据Wccftech报道，随着AI服务器出货规模扩大，需要更多地处理上下文数据（Key-Value cache，即KV缓存），已经开始形成了瓶颈，为此英伟达打算通过上下文存储（Context Memory Storage，即CMX）来缓解这一问题，这也是三星所擅长的地方。

目前英伟达用于AI服务器的CMX需要576块SSD，容量达到了9600TB。有业内人士预计，2026年CMX需要的总容量约为3500万TB，2027年将继续大幅上涨，达到1亿TB以上。作为全球第一大NAND闪存芯片制造商，三星今年的产量将达到2.5亿TB，英伟达自然找上了三星作为主要供应商。

三星已经向英伟达大批量供应第9代V-NAND闪存，另外也在推动第10代V-NAND闪存的量产。第9代V-NAND闪存的层数达到了286层，预计第10代V-NAND闪存将提升至400层以上。三星已建成的V-NAND闪存生产线每月产能超过10万片晶圆，其中60%分配给了第9代V-NAND闪存，良品率也达到了80%以上，是现阶段的主力产品。

双方的合作也加快了第11代V-NAND闪存开发的步伐，三星已经启动了试产工作，预计层数最高可至500层。

据TrendForce报道，三星在今年3月底已经开始生产第8代V-NAND闪存，并逐渐减少128层第6代V-NAND闪存的产量。三星正在推进新的投资，开始建设适配第9代V-NAND闪存生产的洁净室，下半年工程将提速，预计今年内完成建设。三星的目标是2027年开始生产第9代V-NAND闪存，将在一段时间内与第8代V-NAND闪存并行生产。

另外三星也在准备第10代V-NAND闪存，不过生产方面优先考虑韩国国内。虽然去年有报道称，三星计划今年上半年开始建设第10代V-NAND闪存的生产线，并在下半年开始量产，但是似乎并没有任何实质性的进展，看起来新一代存储技术仍存在不确定性。

TrendForce的最新研究报告显示，三星是2026年第一季度的头号NAND闪存供应商，营收环比增长高达104.7%，升至135.1亿美元，市场份额也从28%提升至31.6%，牢牢占据该领域市场份额第一的位置。

据TrendForce报道，由于设备升级，三星西安工厂的NAND闪存产量下降，相比于之前每月约15万片晶圆，减少了5%至6%。目前三星西安工厂的生产线正处于“过渡期”，对生产造成了压力，一方面继续保持128层第6代V-NAND闪存的生产，另一方面已经开始量产236层第8代V-NAND闪存，未来将逐渐转换。

三星西安工厂生产线的第二阶段升级工作预计今年内完成，将进一步巩固自身作为三星NAND闪存业务关键枢纽的角色。考虑到美国可能对出口到中国的半导体设备继续收紧管制，促使三星加快了升级的步伐。

要生产更先进的NAND闪存，除了安装新工具外，还涉及到多个生产环节的调整，包括工艺重新校准和良品率的稳定性等，这些都需要时间适应，通常时间为六个月，甚至长达一年。这次三星将工艺升级放在了最优先级，而不是产能提升，因此生产线改造可能影响更广泛的供需动态及价格趋势，且持续到明年。

据TrendForce报道，三星已经完成了西安NAND闪存工厂第一阶段的生产线升级，将逐步淘汰128层第6代V-NAND闪存，同时加快236层第8代V-NAND闪存的量产工作。三星并不打算放慢升级的脚步，第二阶段的生产线升级很快便会到来，将升级至286层第9代V-NAND闪存，预计今年内完成，与去年初传出的消息相符。

旧产品需求减弱是主要的驱动因素，竞争对手凭借尖端产品快速发展，进一步加速了三星的转型进程。比如长江存储（YMTC），去年已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，无论密度还是总层数，都已提高到目前业界的最高水平。

就如之前的报道所言，三星除了第二阶段的生产线升级，同时还会为400层第10代V-NAND闪存的生产做好准备工作。

据TrendForce报道，有消息人士透露，三星已经扩大了其位于平泽的主要NAND闪存工厂的生产，2025年第三季度第8代V-NAND闪存产线利用率比上一季度提高了超过10%，由过去的60%至70%之间攀升至80%左右，预计第四季度也会持续提升。事实上，自今年年中以来，三星用于NAND闪存生产的材料和组件订单也在不断增加。

三星是在2022年11月，开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，层数达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍。这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0/5.0产品的性能要求，成为了存储配置的基石，不但扩展了企业存储容量，同时还拓展至可靠性要求较高的汽车市场。

第8代V-NAND闪存间接受益于AI驱动的存储需求反弹，由于QLC eSSD供应有限，TLC eSSD也成为了争抢的目标。第8代V-NAND闪存采用了TLC设计，至今没有QLC版本，平时主要用于消费类产品，现在供应已经逐步转向eSSD，消费端SSD库存正在迅速下降。

据TrendForce报道，多个消息源的信息表明，第9代V-NAND QLC闪存存在设计缺陷，导致出现性能问题，三星不得不将大规模生产的时间延后，推迟到2026年上半年。对于三星陷入困境的存储器业务来说，这又是一个重大打击。

三星的第9代V-NAND技术达到了290层，相比第8代V-NAND闪存的236层有了进一步的提高。随着近期主要云端服务供应商增加人工智能（AI）基础设施并转向高性能AI推理，对大容量存储的需求不断攀升，三星也希望通过更高存储密度的QLC SSD产品来满足市场的需求。虽然三星仍然主导了NAND闪存市场，但是在QLC领域却是落后的，旗舰QLC闪存产品仅停留在第7代V-NAND技术，层数为176层，而且没有发布第8代V-NAND QLC闪存产品。

上个月SK海力士宣布已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，并开始量产。这是全球范围内首个300层以上的QLC NAND闪存，在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，计划2026年上半年正式进入AI数据中心市场。也就是说，三星第9代V-NAND QLC闪存即便在明年上半年实现量产，大概率技术方面还是落后于SK海力士。考虑到最近SK海力士在存储器领域的强势，对三星可是相当不利。

今年初，三星展示了即将发布第10代V-NAND闪存，总层数超过了400层，但是至今没有提供具体的量产时间表。

据TomsHardware报道，三星正在开发第10代V-NAND闪存，属于容量为1Tb的TLC闪存，单元堆叠层数将超过400层，将在ISSCC 2025进行展示。三星表示，新款4xx层3D TLC NAND闪存的密度为28 Gb/mm²，仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存，后者的密度为28.5 Gb/mm²，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。

其中更重要的是接口速度，第10代V-NAND闪存将达到5.6 GT/s，大约是700 MB/s。意味着大概10个模块就能够让PCIe 4.0 x4接口的速度饱和，20个就能满足PCIe 5.0 x4接口的速度，为三星打造世界最快SSD打造基础。目前的NAND芯片通常每个封装里包含8个或16个模块，也就是说两个NAND芯片就能装入32个模块，提供4TB容量，普通单面SSD的速度就达到了PCIe 6.0 x4接口的一半。

三星计划在ISSCC 2025上推出第10代V-NAND闪存，并于明年开始进入批量生产阶段。按照ISSCC 2025组织方的安排，会议将于2025年2月16日~20日在美国加利福利亚州旧金山举行。

新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高了约50%，提供了最高连续读取速度可达4400MB/s，最高连续写入速度为400MB/s。搭配的5nm主控芯片还提供单层单元（SLC）命名空间功能，优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元（TLC）状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，最高连续读取速度将提高到4700MB/s，最高连续写入速度也会提高到1400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。

三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。三星称，正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，提供高性能、高容量的车载产品，并继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能（Physic AI）存储器市场的发展。

三星的主要合作伙伴正在对256GB AM9C1车载SSD的样品进行测试，预计今年年底开始量产。三星还计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容，其中2TB版本预计明年年初开始量产，以满足对高容量车载SSD日益增长的需求。

三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第9代V-NAND闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。”

第9代V-NAND QLC闪存综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破，包括：

通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching） - 能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在第9代V-NAND TLC中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代V-NAND QLC闪存提升约86%。

预设模具（Designed Mold）技术 - 能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。

预测程序（Predictive Program）技术 - 能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星第9代V-NAND QLC的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。

低功耗设计（Low-Power Design）技术 - 使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

三星计划扩大第9代V-NAND QLC闪存的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

三星表示，BM1743比起BM1733在性能上也实现了翻倍的提升，提供的最大顺序读取/写入速度分别为7200 MB/s和2000 MB/s，最大随机读写分别为1600K IOPS和110K IOPS，适合应付读密集型工作负载。以四级单元（QLC）更高存储密度的同时，带来了接近于三级单元（TLC）性能水平，为数据中心提供了强大的解决方案。

BM1743可选两种外形规格，分别是U.2和E3.S。前者支持PCIe 4.0接口，容量可达61.44TB，并拥有扩展至122.88TB的潜力；后者支持PCIe 5.0接口，进一步提升了性能。相比之下，BM1733仅支持PCIe 3.0接口。在可靠性方面，BM1743为0.26DWPD，断电数据保持时间为3个月，而BM1733这两项分别为0.18DWPD和1个月。

过去一段时间里，随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，带动了企业级QLC SSD的需求攀升，其中更为积极的Solidigm受益最多。三星希望BM1743能够与Solidigm去年发布的D5-P5430展开直接竞争，降低数据中心的TCO成本。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

据相关媒体报道，三星计划下个月发布第9代V-NAND技术，层数将达到290层，高于之前所传的280层，以替代2022年发布的236层第8代V-NAND技术。目前存储行业似乎已进入“层层堆叠”的激烈竞争当中，而三星看起来领先于SK海力士和铠侠等竞争对手。此外，三星还公布了第10代V-NAND技术上，层数将达到430层，计划会在明年到来，或许会引入三堆栈架构。

传闻首款采用第9代V-NAND技术的是1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

2022年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出了长期愿景：到2030年会将层数提高至1000层。不过有着相同目标的NAND闪存制造商不止三星一家，此前有报道称，铠侠首席技术官Hidefumi Miyajima在近期的一次会议上表示，计划到2031年开始批量生产超过1000层的3D NAND闪存芯片。

据TomsHardware报道，三星正在准备发布第9代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）QLC 3D NAND闪存芯片，达到了280层，相比第8代V-NAND技术的236层有了进一步的提高。其存储密度达到了28.5Gb mm2，将高于目前业界最高的长江存储产品，后者的存储密度为20.62Gb mm2。同时I/O速率达到了3.2 Gbps，相比第8代V-NAND技术的2.4 Gbps也要快得多。

作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。不过当时三星称层数将超过300层，比现在的280层还要更高一些。如果条件允许，三星可能会提供容量为16TB的M.2 SSD，或者是单面8TB的产品。

据了解，三星在ISSCC 2024上将展示这款280层QLC 3D NAND闪存。此外，三星还打算展示新一代DDR5芯片，频率达到了8000 MHz，为32Gbit模块，采用了三星第五代10nm级工艺技术制造。

所谓双堆栈架构，即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈，然后在原有基础上再构建另一个堆栈，三星在2020年首次引入该技术。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度，使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘，或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。此前SK海力士展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司，不知道三星可以做到多少层。

除了提高存储密度外，新款3D NAND闪存芯片的性能也将得到提升。三星表示，正在致力于开发下一代创造价值的新技术，其中包括了最大化3D NAND闪存输入/输出（I/O）速度的新结构。预计三星将带来990 Pro系列的继任者，采用PCIe 5.0接口的新一代旗舰SSD。

据了解，三星为了保证产量，可能会在第10代V-NAND技术上引入三堆栈架构，层数将达到430层。这意味着会增加原材料的使用量，并增加每个3D NAND晶圆的成本。去年三星在“Samsung Tech Day 2022”上提出的长期愿景是，到2030年会将层数提高至1000层。