三星去年发布了世界首款3bit MLC闪存SSD——840系列（悄悄说下，三星目前已经不再提TLC闪存的说法，统一叫做3bit MLC闪存，而我们常说的MLC则是2bit MLC），前不久又推出了840的继任者840 Evo，闪存的类型没有变化，不过制程工艺、主控改进很大，不仅新增了750GB、1TB容量，而且120GB的读写速度也提升非常明显。

　　虽然改名叫做3bit MLC闪存了，但是大家对这种NAND闪存最大的担心依然是可靠性，因为TLC闪存的P/E次数从目前MLC闪存的3000-5000次降低到了1000次左右，对于这个问题，三星官方又是如何看待的呢？

　　Tomshardware网站的AMA（Ask Me Anything）访谈上次采访的是高通，这一次轮到三星了，主要谈论的是三星在存储市场的表现，问题涉及了为何退出HDD市场、下一代SATA Express接口、三星首款PCI-E接口的XP941 SSD、奇特的三核主控、840 Evo等等，其中的相当多的内容都集中在了840 Evo所用的3bit MLC闪存的可靠性上，来看一下三星官方的回复。

　　三星是首家成功把3bit MLC带到SSD中的公司。一般来说有三个因素决定了SSD使用寿命：NAND类型、写入负载的类型和数量以及SSD容量。如你所见，NAND类型（2bit MLC还是3bit MLC）只是影响SSD使用寿命的一部分因素。（三星这大事化小的能力很强大啊）

　　3bit MLC闪存本来不是SSD的选项之一，但是有两件事使之成为可能：首先是SSD容量的增长使得可靠性不再是问题。另外，负责读写SSD闪存的主控/DSP技术每年也在进步中。举例来说，容量从64GB提高到128GB，SSD的使用寿命提高了一倍，容量再提高到256GB，那么使用寿命还会再次翻倍。如果现在还在用64GB的的SSD，那么3bit MLC是不可能承担得起每天40GB的写入量的。

　　总之，SSD容量的提升使得可靠性不再是问题，以往在小容量SSD上实现不了的每天40GB写入量（之前的算法认为每天通常写入10GB）对现在的SSD已经不是问题。

　　三星自己的测试使用的是256GB的3bit MLC闪存SSD以每天40GB的写入量持续测试PCMark，达到NAND寿命极限大约需要13.5年，这个期限对SSD来说已经是相当长的时间了，要知道13年前的HDD容量也不过20GB。

　　此外，一些评测显示3bit MLC闪存甚至可以承受（比官方测试）更多的写入次数，如果换用2bit MLC闪存，那么使用寿命可达47年。问题是你真的需要13年的使用时间吗？（以每天40GB写入来计算）。如果你有这个需要，那么2bit MLC更适合你，但是大部分人并没有每天写入40GB、持续13年的需求，实际上13年的时间很多人连电脑都淘汰升级了。

　　后面还有一个有关MRAM（磁随机存取存储器）的提问再次谈到了NAND可靠性的问题，三星的回答也类似。在官方的看法中，随着SSD容量的提高及主控技术的进步，3bit MLC的可靠性已经不是问题，至少对不需要大规模持续写入的普通消费者来说不是问题。