BX系列是美光面向入门级的SATA SSD，最早的BX100用了自家16nm MLC闪存，但到BX200却顺应大潮流换用了16nm TLC闪存，现在BX300又用回了MLC闪存，为美光自家的256Gbit 32叠层3D MLC闪存 ，这是美光自MX300（384Gbit 32叠层3D TLC）之后，再次有采用3D NAND的消费级SSD。

虽然美光一时一个样真让大家“估你唔到”了，但这对于消费者来说是个好事。新SSD的主控依然来自慧荣，型号升级到SM2258，其中480GB有512MB缓存，更少容量的版本为256MB，都支持SLC缓存模式。

BX300标称的持续读写速度达到555MB/s、510MB/s，随机读写最高为95000、90000 IOPS。外媒Anandtech实测BX300的性能确实不俗，达到了目前SATA SSD的一流水平，可比肩三星850 EVO/PRO、Intel 545s。

耐久性能上，换回MLC的BX300要比BX200有提升，最高可以达到160TB，但120GB版只有55TB。售价方面，480GB的BX300 SSD为149.99美元（约合人民币989元），240GB为89.99美元（约合人民币593元），120GB为59.99美元（约合人民币396元），国外已经开卖。

在5月份中国商务部的正式批准之后，西数斥资190亿美元收购闪迪的交易正式走完了法律程序，西数也摇身一变横跨硬盘及闪存两大市场，取代了闪迪以往的一切地位，不仅可以跟东芝称兄道弟，还成为苹果iPhone手机闪存供应商，现在也有资本跟三星谈专利授权了。

这次的专利授权协议最早源于1997年三星、闪迪签署的合作协议，此前已经两次顺延了，最新一期是今年8月14日到期，双方现在又签署了新一轮授权协议，授权时间将延长到2024年12月31日。

双方没有公布授权协议的具体内容，西数的公告中称该协议签署之后，西数将允许三星使用闪迪的MLC及相应的存储产品专利，看起来好像是西数对三星授权，不过该协议实际上是交叉授权，双方都可以使用对方的专利。

有关SLC、MLC及TLC闪存的基础知识可以参考我们之前的文章：十六款240/256GB固态硬盘2014年度横评，大部分人都知道SLC性能、可靠性最好但成本最高，TLC闪存成本最低但可靠性、性能有限制，MLC优缺点都比较折衷，是目前最主流的选择。

根据创见所说，他们的SuperMLC技术将MLC闪存中每cell单元的2个电荷重编程为1个电荷数据（MLC的2bits变成了SLC闪存的1bit），因此大幅提高了NAND闪存的性能和可靠性，特别是在小容量SSD上。具体来说就是，SuperMLC闪存的连续读写是普通MLC闪存的4倍，P/E擦写寿命达到了30000次，几乎是SLC闪存的标准了。

创见的SuperMLC闪存主要用于工业级应用，目前相关的产品还在测试中，未来使用SuperMLC闪存的产品主要包括2.5寸的SSD510K、mSATA接口的MSA510、半高超薄版的HSD510及M.2接口的MTS460及MTS860，预计2016年发布，但价格和时间表未知。

PS：看创见描述的这么神奇，不过这个SuperMLC技术实际上也不新鲜，十有八九还是把MLC闪存模拟成SLC闪存，实际上也不止创见这么做了，其他公司也有类似的技术，闪迪的nCache、三星的TurboWrite之类的技术都是把部分TLC/MLC容量模拟成SLC模式运行，因此性能更快，可靠性更高。

ATP公司的aMLC闪存技术

此外，去年台湾一家公司ATP还宣布过aMLC技术，它也是牺牲部分MLC闪存空间变成SLC闪存，号称性能是MLC闪存的5倍，可靠性是MLC的15倍，跟创见的宣传差不多，不过ATP公司是通过SSD固件技术实现的（笔者都在猜测创见是不是用了ATP的技术，毕竟创见自己没有闪存，不像三星和闪迪那样）。

东芝Q300系列包括960、480、240和120GB四个容量，使用东芝自家TLC闪存，主控是TC58NC1000，有SLC Cache，最大连续读写速度是550/530 MB/s，最大4K随机读写IOPS分别为87000/83000，待机功耗1.1W，读写功耗5.1W。

使用MLC闪存的Q300 Pro则包括512、256和128GB三个容量，主控是TC358790，同样开启了SLC Cache，所有容量的读写速度均是550/520 MB/s，最大4K随机读写IOPS分别为92000/63000，待机功耗125mW，读写功耗3.3W，出来闪存有不同之外，Q300 Pro比Q300还多了一个QSBC纠错技术。

东芝Q300的主控TC58NC1000的编号与OCZ Trion 100是完全一致的，应该就是同一个东西，它本质其实就是Phison S10主控，这款主控已经有许多SSD在使用。

Q300和300 Pro会在本月底上市销售，Q300 960/480/240/120GB的售价分别为449.99/309.99/159.99/99.99美元，而Q300 Pro 512/256/128GB的售价分别为389.99/199.99/124.99美元。

更新：目前Q300系列京东已经上架，480GB的卖1349元，240GB的卖599元，120GB的卖369元，Q300 Pro 128GB的也上市了，不过是第三方的，卖499元。

美光公司总裁Mark Adams本周在投资者暨分析师电话会议上宣称美光公司今年下半年将会推出TLC闪存的消费级硬盘，并预测2016财年（2015年9月到2016年9月）内TLC闪存硬盘将占据该公司SSD硬盘的50%份额，看起来TLC闪存的进度推进的将会非常快。

美光虽然就推出了16nm TLC闪存，不过今年才开始大规模量产，本月初的台北电脑展上小编也见到了超极速推出了美光16nm TLC闪存的S500系列SSD，预计也会在下半年上市，相信届时还会有更多的公司使用美光的TLC闪存。

美光的3D闪存

此外，美光、Intel合资的IMFT公司也推出了3D堆栈的闪存，其中有MLC闪存也会有TLC闪存，二者实际上都是一条产线出来的，TLC闪存模式可以实现更高的容量，预计今年Q4季度开始规模供货，美光明年肯定也会推出基于3D闪存的TLC闪存。

HP的Z Turbo PCI-E硬盘其实跟浦科特的M6e一样都是用M.2接口的SSD转接的，不过HP没有自己的M.2硬盘，他们使用的是三星OEM的，使用的是MLC闪存，不过看不出是三星哪款M.2硬盘。

HP这款硬盘主要是给自家的Z系列工作站使用的，是前代Z Turbo硬盘的升级版，容量也有256GB和512GB两种，前者的连续读写速度是2510、1260MB/s，512GB版本的读写速度则是2150、1550MB/s，随机读写性能都是30万、10万IOPS。

数据寿命方面，256GB是146TB，512GB的是292TB。

售价方面，256GB起价399美元，512GB售价为699美元，预计6月份开始开卖。

HP PCI-E硬盘规格

虽然苹果iPhone手机用的TLC闪存主要来自闪迪，不过三星在TLC闪存上走的更远，SSD产品中从840到840 Evo再到850 Evo已经使用了三代TLC闪存，其中850 Evo使用还是最先进的V-NAND TLC闪存。现在手机闪存容量需求越来越大，而且还需要降低成本，TLC闪存也是不可避免的了。

三星这次推出的128GB闪存支持eMMC 5.0标准，但连续速度可达260MB/s，这个性能跟eMMC 5.1标准的MLC闪存是一样的，随机读取为6000 IOPS，随机写入为5000 IOPS，官方表示这个随机性能是普通位置存储卡的10倍多。

高端市场上，三星还会有eMMC 5.1或者UFS 2.0标准的MLC闪存，三星的Galaxy S6/S6 Edge使用的就是UFS 2.0闪存，磁盘性能简直爆表。

PS：虽然大家对TLC闪存很抗拒，不能Duang的一下子就接受，不过手机上用TLC恐怕要比桌面更迅速，考虑到手机闪存的读写操作不如桌面那么频繁，而且手机更新换代更快，TLC闪存的可靠性更不应该是问题了，怕就怕三星把TLC闪存卖得比其他MLC闪存还贵。

花旗银行分析師Joe Yoo日前发表报告称三星、HTC等公司明年有望跟进苹果的策略，推出容量更大的手机，入门款容量可能也是16GB，之后就是64GB，32GB版也会被取消。这样会使得NAND需求更大，而相关的NAND公司则会受益。这个分析师已将苹果NAND主要供应商之一的SanDisk公司的股票评为“买进”，目标股价125美元。

此外，Joe Yoo还指出，iPhone 6及6 Plus的需求在未来两年还会保持稳定之态，NAND闪存供应也会吃紧。

看起来明年的新一代手机存储容量增大是跑不了的，不过希望这些公司学苹果也学好的地方，iPhone 6和6 Plus大容量版因为TLC闪存已经闹得满城风雨，明年SanDisk/东芝的15nm TLC闪存也会量产，三星的TLC已经量产了（虽然苹果暂时还没用三星的TLC闪存），美光TLC闪存也差不多时候了，明年大家买手机真的要看运气了。

苹果目前的iPhone 6/iPhone 6 Plus的64GB（部分）及128GB机型中使用了来自SK Hynix、Toshiba和Sandisk的TLC闪存芯片，TLC芯片的成本要低于SLC以及MLC闪存芯片，在性能上也有所差距。虽然苹果一直在逐渐摆脱三星对供应链的控制，但这一次苹果也不得不重新寻求和三星进行合作，此外苹果也希望三星能为其提供iOS设备使用的电池以及Apple Watch中使用的芯片，下一代的苹果A系列处理器将可能采用三星14nm工艺制造。

就我的理解，苹果在2011年以5亿美刀收购了闪存技术解决方案提供商Anobit，当时苹果就是看上了Anobit的TLC主控技术，目前苹果用上了Anobit的TLC主控技术，使用TLC主控技术可以降低生产成本。然后问题来了！由于TLC闪存并没有独立的缓存，苹果只能在主内存里为其划出缓冲区，但苹果祖传的1GB RAM在运行了大量的应用之后明显不足以提供足够的缓存空间，所以只能干掉进程，所以程序闪退和卡机的问题也就随之发生。在运行了大量应用的情况下，TLC闪存的机型崩溃的几率大大增加（读者们有兴趣可以试试）。

目前16G的iPhone 6/iPhone 6 Plus使用的是MLC闪存芯片，64GB有一半可能买到TLC闪存芯片，而128GB的iPhone几乎都是TLC闪存芯片，如果读者们在意这一点，可以先观望。