这个三星850 120GB产品型号是MZ-7LN120，之前曝光的860系列型号则是MZ-7LH***，两者只有一个字母之差，从三星给出的规格参数来看它与小容量的850 EVO相近，都是使用MGX主控，都有256MB的缓存，使用3D V-NAND TLC，用的是第几代倒是没说，有可能是最新的第三代64层的，850 120GB的最大连续读写速度为540/520 MB/s，最大4K随机读写IOPS为70,000/88,000，而4K QD1随机读写则为10,000/40,000。

现在的850 EVO 120GB的性能参数则为：连续读写540/520 MB/s，最大4K随机读写IOPS 94,000/88,000，而4K QD1随机读写则为10,000/38,000。可见850 EVO相对来说还是要强一点，不过两者的区别确实不大，850目前京东售价为458元，与750 EVO 120GB的定价相近，不过只提供3年的质保，850 EVO的质保期则为5年，有趣的是850 120GB有100TBW，而850 EVO 120GB只有75TBW。

另外提一下的是三星750 EVO系列已经从官网上消失了，估计这货已经停产，京东上这系列产品也全线缺货，而无印的850系列应该是用来替代750 EVO现在的位置的，未来的860系列则会取代现在的850 EVO，至于850 PRO有没有后续产品这个就难说了，现在使用MLC闪存的高端SATA SSD位置真的是很尴尬。

SuperNOVA P2系列拥有80Plus白金牌认证，在115Vac下可以达到92%的效率，220~240Vac的环境下可以达到94%的效率，其他方面的特征，和EVGA的其他高端产品同样具备了黑色火山灰外壳、全模组接线设计、全日系电容和双滚珠风扇（支持ECO温控），更重要一点，SuperNOVA P2也拥有长达10年的质保年限，这一点算是业界领先。

美国FRYS网店上已经开始接受三星850 Evo硬盘的预售，目前曝光的是1TB版，SATA III接口，2.5寸7毫米厚度，读取速度550MB/s，写入速度520MB/s，读取速度比840 Evo的540MB/s提高了10MB/s，写入速度则是一样的。

三星的850 Evo升级重点显然不是性能方面的，目前的840及840 Evo都是TLC闪存，而850 Evo虽然也是TLC闪存范畴，不过它跟850 Pro一样会使用三星的V-NAND工艺，初代、二代V-NAND工艺的叠加层数分别是24、32层，不需要太先进的工艺就能实现大容量，850 Pro使用的就是40nm工艺，好处则是写入寿命更高，所以三星850 Evo的写入寿命会是一个关键卖点。

不过850 Evo的价格也延续了三星的风格，目前1TB版的850 Evo预售价为499.99美元，折合人民币大约3057元，价格比429.99美元的840 Evo 1TB略高，但大大低于850 Pro的699.99美元，不过美国商场列出的价格通常是不含税的，所以3000元的价位到了国内恐怕要上升到4000+，而三星840 Evo 1TB国内行货的价格是3599元，850 Pro 1TB的价格是4999元，美光M500的价格是3299元，仅供参考。

三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存，当时是24层堆栈，今年5月份推出了第二代V-NAND闪存，堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存，不过这个还是MLC类型的，制程工艺为40nm，所以可以兼顾性能和可靠性，10年质保。

TLC闪存相比MLC闪存成本更低，三星显然也会极力推动TLC规格（忘了说了，三星官方不提TLC这个字眼，而是叫做3bit MLC，至于原因大家都懂）的V-NAND闪存量产，之前已经确认了，TLC V-NAND闪存也是第二代技术，32层堆栈，单颗核心容量128Gb，不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平，如果维持MLC V-NAND的40nm工艺，那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能，现在双管齐下，三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比，TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

三星现在已经量产TLC V-NAND闪存，不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。

在IFA展会上大家关注的焦点都是数码产品，不过三星确实也展示了850 Evo硬盘，宣称这是世界首款3bit 3D V-NAND硬盘，当然三星的3bit闪存实际上就是我们常说的TLC闪存，他们就是觉得TLC名称已经被玩坏了。

三星在描述中提到850 Evo硬盘优化了性能，改善了PC的生产力，而通过3D V-NAND还提升了产品的耐用性，这是之前大家对TLC闪存最不放心的地方。

TLC闪存的性能与可靠性一直是争议的焦点，三星虽然没有公布具体的数据，但看起来850 Evo在这两点上相比目前的840 Evo会更好，他们的底气主要还是来自V-NAND这种技术。

我们都知道理论上MLC闪存性能和可靠性高于TLC闪存，3D V-NAND的MLC也要好于V-NAND的TLC，但3D V-NAND的TLC在性能及可靠性并不见得输给普通的MLC，因为V-NAND这种3D闪存与传统NAND有所不同，详情可以参考之前的V-NAND技术解析，通过多层堆叠，V-NAND闪存不仅容量提升了，而且不依赖更先进的制程，闪存的性能和可靠性提升了，目前三星的V-NAND技术已经发展到了第二代了。

在前不久三星的SSD全球会议上，Techreport得知三星有计划推出3bit V-NAND，只不过三星在透露消息方面一贯很小气，就是不肯说具体细节，不过TR表示在第二代V-NAND发布会上三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘，或许指的就是这个TLC版的V-NAND闪存。具体命名也不确定，不过惯例可能会用850或者850 EVO这样的名字。

虽然TLC名声不是很好，但是TLC闪存对提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的问题可以通过其他方式弥补，比如三星的840 EVO就使用了SLC缓存的方式改善了写入速度，所以只要技术成熟，NAND厂商们还是会上TLC闪存的，三星起了头，美光很快也会跟进。

此外，V-NAND技术在某种程度上也能改善TLC闪存的缺点，立体多层堆叠的封装使得TLC闪存对制程的要求没有这么高了，还可以减少干扰，这也有助于改善写入性能。

总之，不管某些用户是否接受TLC闪存，三星力推的态度是改不了的，特别是有了V-NAND技术的辅助之后，TLC闪存的一些缺点更有了明显改善，三星迟早会推TLC版的V-NAND闪存，快的话今年底就能见到850 EVO这样的产品了。

可以预想，一旦TLC闪存的V-NAND硬盘上市，届时又免不了引起很多争议。TLC闪存理论上寿命会少很多，不过新技术的进度也不可阻挡，对TLC闪存唯一的质疑应该是：如果它的成本比MLC更低，为何市面上的TLC硬盘相对MLC硬盘并没有价格优势呢？三星解决了这个问题才更有利于TLC闪存为人广泛接受。

CES展会前夕，Legitreviews网站跟三星公司有过交流，他们谈到了三星计划在国内投资数十亿美元建NAND厂的事。三星去年的SSD产品并没有怎么降价，但是得益于中国工厂的事，今年预计会有所改变，三星希望NAND进一步降价，并为消费市场带来更多廉价的SSD。

至于今年的产品，预计三星会在年中（6月、7月份）发布840系列SSD的升级版，也就是850系列，应该也会有850 Pro和850 Evo两个分支。此外，三星还准备了一种外置SSD设备，这跟传统的外置硬盘不一样，因为成本都不一样，它是一种不同的产品，可惜的是目前还无缘观赏产品原型。

目前消费级SSD使用的接口主要还是SATA 6Gbps，三星会持续关注下一代SATA Express接口，但是目前还没有相关产品计划。SATA Express标准刚刚成型，还没有被广泛接受，所以大规模支持SATA Express还得等些时候。

目前三星确实有一些SATA Express产品出现在市场上，但这都是为特定厂商生产的，比如苹果。