Fudzilla报道称，Intel公司发言人Chuck Mulloy表示，450mm晶圆在Intel公司路线图上的位置没变，他们预计在这个十年的晚些时候量产，这需要整个业界联合起来努力。此前世界最主要的半导体设备供应商之一ASML公司决定停止开发用于450mm晶圆的新一代设备。

为了开发450mm晶圆制造设备，Intel此前已经向ASML公司投资41亿美元，三星、TMSC台积电也分别投资了数亿美元给ASML。

据悉，Intel的450mm晶圆正在纽约州立大学纳米科学及技术中心开发，不过现在确实遇到一些困难。Intel表示将会继续向ASML公司投资，2014年的资本投入并没有变化，他们会继续跟业界伙伴合作推进450mm晶圆。

　　在昨天的财报会议上，有分析师就450mm晶圆升级的问题询问了Intel，CEO卡兹安尼克回应称Intel 450mm晶圆工艺的计划正如期进行，并没有任何改变。目前Intel在纽约联合、TSMC、三星及ASML等公司一起开发450mm晶圆，预计将在这个十年内的后五年应用。

　　450mm晶圆直径比目前的300mm晶圆高了50%，面积提高了125%，产能将达到300mm晶圆的2倍多，但是450mm晶圆的研发投入及困难都相当大，此前ASML公司给出的进度表显示它要等到2018年才能成熟，TSMC和Intel预计都在2017年开始进入450mm晶圆阶段。

　　TSMC在2010年的R&D研发费用是10亿美元，2012年的研发费用是13.6亿美元，今年增加到了15亿美元，未来几年还会继续增长。这些费用很大一部分都用于开发未来更先进的16nm、10nm制程工艺，TSMC预计在明年开始生产16nm FinFET工艺。

　　根据此前及TSMC日前披露的消息，TSMC今年底将开始小幅试产20nm工艺，CEO张忠谋表示在2014年会开始大规模量产20nm工艺。

　　目前的主流还是28nm工艺，而且28nm工艺并不会停滞不前，TSMC还在努力扩大相应的产能，预计到今年底将达到（每月）10万片等效300mm晶圆的水平，是2012年产能的三倍之多。

　　至于450mm晶圆，TSMC在2017年会启动相关的工厂建设工作，但是真正的量产恐怕还得等几年，因为提供关键半导体制造设备的ASML公司预计2018年才会正式量产。

　　2012年Q4季度净销售额10.23亿欧元，比上一季度的12.29亿欧元有所下降，新出货的设备数量也只有25套，146套的全年出货数量也低于去年的195套。

　　ASML解释说这是全球经济疲软所致，而这个结果已经是公司史上第二高水平的了。

ASML的NXE：3100 EUV光刻设备

　　财报数据不去管了，这个不是文章的重点。ASML在新闻中提到了EUV光刻设备的进展，EVU样品设备NXE:3100已经与合作伙伴生产了超过30000片晶圆，成功帮助晶圆厂试制了后14nm的逻辑电路以及后22nm制程的DRAM电路。

　　首批量产版的EUV设备型号为NXE:3300B，将在今年Q2季度出货，预计今年可出货11台，仅此一项产值将达到7亿美元。此外，到2014年时NXE：3300B的生产能力将提升到每小时70片晶圆，并且可以用于14nm以内的工艺生产。

　　还有一个关键之处就是450mm晶圆，ASML的研发团队预计将在2016年试产，2018年正式量产，从现在说起来至少还要5年了。

　　下一代半导体制造工艺研发和生产投资都是天文数字，ASML自己也撑不住了，去年开始出售股份以获得投资，计划出售25%的股份，其中Intel投资41亿美元获得15%股份，TSMC台积电获得了5%股份，三星获得了3%股份。

　　至于EUV光刻技术，按照ASML目前已经试产6台的NXE:3100 EUV光刻系统的来说，使用11W光源则每小时最多产出7块晶圆。同时有实验数据证明，如果可以换成采用30W光源的NXE:3300B系统的话，每小时最高的晶圆产量将提升至18块。而ASML的目标则是实现105W光源下每小时69块晶圆，并在2014年投入商用。

　　台积电老大张忠谋表示，EUV光刻技术以及450mm晶圆对降低产品成本有很大作用，就算10nm工艺用不上，也必须在7nm制程中使用。而按照目前业界的消息来看，英特尔已经计划在10nm工艺中引进450mm晶圆，想来台积电也不会落后多少。

　　有行业分析师指出，目前能投资300mm晶圆的厂商仍然很少，因此晶圆设备供应商并不愿意提供相关的资源。实际上，300mm晶圆的生产并不是问题，但是出于经济形势的考虑，除了台积电等几家实力雄厚的厂商，其它晶圆厂仍然处于观望状态，谁也不敢贸然投产。

　　消息来源：[DigiTimes]