SK海力士的128层TLC NAND闪存提供了高达1Tb的容量，在1.2V的电压下可实现1400Mbps的数据传输速率，可以实现高性能低功耗的移动解决方案及企业级SSD。而1Tb的容量可以在更少的芯片数量下实现相同的容量。

相比于96层TLC NAND闪存，采用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技术以及各种优化使得SK海力士能将工艺步骤减少5%，并且每个晶圆的产量提升40%。

SK海力士称这是首款批量生产的128层 1Tb TLC 4D NAND闪存芯片，而这也仅离SK海力士批量生产96层4D NAND闪存芯片8个月，足以见得其研发实力。新款的3D TLC闪存芯片提供目前最多的128层堆叠，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一个将1Tb TLC NAND闪存商业化的厂商。TLC闪存芯片也占据了目前85%的市场份额，其性能及可靠性也更加优异。

到明年上半年，SK海力士承诺将基于新的1Tb 3D TLC闪存芯片推出UFS 3.1存储产品，而到了2020年晚些失火，SK海力士还会推出采用自己控制器的2TB消费级SSD以及用于数据中心的16TB及32TB的服务器SSD。

而SK海力士的脚步还没有停下来，已经在开发176层的4D NAND闪存，继续增强其产品竞争力。

由于NAND闪存价格的下跌及供需关系不确定导致了各家厂商都开始加速技术升级，提升其成本结构。更高层数的NAND闪存也会使SSD容量更大，消费者也能够购买到更大容量的SSD。

一些主要的NAND闪存芯片制造商已经针对2020上半年量产提供了128层3D NAND新品样品。根据Techpowerup报道，东芝、西数已经有计划推出128层3D TLC工艺的NAND芯片。而厂商加强120/128层NAND闪存的研发及加速量产的原因还是来因为NAND闪存价格的持续下跌及供求关系不确定导致其因成本原因加速技术升级。提升其成本结构。

根据此前的报道，包括三星、美光、等一线NAND芯片大厂在营收方面都大幅下降，这也严重削弱了NAND芯片制造商的盈利能力。一些厂商在此前通过削减产量及投资等方法来稳定NAND闪存价格，但这种努力几乎没有奏效，因为64层的3D NAND工艺已经是一项成熟的技术，而64层3D NAND芯片处于供过于求状态。而同时Digitimes在报道中也说到芯片制造商的90/96层3D NAND工艺技术的收益率仍然不稳定。

图片来自TrendForce

不过在此前TrendForce的报道中，主流NAND芯片供应商都将在2020年推出128层的3D NAND芯片，同时在报道中称长江存储也将会跳过72/96层3D NAND，直接生产128层闪存，所以即使到2020年整个NAND芯片市场都可能存在很多变数。

NAND闪存从2D进入3D时代之后，堆栈层数成了提高容量、降低成本的一个重要指标，三星、东芝、美光、SK Hynix、英特尔等公司已经先后量产了24/32层、64/72层及96层堆栈的3D NAND闪存，其中96层堆栈的3D闪存是今年推出的，2019年会是几家NAND大厂的量产主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb级别。

相比这些公司，主力搞3D闪存的长江存储今年生产的还是32层堆栈的，核心容量仅为64Gb，月产能大概是6000片晶圆/月，主要用于U盘芯片等低端产品。按照规划，长江存储2019年将会量产64层堆栈的3D闪存，Digitimes报道称长江存储CEO杨士宁表示2019年底开始生产64层堆栈的3D NAND闪存，公司的毛利率将从负的转向正的，量产之后产能可达10万片晶圆/月。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，不过长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储对Xtacking技术也很自信，所以杨士宁表示他们的64层3D NAND闪存能够与现有的96层堆栈3D闪存相竞争。

在此之后，长江存储在2020年会跳过96层堆栈直接进入128层堆栈的3D NAND时代，那个时候三星等国际公司大概也是刚刚量产128层堆栈的3D闪存，至少技术层面上不会再落后太多了。

对于国内的存储芯片公司来说，即便技术差距缩短了，如何在这个市场中活下来依然是长期的难点，产能爬坡、良率等问题对没有多少经验的国内存储公司来说还需要很多时间才能解决，更别说制造出有竞争力、能赚钱的NAND芯片了。