6-PIM标准的制定，并向JEDEC提交相关注册标准化文件。

今天SK海力士宣布，已成功开发出采用1cnm（第六代10nm级别）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM，最近也完成了全球首个相关认证工作。SK海力士计划在今年上半年完成量产准备，下半年开始供货，扩展其为AI应用优化的传统DRAM产品线。

新款16Gb LPDDR6 DRAM相比于现有LPDDR5X产品，性能得到了进一步提升。其10.7 Gbps的运行速度超过现有产品的最高速度，数据处理速度比上一代提高了33%，主要得益于带宽扩展和单位时间内数据传输量的增加。通过采用子信道结构和DVFS技术，功耗也较前一代产品降低了20%以上。

SK海力士表示，子信道结构仅选择性地运行必要的数据路径，DVFS技术的关键特性是能够根据移动环境动态调整频率和电压。在诸如高性能游戏等高要求的环境中，设备会提升DVFS级别以实现最大带宽，在常规使用时则降低频率与电压，从而有效降低功耗。

据TECHPOWERUP报道，SK海力士准备了计划推出的LPDDR6模块，容量为16Gb，采用了1cnm DRAM制造技术，速率为14.4Gbps，属于通用存储器产品系列，专为端侧AI场景进行了深度优化，相较前代产品在数据处理速度和能效方面实现了显著提升。这也是目前最快的LPDDR6模块，速度已经达到了现阶段JEDEC标准的上限。

此前三星也公布了旗下LPDDR6的规格，采用了12nm工艺制造，速率为10.7Gbps，适用于数据密集型移动应用程序、边缘计算和AI工作负载。这次三星准备的是速率12.8Gbps的LPDDR6模块，速度有所提升，容量同样是16Gb，由于制造工艺相比SK海力士落后一些，所以DRAM芯片面积也会略大一点。目前三星还在对LPDDR6进行改进，速率将进一步提升，预计提高至14Gbps。

近日有报道称，AMD打算让下一代Ryzen AI MAX系列，也就是代号“Medusa Halo”的芯片支持LPDDR6内存，以进一步提升内存带宽。与“Strix Halo”相同的256-bit内存位宽下，对应带宽从256 GB/s提高至460 GB/s，从而实现80%的提升。

近日三星在一份官方稿件内，公布了新款LPDDR6的规格，将采用12nm工艺制造，速率达到了10.7Gbps，具有更多的I/O通道数量，以最大限度地提高带宽，非常适合数据密集型移动应用程序、边缘计算和AI工作负载。

三星的LPDDR6还带有动态电源管理系统，可根据工作负载智能调整功耗，相比于LPDDR5X能效提升了约21%，意味着设备可以在减少五分之一的功耗下获得相同的带宽和速度。同时三星还引入了增强的安全机制来保护数据完整性，将其应用范围从移动领域扩展到工业和关键任务的AI环境。凭借其可扩展的跨平台架构和环保设计，LPDDR6在性能、节能和可靠性之间取得了强大的平衡，将成为未来智能系统必不可少的内存解决方案。

按照三星的说法，接下来LPDDR6的速率将进一步提升，达到14Gbps。在明年1月的CES 2026上，三星会公布更多LPDDR6的细节信息。

高性能

为了支持AI应用和其他高性能工作负载，LPDDR6采用双子通道架构，可实现灵活的操作，同时保持 32 字节的小访问粒度。此外，LPDDR6的主要特性包括：

每个芯片有2个子通道，每个子通道有12条数据信号线 (DQ)，代表着LPDDR6的单个芯片位宽从上代的16bit提升至24bit，有更高的位宽；每个子通道包含4个命令/地址(CA)信号，经过优化以减少焊球数量并提高数据访问速度；静态效率模式旨在支持高容量内存配置并最大化内存资源利用率；灵活的数据访问，动态突发长度控制，支持32B和64B访问；动态写入 NT-ODT（非目标片上终端）使内存能够根据工作负载需求调整ODT，从而提高信号完整性。

电源效率

为了满足日益增长的能效需求，LPDDR6采用比LPDDR5更低电压、低功耗的VDD2电源供电，并强制使用两个VDD2电源。其他节能特性包括：

交替时钟命令输入用于提高性能和效率；低功耗动态电压频率调节(DVFSL)可在低频运行期间降低VDD2电源，从而降低功耗；动态效率模式利用单个子通道接口实现低功耗、低带宽用例；支持部分自刷新和主动刷新，以减少刷新功耗。

安全性和可靠性

与该标准的先前版本相比，安全性和可靠性的改进包括：

每行激活计数(PRAC)支持DRAM数据完整性；隔离元模式通过为关键任务分配特定内存区域来提高整体系统可靠性；支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）；能够支持命令/地址(CA)奇偶校验、错误清除和内存内置自检 (MBIST)，以增强错误检测和系统可靠性。

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示：

“JEDEC非常荣幸地推出LPDDR6，这是JC-42.6低功耗存储器分委员会成员多年辛勤努力的结晶。LPDDR6在能效、强大的安全选项和高性能之间实现了平衡，是下一代移动设备、人工智能及相关应用在注重功耗和高性能的世界中蓬勃发展的理想选择。”

据Wccftech报道，第二代骁龙8至尊版不但支持LPDDR5X，还会支持新一代LPDDR6，将为低功耗设备带来更高、更快和更高效的性能。这种说法其实在更早之前就已出现过，只不过对象是当时还没有推出的骁龙8至尊版，看起来第二代产品是跑不掉了。另外GPU独立缓存将从12MB提高到16MB，预计性能提升30%。

第二代骁龙8至尊版采用了高通新的自研CPU架构，代号“Pegasus”，可能支持Arm的SME，也就是可伸缩矩阵扩展，传闻性能提升幅度达到25%。有消息称，第二代骁龙8至尊版的整体成绩相比骁龙8至尊版提高了40%以上，这是一个相当大的提升幅度。

目前外界对LPDDR6的规格知之甚少，除了提高数据传输速率外，不知道还会有哪方面的改进。按照现在业界的发展趋势，对人工智能（AI）方面的优化是必不可少的。去年有传言称，JEDEC固态存储协会在2024年第三季度最终确定下一代LPDDR6标准的规格，但直到现在，还没有确切的信息。

据Wccftech报道，虽然第三代骁龙8和天玑9300一样，通过了LPDDR5T的验证，但是高通在今年的第四代骁龙8上并不打算这么做，很可能早于联发科和苹果等其他竞争对手，直接支持LPDDR6，利用更高的带宽，不但能进一步提升定制Oryon内核的性能，还能更高效地运行大型语言模型（LLM）。

不过这并不意味着LPDDR6会成为第四代骁龙8的标配，具体采用什么内存类型还是要看厂商的安排，出于成本等因素的考虑，或许会选择搭配LPDDR5x。无论如何，支持新一代LPDDR6可能成为第四代骁龙8的其中一个卖点，如果厂商的产品想定位于更高端的市场，需要最新的技术加持。以目前的情况来看，苹果今年的A18 Pro不会支持LPDDR6，这多少让高通增加了竞争的筹码。

目前外界对LPDDR6的规格知之甚少，除了提高数据传输速率外，不知道还会有哪方面的改进。由于LPDDR5T的速率已达到9.6Gbps，理论上LPDDR6不会低于这个数字。有业内人士表示，LPDDR6将会在2025年下半年起被广泛使用。

LPDDR6将取代现有的LPDDR5，过去几年里，三星和美光还带来了LPDDR5x，而SK海力士也提供了LPDDR5T，速率提升已至9.6 Gbps，这些低功耗DRAM也成为了智能手机和各种轻薄设备的理想选择。去年末，JEDEC推出了CAMM2标准，提供了新的内存模块设计，其中搭载LPDDR5(x)的LPCAMM2内存模块为小型化设备带来了更大容量的可升级选项，估计LPDDR6也会支持同样的设计。

目前外界对LPDDR6的规格知之甚少，除了提高数据传输速率外，不知道还会有哪方面的改进。按照现在业界的发展趋势，对人工智能（AI）方面的优化是必不可少的。一旦标准确定，相信三星、SK海力士和美光等DRAM制造商就会马上跟进，全面参与到LPDDR6新产品的开发和生产中。此前有报道称，高通今年的第四代骁龙8平台将支持LPDDR6，以进一步提升定制Oryon内核的性能。

不过以业界过往的情况来看，不太可能今年底看到设备采用LPDDR6，预计要等到2025年底或2026年初。

目前三星的LPDDR5和LPDDR5X之间，存在30%的带宽差距，同时还有着20%的功耗差异，而LPDDR6显然会更有优势，对于旗舰智能手机而言会更高效。三星正走在LPDDR6技术的最前沿，虽然暂时还不清楚LPDDR6的具体标准或者技术指标。

据了解，第四代骁龙8的CPU部分将采用2+6架构，以两个代号“Nuvia Phoenix”的性能核搭配六个代号“Nuvia Phoenix M”的能效核，有泄露的测试成绩显示，在Geekbench 5的多线程基准测试中的成绩甚至超过苹果的M2芯片。

最近有报道称，高通未来骁龙8平台或采用双代工厂策略，分别为台积电N3E工艺和三星的3nm GAA工艺，有可能在2024年年初实现。常规版本的第四代骁龙8芯片采用台积电N3E工艺制造，而三星3nm GAA工艺制造的版本有可能称为“Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy”，专门用于Galaxy S25系列智能手机。