据TrendForce报道，在最新的季度财报电话会议上，特斯拉首席执行官埃隆-马斯克（Elon Musk）表示，三星将与台积电（TSMC）一起分享AI5芯片的生产，认为这种做法是有意义的，并称赞三星是“一家了不起的公司”。

特斯拉在2024年的股东大会上推出了AI5芯片，旨在支持其最新的自动驾驶硬件，并处理实时自动驾驶信号。按照最初的计划，AI5芯片将由台积电负责。未来AI5芯片分别是三星的泰勒工厂和台积电位于亚利桑那州凤凰城的工厂，快速提升产量的同时确保都在美国本土生产，两者都将以同一标准进行。

埃隆-马斯克表示，三星泰勒工厂的生产设施比台积电凤凰城工厂的要稍微先进一些，这种双代工厂策略是有意义的，既能避免产能瓶颈，又能为汽车业务和不断扩大的数据中心需求储备冗余产能。由于三星本身就有承担AI4芯片的生产，因此承接AI5芯片的订单也是合理的举措。

据TrendForce报道，有消息人士透露，三星已经扩大了其位于平泽的主要NAND闪存工厂的生产，2025年第三季度第8代V-NAND闪存产线利用率比上一季度提高了超过10%，由过去的60%至70%之间攀升至80%左右，预计第四季度也会持续提升。事实上，自今年年中以来，三星用于NAND闪存生产的材料和组件订单也在不断增加。

三星是在2022年11月，开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，层数达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。其基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍。这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0/5.0产品的性能要求，成为了存储配置的基石，不但扩展了企业存储容量，同时还拓展至可靠性要求较高的汽车市场。

第8代V-NAND闪存间接受益于AI驱动的存储需求反弹，由于QLC eSSD供应有限，TLC eSSD也成为了争抢的目标。第8代V-NAND闪存采用了TLC设计，至今没有QLC版本，平时主要用于消费类产品，现在供应已经逐步转向eSSD，消费端SSD库存正在迅速下降。

据TrendForce报道，三星将于今年晚些时候接收首台型号为“TWINSCAN EXE:5200B”的High-NA EUV光刻机，明年上半年还会接收第二台同型号机器。TWINSCAN EXE:5200B属于首个High-NA EUV量产型号，标志着三星已经在为新一代光刻技术应用于大规模生产做准备。

三星并非首个安装TWINSCAN EXE:5200B的半导体制造商，上个月SK海力士就已官宣引入同型号设备，安装在韩国利川M16工厂，用于下一代DRAM的生产。有消息人士透露，三星计划将High-NA EUV光刻机用于2nm工艺的生产线，制造Exynos 2600和特斯拉下一代AI芯片，另外还支持未来采用垂直通道晶体管（VCT）的DRAM。

传闻三星购买这两台High-NA EUV光刻机大概花费了7.73亿美元（约合人民币55.09亿元）

据Trendforce报道，英伟达正在不断扩大NVLink Fusion生态系统，除了芯片的设计外，还将三星的代工厂引入其中，以满足定制CPU和XPU不断增长的需求，为定制芯片提供全面的设计到制造支持。

NVLink Fusion能够让系统架构师在机架级架构中利用非英伟达CPU或者加速器，然后与英伟达的产品连接。英伟达对NVLink Fusion上的合作有严格的限制，任何定制芯片都必须与其产品连接，同时保留对NVLink Fusion中基本通信控制器和物理层的控制，另外还要求第三方硬件必须获得使用其NVLink Switch芯片的许可。这意味着即便英伟达愿意放开使用900GB/s的NVLink-C2C接口，合作伙伴仍无法创建真正独立的混合匹配系统。

NVLink Fusion生态系统已经有多个合作伙伴，包括英特尔、高通、富士通、Marvell和联发科，另外还有Synopsys和Cadence等。其中富士通将与英伟达合作，开发FugakuNEXT超级计算机，利用NVLink Fusion技术将代号为“MONAKA”的CPU与英伟达的GPU连接，建立一个“AI-HPC平台”。

据Wccftech报道，最近一份报告指出，三星还在努力争取高通的订单，已经使用2nm GAA工艺生产了第五代骁龙8至尊版样品，送往高通处做评估。考虑到最近三星采用相同的制程技术量产Exynos 2600，似乎一切开始走上正轨，或许让三星变得更加有信心。

高通当然不会拒绝这样的机会，毕竟很早之前就有传言称，高通考虑在未来的骁龙8平台上采用双代工厂策略。过去几年旗舰SoC的价格正在不断上涨，高通想借助双代工厂策略降低SoC的生产成本，问题是三星的良品率一直没有提升至令人满意的水平。

作为高通的高端芯片，三星提供的样品必然要经过严格的测试，包括功率效率、性能、发热、良品率和可靠性等。通过所有的测试环节后，三星将进入试生产阶段，而Exynos 2600早在几个月前就完成了这些步骤。

有业内人士表示，三星与台积电在晶圆代工业务竞争中处于下风，问题不在于核心技术，而是良品率和生产进度管理。即便即将量产的Exynos 2600，良品率也只有50%，理想情况下应该要达到70%才行。

据Wccftech报道，英伟达已经订购了三星的12层堆叠HBM3E，将用于搭载Blackwell Ultra GB300的机架级解决方案。对于三星来说，进入英伟达的HBM3E合作伙伴名单至关重要，必须通过打入主流HBM领域才能重新获得在DRAM市场的主导地位。传闻三星还计划购入5万颗英伟达的AI芯片，但是具体交易细节尚未披露。

虽然三星暂时可以松一口气，但是还没有到完全扭转局势的地步，毕竟下一代HBM4即将到来，而主要竞争对手SK海力士已经占据了先发优势，预计供应初始阶段仍然能保持其最大供应商的位置。

三星也有自己的优势，早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。另外三星拥有自己的逻辑芯片生产线，并不需要像SK海力士和美光那样选择台积电代工，定价方面会更具竞争力。

据TECHPOWERUP报道，AMD将选择三星成为HBM4主要供应商，用于下一代Instinct MI450系列计算卡。双方的合作并不令人感到意外，因为目前AMD Instinct MI350X和MI355X等产品，都有使用三星的12层堆叠HBM3E芯片。

OpenAI在上周与三星和SK海力士达成初步协议，为其庞大的星际之门（Stargate）数据中心项目供应内存，之后又选择与AMD联手。传闻OpenAI对DRAM晶圆的需求可能飙升至90万片，这一数字预计占全球DRAM总产量接近40%。三星除了供应HBM产品，还需要提供包括GDDR和LPDDR在内的DRAM芯片，另外还有搭载大容量SSD，意味着还需要不少NAND闪存芯片。

有业内人士透露，英伟达-SK海力士联盟与AMD-三星阵营之间将展开一场激烈的新竞争，同时SK海力士与三星在技术和定价方面的竞争将加剧。AMD与OpenAI合作的连锁反应远远超出了相关公司的范围，AMD正在与其他公司联手，以开放标准Ultra Accelerator Link （UALink）挑战英伟达专属的NVLink技术。随着OpenAI的加入，UALink生态系统可能会迅速扩张。

据TrendForce报道，三星已经开始量产Exynos 2600，采用了SF2工艺。就如过去所说的，生产Exynos 2600的一个关键原因是良品率的提升比预期的要更快一些。SF2工艺的良品率从今年第一季度的30%，攀升到现在约50%。

随着Exynos 2600的量产，几乎必然会出现在Galaxy S26系列，即便暂时还没有得到官方的确认。按照三星过去的做法，搭载Exynos芯片的型号用于韩国国内和欧洲，搭载高通骁龙芯片的型号用于北美和中国。

传闻Exynos 2600在CPU部分采用了2+6二丛架构，包含了2个Cortex-X和6个Cortex-A内核，布局与Exynos 2500的10核心设计明显不同，更类似于骁龙8至尊版。三星还在Exynos 2600上引入了HPB（Heat Pass Block）技术，以改善芯片的散热问题。此外，三星还采用了扇出型晶圆级封装（FoWLP），以提高耐热性并提供更强的多核性能。

据Wccftech报道，三星计划在今年晚些时候发布Exynos 2600，用于Galaxy S26系列，但是暂时还不能确认，这款SoC是否也像第五代骁龙8至尊版那样支持UFS 4.1。作为三星的旗舰智能手机，理应配备一流的硬件，以满足各种苛刻的操作要求。

为了提高利润率，智能手机制造商适当地在部分产品上减配是常见的做法，而且这样的操作表面上还看不出来，但是对于消费者来说可能就是偷工减料了。今年的Galaxy S25系列上就有这类的问题，存储空间为128GB的版本其实只支持UFS 3.1，如果想提高存储速度，只能选择购买256GB版本才能支持UFS 4.0。

搭载第五代骁龙8至尊版不一定保证所有Galaxy S26系列机型都支持UFS 4.1，但是应该不会出现今年仍停留在UFS 3.1的情况。如果Exynos 2600仅支持UFS 4.0，导致新一代产品出现明显的存储配置差异，或者统一不支持UFS 4.1，或许又会像今年那样引发争议。

据TomsHardware报道，三星已经决定将其2nm晶圆的报价降至2万美元，比竞争对手台积电（TSMC）低了三分之一。这一举措对三星来说是激进的，但可能是必要的，因为三星不能让自身的2nm生产线闲置，以确保投资会带来一些回报。

虽然近期情况有所好转，但是三星的2nm计划仍然面临巨大的阻力。由于缺乏足够的订单支持，三星一度将美国德克萨斯州的泰勒工厂建设速度减慢，且削减了一半的投资，这种做法与台积电不断增加在美国的投资是完全相反的。幸好前一段时间三星与特斯拉签下了一笔价值约165亿美元的订单，生产特斯拉下一代AI6芯片，才使得三星恢复新厂房的建设。

考虑到台积电目前产能几乎满载，预计将持续相当长一段时间，而且还可能提价，这也给了三星更多的机会。对于需要先进制程技术且无法或不愿支付台积电要价的客户来说，三星的报价无疑是一个诱人的选择。

Sound United拥有多个标志性的音频品牌，包括宝华韦健（Bowers & Wilkins）、天龙（Denon）、马兰士（Marantz）、狄分尼提（Definitive Technology）、普乐之声（Polk Audio）、HEOS、Classé、Boston Acoustic等，其中不少在市场有着很高的知名度。

哈曼国际表示，这一战略里程碑标志着其核心音频业务扩张，并明显扩大了家庭音响、电子产品、耳机和汽车音响等关键产品类别中的足迹。将Sound United 卓越的产品组合与其世界知名的音频业务相结合，使哈曼国际能够提供业内最全面的音频产品组合之一。因此，哈曼现在能够为消费者带来更多选择、更深入的创新和跨聆听环境的卓越体验。

哈曼国际是在今年5月，斥资3.5亿美元对Sound United进行收购。

据TrendForce报道，三星已经通知客户，今年第四季度的LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品的合同价格预计将上涨15%至30%以上。NAND闪存也不能幸免，eMMC/UFS合约价格预计将上涨5%至10%。格上涨的驱动因素之一是市场对大容量DRAM和NAND闪存的需求不断增长，因为人工智能（AI）应用从“训练”转向“推理”和边缘设备，从而导致供应收紧。

AI应用的扩大产生了海量的数据，给全球数据中心存储基础设施带来压力。近线机械硬盘传统上是大规模存储的支柱，但现在正面临严重的供应短缺，将更高性能但成本更高的SSD推向前沿，大容量QLC SSD的出货量可能会在2026年出现爆炸性增长。有业内人士预测，存储器的这波涨价潮将持续到今年年底，甚至持续到明年上半年。

事实上，这也并非三星今年第一次DRAM和NAND闪存产品涨价。大概在半年前，三星的NAND闪存和DRAM产品价格就在原有基础上提高了3%至5%，覆盖全球主要客户。此外，随着产能转向DDR5和HBM，过去几个月里DDR4的价格一直在上涨，预计三星的DDR4产能在2026年将降至2025年的20%水平。

据TrendForce报道，经过了一年半的努力，三星去年2月开发的12层堆叠HBM3E终于通过了英伟达的质量测试，缩小了与SK海力士之间的差距。有业内人士称，这一成就反映了三星对现有HBM3E产品的性能提升，以及英伟达推动供应商多元化的努力。

不过也有消息称，三星只是完成了第二轮内部晶圆验收测试（WAT），整个工作还没有完成，尚未获得英伟达的正式批准。三星今年解决了HBM3E的发热问题，主要得益于去年5月开始的更新设计工作，基于1αnm（第四代10nm级别）工艺打造的DRAM芯片。

本月早些时候，SK海力士宣布已率先完成HBM4的开发工作，并在全球首次构建了量产体系。三星则是在今年第二季度生产出HBM4样品，通过了英伟达初步的质量测试，现在还要等待最后的验证步骤。

近期传出英伟达要求供应商尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，以便更好地应对AMD明年的Instinct MI450计算卡及“Helios”AI机架系统带来的威胁。得益于4nm工艺制造基础裸片，加上以1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，优于SK海力士的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺，三星的HBM4可以更好地满足英伟达的要求。

据TrendForce报道，三星已经与IBM签订了代工协议，将生产Power11处理器，采用7LPP EUV工艺，并运用了2.5D ISC架构封装，进一步提高性能。与前代工艺相比，7LPP EUV的性能提升了23%，功耗降低了45%。

按照IBM的说法，围绕Power11处理器打造的服务器正常运作时间达99.9999%，且系统维护中可实现0计划性停机，对于三星来说是一个考验。通过Power11处理器的订单，三星也证明了自身的实力。三星希望能进一步提高先进制程的良品率，达到70%至80%或更高的水平，以便争取更多订单来实现客户群多元化。接下来三星将继续通过EUV光刻技术，改进4nm、5nm和8nm等工艺。

新一代Power11保留了与Power10类似的结构，单芯片最多16核心，IBM也会提供12核心和8核心等配置。每个核心最高支持8线程，以更好地应付多任务操作。此外，核心频率也从4.0 GHz提高到4.3 GHz。

据TrendForce报道，三星正在加快了泰勒市新建晶圆厂的工程进度，随着特斯拉大额订单的到来，三星还获得了德克萨斯州额外2.5亿美元补贴。当地政府已经宣布了这项决定，这笔资金将通过德克萨斯州半导体创新基金（TSIF）进行分配。自1996年在奥斯汀首座晶圆厂破土动工以来，三星已经向当地投入超过400亿美元，这是德克萨斯州历史上最大的外国直接投资。

按照三星原计划，将在德克萨斯州泰勒市构建一个全面的先进制造生态系统，包括两间领先的晶圆代工厂、一间致力于开发和研究当前生产节点之前的技术代的研发工厂、以及一个生产3D高带宽存储器和2.5D封装的先进封装设施。其中首座新建晶圆厂的洁净室将于今年年底完工，明年将安装设备并投入运营，计划招聘约2000名工人。