现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。

现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。

SK海力士的128层TLC NAND闪存提供了高达1Tb的容量，在1.2V的电压下可实现1400Mbps的数据传输速率，可以实现高性能低功耗的移动解决方案及企业级SSD。而1Tb的容量可以在更少的芯片数量下实现相同的容量。

相比于96层TLC NAND闪存，采用CTF（Charge Trap Flash）及PUC（Peripheral Under Cells）技术以及各种优化使得SK海力士能将工艺步骤减少5%，并且每个晶圆的产量提升40%。

SK海力士称这是首款批量生产的128层 1Tb TLC 4D NAND闪存芯片，而这也仅离SK海力士批量生产96层4D NAND闪存芯片8个月，足以见得其研发实力。新款的3D TLC闪存芯片提供目前最多的128层堆叠，而且容量提升到1Tb，SK海力士也是第一个将1Tb TLC NAND闪存商业化的厂商。TLC闪存芯片也占据了目前85%的市场份额，其性能及可靠性也更加优异。

到明年上半年，SK海力士承诺将基于新的1Tb 3D TLC闪存芯片推出UFS 3.1存储产品，而到了2020年晚些失火，SK海力士还会推出采用自己控制器的2TB消费级SSD以及用于数据中心的16TB及32TB的服务器SSD。

而SK海力士的脚步还没有停下来，已经在开发176层的4D NAND闪存，继续增强其产品竞争力。

由于NAND闪存价格的下跌及供需关系不确定导致了各家厂商都开始加速技术升级，提升其成本结构。更高层数的NAND闪存也会使SSD容量更大，消费者也能够购买到更大容量的SSD。

根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。