• ​中芯国际推出28nm HKMG高性能工艺,将为联芯量产4G芯片

    bolvar 发布于2016-02-17 09:17 / 关键字: 中芯国际, 28nm HKMG, 代工, 联芯

    尽管国内公司在处理器芯片领域取得了不俗成绩,但在半导体制造领域,中国公司短时间内还是很难跟Intel、三星、TSMC台积电等巨头相比,工艺技术至少差了两代。中芯国际(SMIC)日前宣布他们开发的28nm HKMG高性能工艺已经成功流片,将为联芯科技的4G芯片代工。

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  • 台联电28nm HKMG工艺已经量产,年底试产14nm FinFET工艺

    bolvar 发布于2014-03-04 09:53 / 关键字: 联华电子, UMC, 28nm HKMG, 14nm FinFET

    TSMC台积电、UMC台联电是台湾晶圆代工业双雄,不过UMC在28nm节点上落后TSMC太多了,错失了良机,坐看TSMC成为晶圆代工业老大。目前UMC的28nm HKMG工艺良率问题也解决了,准备向博通(Boradcom)公司提供芯片,今年底还会试产14nm FinFET工艺,看起来已经加快了追赶TSMC的步伐。

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  • GlobalFoundries 20nm工艺流片成功,与三星携手28nm工艺

    Blade 发布于2011-08-31 15:51 / 关键字: GlobalFoundries, 20nm, 流片, 三星, 28nm HKMG

      日前GlobalFoundries与三星联合宣布,两者携手同步制造采用28nm HKMG工艺高性能低漏电率的芯片。据称这种工艺专为移动设备处理器而设,例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。

      据消息显示,新工艺的产品比现有的45nm工艺产品在同样频率下可节省60%的功耗,同样功耗下则可以提升55%的性能。在两家的晶圆厂同步投产后,客户的芯片无需重新设计也可以在两者的晶圆厂内同步生产。

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