官方称，这座新建NAND闪存工厂有能力生产基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术构建的218层NAND闪存，采用了双方合作开发的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，以及未来先进的3D NAND闪存节点，以满足人工智能（AI）驱动下日益增长的存储需求。

Fab 2采用了抗震建筑结构，对内部进行了优化，节省出更多的空间，以扩大洁净室中制造设备的可用空间。里面安装了最先进的节能制造设备，并通过人工智能驱动来提高生产效率。根据2024年2月批准的计划，这次Fab 2的部分投资得到了日本政府的补贴。

公告称，铠侠和闪迪已经成功地建立了20多年的合资伙伴关系，未来将继续共同开发3D NAND闪存，并根据市场趋势进行资本投资，最大限度地提高协同效应和市场竞争力。此外，还将致力于抓住闪存市场机遇，让合作的客户能够充分利用人工智能带来的增长机会。

据TrendForce报道，铠侠（Kioxia）将与英伟达合作，为AI服务器量身定制SSD，旨在部分取代HBM作为GPU显存的扩展器。目前铠侠正在根据英伟达提出的要求和建议推进项目的开发，将支持PCIe 7.0标准，预计2026年下半年将提供首批样品，2027年推出这款AI SSD。

在传统设计上，SSD要通过CPU与GPU连接，但是这款AI SSD将直接连接GPU，以实现更快的数据交换。AI SSD的随机读取性能预计将提升至1亿 IOPS，可加速GPU的数据处理速度，相比于传统SSD的读取速度提升了100倍。不过这并非最终的设计指标，有消息人士透露，英伟达的目标性能是达到2亿 IOPS，而铠侠打算通过两块AI SSD协同运作来达到这一速度。

铠侠表示，预计到2029年，接近一半的NAND闪存需求都与AI有关。按照现在的趋势，2026年末至2027年初之间，市场可能会迎来下一次NAND闪存供应短缺。

新型车用UFS 4.1闪存基于218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术，采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，在功率效率、性能和密度方面取得重大进展，同时内部设计的主控芯片提供支持，可选128GB、256GB、512GB和1TB容量，符合AEC-Q100/1044 Grade-2标准，以满足信息娱乐、ADAS、远程信息处理、域控制器和车载计算机的使用需求。

新产品符合UFS 4.1规范，其中包括WriteBooster相关的扩展，如WriteBooster缓冲区大小调整和固定部分刷新模式，为最佳性能表现提供了更好的灵活性。铠侠加入了增强的诊断功能，包括新添加的特定于供应商的设备运行状况描述符，简化了设备状态监视和预测性维护。此外，新产品还向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

相比于上一代车用UFS 3.1闪存，新的512GB UFS 闪存可以提供：

2.1倍顺序读取性能 

2.5倍顺序写入性能

2.1倍随机读取性能

3.7倍随机写入性能

铠侠表示，车用UFS 4.1闪存带来的改进可在数据密集型汽车环境中提供了响应更快的用户体验。

铠侠继续追求双轴战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，提供最佳的投资效率。这两条线路包括：

第九代BiCS FLASH产品 - 通过CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术降低生产成本，以实现高性能，将现有存储单元技术与最新CMOS技术相结合。

第十代BiCS FLASH产品 - 增加了存储层的数量，以满足未来对更大容量、高性能解决方案的预期需求。

第九代BiCS FLASH 512Gb TLC闪存与铠侠的相同512Gb容量的BiCS FLASH产品相比，有明显的性能改进，最高连续读取和连续写入速度分别提高了12%和61%，读写操作效率分别提高了27%和36%，Toggle DDR6.0接口实现了3.6Gb/s的高速NAND接口性能，另外通过平面微缩技术将存储密度提升了8%。

此外，铠侠还证实了512Gb TLC在演示环境下NAND接口速率可达4.8Gb/s。

铠侠表示，将致力于加强其全球合作伙伴关系并追求进一步的创新，以继续提供满足客户多样化需求的最佳解决方案。

新产品搭载了32个BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片，采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，支持下一代数据中心工作负载所需要的速度、规模和密度。利用先进的闪存架构及CBA技术，使得每个小型154 BGA封装的容量达到了8TB，为业界首创。

铠侠LC9系列SSD的亮点包括：

EDSFF E3.L及2.5英寸外形尺寸，245.76TB容量。

EDSFF E3.S外形尺寸可提供122.88TB容量。

与OCP数据中心NVMe SSD 2.5规范兼容（并非所有要求）。

多种安全选项，包括SIE、SED和FIPS SED。

采用CNSA 2.0签名算法，在设计时考虑了未来的量子安全标准。

灵活的数据放置（FDP）支持，可最大限度地减少写入放大，并延长SSD的使用寿命。

符合NVMe 2.0、NVMe-MI 1.2和PCIe 5.0规范，提供了1×4和2×2两种PCIe通道配置方式，最大128GT/s。

搭载BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，采用了CBA技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起。

铠侠表示，LC9系列SSD已向特定客户提供样品。

新款UFS 4.1闪存采用了铠侠BiCS8 FLASH 3D闪存芯片，结合开创性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，提供了突破性的性能、效率和容量，集成在JEDEC标准封装中。

主要功能包括：

提供了256GB、512GB和1TB容量可选。

相比上一代产品，512GB和1TB的随机写入性能提升了约30%，随机读取性能分别提升了约45%和35%。

相比上一代产品，512GB和1TB的读取速度提升了约15%，读取速度提升了约20%。

主机启动碎片整理支持延迟垃圾收集，以便在关键时刻实现不间断的快速性能。

WriteBooster缓冲区大小调整为最佳性能，提供了更好的灵活性。

支持UFS Ver. 4.1标准。

与上一代产品相比，1TB型号的封装高度降低。

使用铠侠BiCS8 FLASH 3D闪存芯片。

铠侠表示，新款UFS 4.1闪存融合了速度和低功耗，旨在增强用户体验，即实现更快的下载和更强的性能。

铠侠表示，CD9P系列采用了铠侠迄今为止最先进的3D NAND闪存，基于CBA的架构，可减少热量产生，增强热管理，并通过提高性能和功耗指标以及总拥有成本来提供更大的整体价值。与上一代产品相比，CD9P系列在随机写入、随机读取、连续读取和连续写入速度方面的性能，分别提高了约125%、30%、20%和25%。另外每瓦功耗的性能也有不同程度的提升，顺序读取提高了约60%、顺序写入提高了约45%、随机读取提高了55%、随机写入提高了100% 。

符合PCIe 5.0、NVMe 2.0和NVMe-MI 1.2c规范

与OCP数据中心NVMe SSD 2.5规范兼容（并非所有要求）

2.5英寸（15mm厚度）和EDSFF E3.S外形尺寸

1DWPD读取密集型和3DWPD混合读写型两种耐久度等级

顺序性能（128 KiB/QD32）- 读取速度为14.8 GB/s，写入速度为7 GB/s。

随机性能 （4KiB） - 2,600 KIOPS（QD512）和750 KIOPS（QD32）

2.5英寸外形最大61.44TB，E3.S外形最大30.72TB

铠侠表示，已经向特定客户提供CD9P系列PCIe 5.0 NVMe SSD的样品。

随着现代计算需求的加剧，人工智能（AI）、机器学习（ML）和高性能计算（HPC）等应用需要复杂的固态存储基础设施。不仅需要企业级性能，还需要更高的功率效率，以确保可扩展性和可控的运营成本。满足这些要求是CM9系列的设计核心，专门针对下一代数据中心工作负载而设计。

符合PCIe 5.0、NVMe 2.0和NVMe-MI 1.2c规范，与OCP数据中心NVMe SSD 2.5规范兼容。

双端口2.5英寸和E3.S SSD外形尺寸。

1DWPD读取密集型和3DWPD混合读写型两种耐久度等级。

顺序性能（128 KiB/QD32）- 读取速度为14.8 GB/s，写入速度为11 GB/s。

随机性能 （4KiB） - 3,400 KIOPS（QD512）和800 KIOPS（QD32）

2.5英寸外形最大61.44TB，E3.S外形最大30.72TB

铠侠表示，已经向特定客户提供CM9系列PCIe 5.0 NVMe SSD的样品。

新款原型设计通过结合AIO Core的收发光模块，以及京瓷株式会社的OPTINITY光电集成模块技术，实现了高速PCIe 5.0标准接口的功能操作，带宽是上一代PCIe 4.0标准的两倍。在下一代绿色数据中心中，通过光接口取代电气布线接口，利用宽带光学SSD技术，在保持能源效率和高信号质量的同时，显著增加了计算设备和存储设备之间的物理距离。此外，这种设计还有助于提升数据中心系统设计的灵活性和效率。

铠侠、AIO Core和京瓷株式会社的三方合作也是日本“下一代绿色数据中心技术开发 ”项目JPNP21029的成果，由日本新能源·产业技术综合开发机构（NEDO）资助，隶属于“绿色创新基金项目： 下一代数字基础设施建设”。在该项目中，各公司将开发新一代技术，以实现比现有数据中心节能40%以上的目标。

铠侠美国公司高级副总裁兼SSD业务部总经理Neville Ichhaporia表示：“AI工作负载正在突破数据存储的界限，需要更高的容量和更快地访问驻留在当今数据湖中的大量数据集，铠侠新款LC9系列NVMe SSD可以加速AI模型训练、推理、以及检索增强生成（RAG）。”

铠侠LC9系列SSD的亮点包括：

双端口2.5英寸SSD外形尺寸，122.88TB容量，耐久度等级为0.3 DWPD。

符合NVMe 2.0、NVMe-MI和PCIe 5.0规范，提供了1×4和2×2两种PCIe通道配置方式。

搭载BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，采用了CBA技术，单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆，然后粘合在一起。

新款SSD补充了最近发布的AiSAQ技术，通过将矢量数据库元素存储在SSD上，而不是成本高昂、容量有限的DRAM上，从而为RAG提供可扩展的性能。与容量较小的SSD相比，AiSAQ技术提高了存储密度，降低了每TB功耗，最终提高了系统和机架级效率。

据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技术，将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。这不是什么新鲜事，毕竟在第八代BiCS FLASH闪存技术上就已经这么做了。不过亮点在于，铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议，将NAND I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps。

速度的提升还有部分原因在于NAND闪存层数的增加，从第八代BiCS FLASH闪存技术的218层增至332层，总层数增加了38%。优化平面布局后，位密度提升了59%，进一步增强了存储密度。铠侠曾表示，到2027年制造总层数达到1000层的3D NAND闪存，显然322层比起来仍然有较大距离。

此外，新一代3D NAND闪存还引入了PI-LTT技术，从而降低了功耗，其中数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%。铠侠首席技术官宫岛秀表示，随着人工智能（AI）技术的普及，预计产生的数据量将大幅增加，因此现代数据中心对提高能效的需求也在增加。

同时在第三财季里，铠侠的营业利润为1230亿日元（约合人民币58.93亿元），环比下降了7.2%；营业利润率为27.3%，相比前一财季降低了7.7个百分点；净利润为763亿日元（约合人民币36.56亿元），环比下降5.2%；净利润率为17%，相比前一财季降低了5个百分点。此外，铠侠在该财季中无论NAND闪存位元出货量还是平均售价（ASP）都出现了环比个位数的下降。

纵观2024财年的前三个财季，铠侠累计营收为13594亿日元（约合人民币651.32亿元），相比上一财年的7545亿日元增长了80.2%；营业利润为4156亿日元（约合人民币199.12亿元），上一财年同期营业亏损2982亿日元；净利润为2527亿日元（约合人民币121.07亿元），上一财年同期净亏损2551亿日元

展望2024财年第四财季，铠侠预计营收在3150亿至3450亿日元之间，营业利润在170亿至390亿日元之间，净利润在20亿至160亿日元之间。随着存储器市场需求下降，铠侠第四财季的整体表现比起第三财季会出现进一步下滑。

据TrendForce报道，铠侠总裁兼首席执行官Nobuo Hayasaka表示，正敦促贝恩资本和东芝出售更多股份，以满足继续上市的要求。据了解，东京证券交易所要求上市公司必须确保在五年内至少有35%的股份公开交易，而目前铠侠的公开交易股份比率为28%。铠侠计划未来三年内增发股份，目标2030年之前达到35%的门槛。

值得注意的是，铠侠在首次公开募股后，竞争对手SK海力士已经晋升为铠侠第三大股东，持有14%的股份。铠侠在2018年6月从东芝独立出来，目前是全球第三大NAND闪存制造商，2024年第三季度占据了15.1%的市场份额，仅次于三星（35.2%）和SK海力士（20.6%）。

除了要继续满足上市要求外，Nobuo Hayasaka还强调了铠侠要通过加强面向人工智能（AI）应用的NAND闪存产品提高盈利能力，目标是这一细分领域将市场份额翻倍，未来两到三年内从9%提升至17%。

铠侠是目前全球第三大NAND闪存制造商，2018年6月从东芝独立出来。原本铠侠打算在今年10月上市，不过投资机构以半导体市场复苏缓慢为由，要求其大股东私募股权公司贝恩资本将铠侠首次公开募股目标估值下调。铠侠选择暂时放弃后，在今年11月初又传出计划首次公开募股的消息，采用日本新的首次公开募股流程，从而缩短从批准到公开上市的时间。铠侠也是首个采用新流程的公司，预期估值为7500亿日元，协调人包括摩根士丹利、野村证券和美银证券。

7500亿日元的估值比起最初设定的1.5万亿日元的目标估值有着相当大的差距，贝恩资本最后还是选择了妥协。由贝恩资本牵头的投资者集团持有约56%的铠侠股权，东芝持有约41%。铠侠上市后，贝恩资本和东芝都打算逐步减少持股比例，以回收资金。