据官方称，这一新固件带来了多项改进和优化，为用户提供尽可能好的使用体验，当然，最重要的是修正了之前导致硬盘出错的重大问题。

　　有需要的用户可以在这里下载最新的固件。

　　32Gb MLC闪存颗粒的写入寿命可达3万次，比普通芯片的写入寿命多6倍，而16GbSLC闪存颗粒的写入寿命为30万次，比同类芯片多3倍。

　　美光34nm企业级闪存芯片支持ONFI（Open NAND Flash Interface）2.1同步接口，其数据传输速度达200MB/s，可通过多die封装技术制造出32GB MLC或16GB SLC颗粒。

　　美光32Gb MLC和16Gb SLC闪存目前已经开始试产，预计将于明年初进入量产。

　　Intel首款34nm固态硬盘由于出现bug引起了不小的风波，但是总算在上月底顺利上市，日前公司透露将在今年第四季度推出另一款34nm固态硬盘——X25-V。

　　V代表Value，暗示其性能不凡，但是这款产品的价格将更为亲民。这将是Intel的首款40GB SSD，预计将应用于笔记本平台，因为笔记本对价格和电池寿命的要求较为严格。

　　新固件适用于黑色外壳的50nm X25-M/X18M和银色外壳的34nm X25-M两代产品，升级后“能确保固态硬盘发挥最佳性能”。随着新固件的发布，Intel 34nm SSD也将立刻恢复出货。

　　升级方法：点击这里下载ISO镜像，刻录到CD光盘上做成启动盘，启动到DOS环境下，然后根据屏幕提示操作即可。

　　Intel已经决定，在问题得到解决之前暂时停止该款SSD的出货，并建议已经购买的用户不要更改、删除或创建BIOS密码。据Tomshardware称，Intel将在本周内发布新的固件。

　　因此，Intel给出以下两条建议：

　　第一：不要给34nm X25-M固态硬盘设置BIOS硬盘密码；

　　第二：如果已经加密的话，请不要更改密码或取消加密。

　　Intel承诺将很快发布新固件来解决这一问题。

　　据称该SSD除了闪存芯片工艺提升外，在主控芯片和固件方面均有所改善，最大读写速度依然保持在250MB/s和70MB/s的水平，但4KB随机读取性能提升至35000IOPS，而4KB随机写入性能亦提升至6600IOPS（80GB）、8600IOPS（160GB）。Intel还将发布新固件以支持Windows 7 TRIM指令，并且还会发放优化工具以提升在XP/Vista系统下的性能。

　　售价方面，80GB版本为225美元，折合人民币1500元；160GB版本为440美元，折合人民币3000元，着实比50nm工艺同容量SSD发布时的价格（595/945美元）便宜了不少。

　　据称，除了X25-M系列SSD很快就会推出了，而稍后Intel还将会推出采用34nm SLC闪存芯片的X25-E、X18-E系列。

　　其实按照Intel之前的路线图，X25-M/E、X18-M系列SSD都将会迈进34nm工艺，容量也将会翻倍，不过这些都要等到今年第四季度。不过似乎其研发进展非常顺利，据INQ表示，采用新工艺闪存芯片的SSD将会提前到未来两周发布，不过该消息目前并未得到Intel官方确认。

　　采用34nm工艺NAND闪存芯片将能够带来更佳的性能以及更大容量，最为主要的是还会带来更低的价格。Intel 34nm SSD将包括80GB、160GB以及320GB容量。

　　据DRAMeXchange的调查显示，SSD今年在Notebook上仅仅只有1~1.5%的份额，但随着闪存制作工艺的提升及Windows 7对SSD的特别优化，Intel对2010年的SSD市场前景非常乐观。

　　这种多层式NAND闪存芯片切割自300mm晶圆，测量面积仅为172平方毫米，远低于其他同类产品，它符合标准的48引脚TSOP封装。英特尔和美光相信这种颗粒的成本效益更高，它将大量运用在一些高密度固态存储的设备，包括数码相机、个人播放器和数码摄像机。此外，该芯片还将使用在固态硬盘，有望降低产品成本。

　　预计到今年年底，这家联合公司的莱希工厂将有超过一半是拥有34nm制程产品的生产能力。他们还计划在2009年开始取样基于34nm制程下的低密度多层及单层式(SLC)闪存芯片。

消息来源：[Intel and Micron]