与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是（传统）DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。

三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进，2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片，后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称，三星18nm工艺开发代号为Pascal（帕斯卡），现在则在开发代号为Armstrong（阿姆斯特朗）的17nm工艺，预计今年底正式完成研发，2018年正式量产17nm工艺。

未来两年三星还会研发代号Kevlar（凯夫拉）的16nm工艺，预计在2020年早些时候大规模量产。

三星现在的产能主力还是20nm工艺（代号Boltzmann，玻尔兹曼），18nm产能正在稳步提升，预计明年18nm工艺就会占据主要份额。

“在1x（18nm）、1y（17nm）及1z（16nm）工艺之后，DRAM内存制造工艺还会减小到1a、1b、1c、1d等”，三星电子DS设备解决方案部门的经理Jung Eun-seung称三星需要开发与现有材料不同的、新的半导体材料，还要提高制程工艺的稳定性以便能大规模量产。

目前NAND闪存和DRAM都在涨价、缺货，小超哥（ID：18680462854）也深深地感觉到了内存价格的变化，最近大家买过内存没？可以加小超哥（ID：18680462854）好友，跟我们分享DRAM内存最近的变化。

DRAMeXchange分析师Avril Wu在最新报告中指出PC OEM厂商原本以为三星、美光升级18nm、17nm工艺的内存芯片之后，内存产品供应量会加大，有助于缓解内存缺货涨价的问题，不料天不遂人愿，内存厂商在新制程转换上遇到了良率、样品认证等问题，以致于Q2季度的供应还会继续吃紧，价格继续上涨也是定局。

Q1季度4GB DDR4内存模组的合约价为24美元，但是Q2季度将达到27美元，上涨12.5%，创下三个月来的新高。

三星去年3月底就率先宣布量产18nm工艺内存，当初写这个新闻时业界给出的预期是下半年内存价格会大降40%，结果......但是从当时的情况来看，业界预期降价也是有理由的，因为18nm工艺的内存容量更大，性能更好，产能也会更多，一旦三星大规模量产，内存产品按理说确实会降价，只是没想到市场情况发生了变化。

就18nm工艺来说，三星在20nm之后的节点也遇到了很多技术困难，这不仅与芯片设计、制造有关，甚至在某些平台上还出现了兼容性问题，因此18nm内存的出货遭遇延期，市场供应依然紧缺。

美光公司Q1季度宣布出样17nm工艺的新一代内存，但是进展也比预计的晚一些，美光很可能推迟到今年Q2季度之后再来量产17nm内存。

相比美光、三星，SK Hynix是唯一一家没有宣布制程工艺转换的内存公司了，其DRAM内存产品维持正常出货。

这三家内存厂商在新技术转换过程遇到的问题说明了20nm工艺之后制程升级的门槛提高了，过程要比想象中困难，耗费的时间也比预期更久。

除了PC内存在Q2季度涨价12.5%之外，其他市场的内存也会涨价，服务器内存预计涨价10-15%，不过Q2季度移动内存涨价幅度可能只有5%，之前最热门的市场现在反而涨幅最低，这主要是因为中国市场上的智能手机需求下滑，出货量放缓所致。