据TrendForce报道，虽然三星很努力想重新获得重量级客户的订单，不过这次与高通的谈判并没有那么顺利，而且原因有些出于意料。有消息人士透露，三星与高通现在的主要分歧是价格，而非技术层面的障碍。

尽管三星2nm工艺尚未完全达到高通的性能要求，但是良品率已经趋于稳定，高通对此也表现出更为积极的态度。传闻目前三星的2nm工艺良品率已提升至70%以上，相比于2026年初的不到50%有了很大的改善。

高通正在寻求更低的价格，可是三星并不愿意接受。过去几年三星试图通过低价订单来扩大客户基础，可自从赢得特斯拉和博通等大客户的订单，同时良品率改善，如今已具备更强的议价能力，对于合同条款的评估更为审慎，不会像以前那么提供大幅度折扣。另外有消息称，高通的订单量相比之下较小，三星更不愿意在价格方面作出让步。

由于价格谈判持续时间过长，今年内高通订单实现量产的前景正变得越来越不确定，大概率会再次面临延迟，推迟到2027年。随着谈判持续拖延，高通还可能改变三星代工的产品，选择转向下一代芯片。

据TrendForce报道，随着OpenAI更加深入地进入定制芯片领域，三星可能会扮演越来越重要的角色。OpenAI韩国区负责人表示，与三星在OpenAI下一代芯片的生产和开发合作中取得了重大进展，不过没有具体说明三星在其中所承担的角色。

据了解，三星与OpenAI于2025年10月签署了一项意向书（LOI），双方合作开发AI基础设施，三星作为战略合作伙伴加入到OpenAI的星际之门（Stargate）项目，提供高性能、低功耗的存储芯片。按照当时三星的估算，OpenAI的DRAM需求最终可能达到每月90万片晶圆。

作为OpenAI更广泛定制芯片路线图的第一步，Jalapeño由台积电制造，三星则负责供应HBM4。上个月OpenAI已确认，第二代芯片正在开发当中，第三代芯片也逐渐成型。外界推测，未来三星所承担的角色不仅仅是提供存储芯片，还有可能涉及先进封装，甚至逻辑代工。

过去数十年里，半导体行业一直依赖于6英寸光罩，延续至High-NA EUV的到来。未来High-NA EUV使用的光罩将转移至12英寸，预计进一步提升晶圆厂的生产力，并降低芯片的制造成本，还能消除需要两张6英寸光罩在High-NA EUV曝光时进行拼接的限制，整个半导体产业都将受益。这次升级能让先进芯片制造商充分利用High-NA EUV光刻系统的优势，最终提升芯片的成本效益。

凭借存储和代工制造领域的领先优势，加上EUV光刻技术方面的丰富经验，三星相信在这次12英寸光罩转型中发挥关键作用。三星将与行业合作伙伴展开紧密合作，开发所需要的光罩技术及配套基础设施。三星计划2028年首次引入High-NA EUV光刻技术，用于DRAM芯片制造，预计能延长DRAM的扩展路线图，提升分辨率，简化工艺并提高效率。

台积电打算2030年起，在逻辑芯片制造中引入High-NA EUV光刻技术。随着制程技术不断升级，预期使用High-NA EUV曝光的光罩层数也将随之增加。台积电目标是2031年之前建立12英寸光罩试产线，2033年之前光刻系统全面就绪，以支持先进制程工艺量产。

据TrendForce报道，随着客户对2nm技术的兴趣增加，三星在先进芯片制造领域的势头也变得更强。虽然泰勒工厂还没有开始生产，但是已经收到了满额2nm订单。除了来自特斯拉的AI5和AI6芯片，还包括博通的下一代通信芯片及Arm的智能设备AI芯片。

充足的订单也让三星加快了泰勒工厂的投产工作，最快本月底或下月初启动试运行，明年实现大规模生产，初始产能为每月5万片晶圆。同时三星正在推进第二阶段项目工作，为及后续建造第二座厂房扩大产能打好基础，预计今年末开始建设，量产目标为2030年。

有知情人士透露，三星这次的投资进度比预期更快，已要求多家设备供应商提前获得SEMI安全认证，为后续第二阶段工程做好准备。

据Wccftech报道，由于HBM4的需求超过了供应，迫使三星不得不将更多的4nm产能分配过去。目前三星4nm产线正在全速运行，其中50%至60%产能用于生产HBM4的基础裸片。三星的4nm产线集中在韩国平泽工厂2号和3号园区，包括S5和S6两条生产线，月产能为3万片晶圆，这意味着HBM4占用了至少1.5万片晶圆。

今年2月，三星宣布开始量产HBM4。其结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升，量产四个月后收入就已突破10亿美元。同时三星HBM4良品率已经从最初量产时的不到60%提升至接近80%，提前实现了最初设定在2026年末达到80%的良品率目标。

过去HBM的基础裸片都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。特别是定制HBM的到来，其中将集成内存控制器等功能模块。三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而SK海力士和美光则选择与台积电（TSMC）合作。

三星表示，HBM5的目标是性能是2倍于HBM4E，而且有着20%的每瓦性能提升，另外将伴随着热阻降低20%，让HBM5能够更好地应对日益强大的AI加速器产生的热量。传闻三星为HBM5准备了12层、16层和20层堆叠的产品，基础裸片（Base Die）也将采用2nm工艺，预计2028年左右开始量产。

zHBM是上次活动的核心亮点，通过先进晶圆键合技术将高带宽内存（HBM）垂直堆叠于AI加速器上方，能大幅缩短数据传输路径。三星称，zHBM的目标性能和每瓦性能分别是HBM4E的8倍和3倍，另外热阻将降低75%至90%，预计2029年后推出。

在NAND闪存领域，三星也在开发下一代技术。之前公布的zNAND-O概念模型目标2028年推出样品，旨在能够提供10倍于DRAM的大规模数据存储密度，同时相比于普通NAND闪存有高出7倍的读写带宽及能效。

三星还介绍了下一代存储的“CUBE”框架，未来存储战略将围绕四个重点展开，分别是：容量、利用率、带宽和效率。

三星希望能够在垂直方向扩展容量，而不需要扩大PCB的占用面积。三星认为3D存储芯片不仅仅在于堆叠层，还需要优化架构以及逻辑和存储芯片的布局，以降低延迟。通过用垂直高速通道替代水平数据路径，缩短芯片之间的距离。此外，功耗和热管理也要跟上，以最大限度地减少数据传输所需要的能量，提升每瓦性能指标。

据TrendForce报道，由于DRAM制造商对长期供应协议（LTA）的依赖程度变得更高，进一步收紧了可用的供应量。最主要还是大量产能被主要客户锁定，现货市场的余量减少。传闻三星的DRAM产能，70%部分已经被主要客户锁定至2031年。目前36GB的HBM3E模块在现货市场的价格约为2100美元，约为长期供应协议里价格的四到五倍。

更多的长期供应协议也在重塑DRAM制造商的库存，比如三星半导体库存自去年底开始增长了32%，至2026年上半年达到38.06万亿韩元（约合277.15亿美元/人民币1864.94亿元），其中在制品（WIP）库存增长35%，达29.71万亿韩元（约合216.35亿美元/人民币1455.79亿元）。另外SK海力士也呈现类似趋势，同期总库存增长了26%，至17.99万亿韩元（约合131.01亿美元/人民币881.51亿元），在制品库存增长20%，达11.08万亿韩元（约合80.69亿美元/人民币542.92亿元）。

有业内人士表示，库存增长的主要在于DRAM制造商需要提前预定生产所需要的原材料，以满足长期供应协议的产能需求。

现在DRAM制造商越来越依赖于长期供应协议，因为提供了更高的收益稳定性。不过现货价格飙升，也可能导致错失超高溢价收益。考虑到当下DRAM供应一直处于紧张状态，全球AI投资热潮持续，建设新产能还需要时间，估计很难在短时间内实现供需平衡。

今年5月，三星宣布开始向全球范围内的主要客户交付业界首批12层堆叠HBM4E样品。其采用了1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，搭配4nm（SF4）工艺的基础裸片（Base Die），初始速率为14Gbps，每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，12层堆叠提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上。

前一代时间三星确认，HBM4E项目进展顺利，很快会带来速率为16Gbps的产品。同时三星计划根据客户的需求，另外再提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。目前来看，当时三星所说的8层堆叠HBM4E有可能就是按照英伟达要求的设计。

虽然过去这些年里，HBM一直朝着更多堆叠层数的方向发展，但是并不代表低堆叠设计就没有生存空间，更低的DRAM用量及更高的良品率，可以降低成本，提升出货规模，更有利于大规模生产。

Galaxy S26 FE采用了居中开孔直屏 + 直角中框方案的设计方案，背部沿用竖排后置三摄模组布局，整体尺寸为161.6 x 76.9 x 7.4 mm，重量为193g；搭载的SoC是Exynos 2500，采用3nm工艺制造；搭配8GB容量的内存，可选128GB和256GB的存储容量；屏幕为6.7英寸的Dynamic AMOLED 2x屏幕，FHD+分辨率，支持120Hz刷新率，峰值亮度可达1900尼特；5000万像素主摄像头、1200万像素超广角摄像头和800万像素3X长焦摄像头，前置摄像头升级至1200万像素；支持Wi-Fi 6E和蓝牙5.4；内置4900mAh容量的电池，支持45W有线快速充电2.0和15W无线充电；支持IP68等级的防尘防水。

Galaxy S26 FE预装的One UI 9系统是基于Android 17打造，三星承诺提供七年的安全补丁更新。新机型提供了蓝莓紫、巧酥黑和开心果绿三种颜色可选，起售价为699.99美元（约合人民币4705.75元），目前已经在部分国家和地区开始接受预订，并于9月4日开始发售，暂时还不清楚是否会引入到国内销售。

与常规的LPDDR5X不同，这次使用的LPDDR5X-PIM加入了PIM (processing-in-memory) 技术，将嵌入式计算能力集成到内存里。如果最终GAIA确定应用LPDDR5X-PIM，那么意味着PIM技术终于脱离研发和验证阶段，实现了首次商业应用。

有报告指出，LPDDR5X-PIM使得部分数据能够在存储阶段就进行处理，而无需反复在内存与CPU或GPU之间传输，有助于缓解AI计算瓶颈，同时降低功耗。三星同时对采用LPDDR5X和LPDDR5X-PIM的SoC进行了验证，后者有明显的性能提升：LPDDR5X-PIM完成测试负载仅需5.4秒，普通LPDDR5X需要12.3秒，前者性能是后者的2.28倍；每秒输出量从27.0增加至81.3，两者之间差距达到了3.01倍。

三星早在数年前就表示，会将PIM技术扩展到各类DRAM上。虽然三星曾推出适用于服务器的HBM-PIM，并将PIM与LPDDR集成，但是出于技术和生态系统方面的挑战，商业化进程仍然受到很大限制。有分析指出，如果GAIA在AI PC市场获得客户的认可，最终实现大规模量产，那么PIM技术有望演变为设备端AI的关键解决方案。

据TECHPOWERUP报道，近日三星已经确认，将带来速率为16Gbps的HBM4E。目前HBM4E项目进展顺利，代表了三星在高带宽存储技术领域又一重要里程碑，能够实现令人印象深刻的高速性能。

三星结合了之前在HBM4生产实践中不断完善的前沿技术，在HBM4E上采用了1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，搭配4nm（SF4）工艺的基础裸片（Base Die），使其具备了更高的工艺稳定性和制造可行性。另外三星还结合了先进的低功耗设计技术，并优化了封装结构，使得HBM4E能效提升了16%，热阻特性比上一代提升了14%以上。

随着速率的提升，每堆栈带宽将提高至4TB/s，考虑到AI加速器可以搭配12个HBM4E，总带宽将相当可观。三星计划根据客户的需求，另外再提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。三星已经逐步解决了过去几年里DRAM制造方面遇到的技术和良品率问题，提供的HBM4E也更多地被英伟达所重视。

当前HBM架构由两大核心部分组成，包括：一个是C-die（Core Die），包含核心模块与DRAM芯片；另外一个是B-die（Base Die），也就是基础裸片，属于整个堆叠的底部，负责处理各类DRAM控制功能，通过PHY（物理接口层）与计算模块（XPU：包括GPU和TPU等）通信。C-die和B-die通过TSV（硅通孔）连接，然而TSV存在数量与间距的物理极限，而且PHY也面临类似的问题。

为了解决相关的问题，三星将重点放在了基础裸片，具体路径为：升级到先进逻辑工艺→定制HBM（CHBM）→高级HBM（AHBM）→zHBM（真正3D垂直堆叠）。目前三星已经在HBM4的基础裸片上采用4nm工艺，以解决热量、信号延迟和能效问题，这是整个升级路径的起点。第二阶段开始在B-die扩展功能，比如集成内存控制器和部分计算处理单元等，也就是定制HBM。第三阶段就是zHBM，彻底消除2.5D中介层，DRAM直接放在计算模块，三星展示的是四堆栈zHBM叠加在一个XPU上。

三星表示，相比于HBM4E，zHBM能降低70%功耗、提升230%带宽，每个DRAM模块能减少100W功耗，并为计算芯片额外释放出8.3%的功率空间。为了实现zHBM，三星还在开发先进封装技术，比如WoW（Wafer on Wafer）和HCB（Hybrid Cube Bonding），以实现超高I/O密度，构建统一的SoC-DRAM设计。

据TomsHardware报道，近日有两位知情人士透露，三星4nm产线自去年末起，已经满负荷运转。同时三星上个月提高了4nm、5nm和8nm代工的报价，中国大陆和美国客户接受了4nm的最大涨幅，上涨10%至15%，5nm的涨幅与4nm差不多，而8nm则上涨了大概10%。

中国大陆的客户订单已经超过了三星的承载能力，一方面优先级不如美国的客户，另一方面三星还要保留一些产能给自家芯片。数据显示，2023年至2024年之间，三星对中国大陆的芯片出口增长了54%。

目前台积电的前沿产能都被AI芯片订单预订，加上价格不断抬升，不少科技公司都在寻求其他产能。对于三星来说这很有利，不但可以承接台积电溢出的订单，而且可以在一定范围内提高报价，减轻了业务部门的营收压力。

自2022年以来，三星晶圆代工部门就一直处于亏损，按照现在的趋势，最快明年实现盈利。

三星将与《使命召唤》的团队一起，将HDR10+ GAMING技术整合至《使命召唤23：现代战争4》，有助于实现更准确的色彩和对比度，支持反映出开发者创作意图的沉浸式视觉体验。另外游戏支持32:9超宽显示比例，为使用“带鱼屏”的玩家带来更宽的画面，在游戏里感受到更广阔的空间感。

作为合作的一部分，三星游戏中心将于太平洋标准时间2026年8月21日9:00（北京标准时间8月22日0点）播放《使命召唤：NEXT》直播视频流。三星还将通过Samsung Promotion发放游戏测试版抢先体验密钥，在8月21日至25日体验《使命召唤23：现代战争4》测试版。

另外三星还将在2026年8月26日至30日的2026科隆游戏展上，在其展位提供《使命召唤23：现代战争4》的早期试玩。

三星的设备解决方案部门（DS）投资金额为25.603万亿韩元（约合181.75亿美元/人民币1226.38亿元），同比增长23.5%，重点是发展下一代存储技术、扩张先进工艺产能及相关基础设施。SK海力士投资金额为17.595万亿韩元（约合124.92亿美元/人民币842.8亿元），同比增长56.4%，加大投资以满足对HBM、大容量DRAM和企业级SSD等AI存储增长的需求。

目前三星和SK海力士的生产设施都处于满负荷运行状态，今年上半年都达到了100%的使用率。

与此同时，三星和SK海力士的研发支出在2026年上半年也出现大幅增长。三星的研发支出达到27.363万亿韩元（约合194.28亿美元/人民币1310.69亿元），同比增长51.5%，创下了六个月内的最高纪录，不过三星没有单独列出设备解决方案部门的部分。SK海力士的研发支出几乎翻倍，达到6.043万亿韩元（约合42.91亿美元/人民币289.46亿元），同比增长98.4%，相当于2025年全年的90%左右。

随着AI芯片的竞争范围扩大，客户结构也发生了变化。

2026年上半年，英伟达的业务占SK海力士总收入的13.35%，低于2025年的24%，原因是随着更多科技公司转向自研芯片，客户变得多元化。2026年上半年前五大客户贡献了三星总收入的25%，其中也没有英伟达，不过有苹果、谷歌和亚马逊等。