这次出事的内存芯片主要是高端的服务器芯片，Digitimes援引业界消息称三星、SK Hynix的18nm DRAM芯片遇到了技术问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

由于18nm良率不稳，服务器DRAM芯片的供应已经非常紧张，用于数据中心的高端服务器内存会更加紧张。此外，由于服务器DRAM芯片供应的不稳定性增加，DRAM芯片Q3季度降价的速度可能比预期更快。（PS：原文说的就是降价，按理说供应不稳的后果不是涨价吗？）

不过出事的三星、SK Hynix内存主要是针对高端服务器市场的，这个问题对笔记本、PC及其他消费级产品的内存来说影响不大，消息人士认为这次曝出的问题不会对整体的DRAM芯片供应产生重大影响。

来自IC经销商的消息称，由于18nm DRAM芯片不稳定，包括阿里巴巴、腾讯、华为、联想在内的中国公司已经开始争抢20nm芯片订单。

与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是（传统）DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。

三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进，2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片，后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称，三星18nm工艺开发代号为Pascal（帕斯卡），现在则在开发代号为Armstrong（阿姆斯特朗）的17nm工艺，预计今年底正式完成研发，2018年正式量产17nm工艺。

未来两年三星还会研发代号Kevlar（凯夫拉）的16nm工艺，预计在2020年早些时候大规模量产。

三星现在的产能主力还是20nm工艺（代号Boltzmann，玻尔兹曼），18nm产能正在稳步提升，预计明年18nm工艺就会占据主要份额。

“在1x（18nm）、1y（17nm）及1z（16nm）工艺之后，DRAM内存制造工艺还会减小到1a、1b、1c、1d等”，三星电子DS设备解决方案部门的经理Jung Eun-seung称三星需要开发与现有材料不同的、新的半导体材料，还要提高制程工艺的稳定性以便能大规模量产。

目前NAND闪存和DRAM都在涨价、缺货，小超哥（ID：18680462854）也深深地感觉到了内存价格的变化，最近大家买过内存没？可以加小超哥（ID：18680462854）好友，跟我们分享DRAM内存最近的变化。

DRAMeXchange分析师Avril Wu在最新报告中指出PC OEM厂商原本以为三星、美光升级18nm、17nm工艺的内存芯片之后，内存产品供应量会加大，有助于缓解内存缺货涨价的问题，不料天不遂人愿，内存厂商在新制程转换上遇到了良率、样品认证等问题，以致于Q2季度的供应还会继续吃紧，价格继续上涨也是定局。

Q1季度4GB DDR4内存模组的合约价为24美元，但是Q2季度将达到27美元，上涨12.5%，创下三个月来的新高。

三星去年3月底就率先宣布量产18nm工艺内存，当初写这个新闻时业界给出的预期是下半年内存价格会大降40%，结果......但是从当时的情况来看，业界预期降价也是有理由的，因为18nm工艺的内存容量更大，性能更好，产能也会更多，一旦三星大规模量产，内存产品按理说确实会降价，只是没想到市场情况发生了变化。

就18nm工艺来说，三星在20nm之后的节点也遇到了很多技术困难，这不仅与芯片设计、制造有关，甚至在某些平台上还出现了兼容性问题，因此18nm内存的出货遭遇延期，市场供应依然紧缺。

美光公司Q1季度宣布出样17nm工艺的新一代内存，但是进展也比预计的晚一些，美光很可能推迟到今年Q2季度之后再来量产17nm内存。

相比美光、三星，SK Hynix是唯一一家没有宣布制程工艺转换的内存公司了，其DRAM内存产品维持正常出货。

这三家内存厂商在新技术转换过程遇到的问题说明了20nm工艺之后制程升级的门槛提高了，过程要比想象中困难，耗费的时间也比预期更久。

除了PC内存在Q2季度涨价12.5%之外，其他市场的内存也会涨价，服务器内存预计涨价10-15%，不过Q2季度移动内存涨价幅度可能只有5%，之前最热门的市场现在反而涨幅最低，这主要是因为中国市场上的智能手机需求下滑，出货量放缓所致。

高启全被称为台湾存储芯片之父，他之前担任过台湾知名DRAM芯片公司华亚科董事长及南亚总裁，去年被求贤若渴的紫光公司挖走担任全球副总，主管紫光旗下的存储芯片业务，今年1月份又担任了长江存储科技的执行副董，研发中国国产DRAM的消息就是他对外公布的。

根据Digitimes报道，长江存储已经组建了500多人的研发队伍，正在开发自己的DRAM制造技术。至于国产DRAM内存到底是什么技术水平，原文报道称很可能直接进入20/18nm工艺——如果是真的，那么这个技术水平确实很先进了，虽然三星两年前就量产20nm工艺了，不过美光、SK Hynix公司今年才会完成制程转换，而18nm目前就只有三星一家大规模量产，其他两家还在准备中。

除了自己研发之外，长江存储也欢迎国际合作，高启全称长江存储对与美光合作依然感兴趣，这会是双赢合作。长江存储将是美光最佳合作伙伴，与长江存储合作将进一步扩大美光与韩国公司的竞争力——美光公司最早就是紫光公司在存储芯片领域的合作目标，但限于美国的政策，紫光不论是收购股份还是双方投资合作都存在不确定性，现在来看紫光对美光的合作一直感兴趣，可惜美光方面是没法轻易接牌的。

根据高启全所说，长江存储2017年内将会出样32层堆栈的3D NAND闪存，此外还在开发更先进的64层堆栈产品，他指出NAND方面长江存储只比主要NAND供应商落后一代技术。

长江存储将在中国武汉、南京建设两座晶圆厂，每家晶圆厂的产能都达到了每月30万片12英寸晶圆。

高启全指出在技术成熟之前长江存储科技研发的产品并不会进入生产阶段，而且长江存储无意破坏存储市场的价格——也就是说长江存储不打算走中国厂商的老路，那就是通过价格战去抢占市场。

清华紫光持有长江存储科技51%的股份，其他股份在中国大基金、湖北集成电路投资基金及湖北科技投资基金手里。

三星18nm芯片召回的爆料源头是台湾Digitimes网站，因为这批内存主要流向了OEM厂商，中招的公司包括华硕、惠普、联想及戴尔等公司，这些18nm工艺的内存有可能会导致系统蓝屏，需要召回的数量规模达到10万以上。

至于为何出现这样的问题，台湾媒体援引行业人士分析说是三星为了加快18nm芯片的出货速度、提高产量，强行缩短部分流程,导致产品存在隐患、瑕疵，最终引发了召回事件。——这听上去很像三星Note 7手机的事故，不过1月份三星才郑重宣布对电子产品采取更严格的质量控制措施，难道这么快就又出问题了？

现在三星官方对这个问题也有了回应，Xbit网站援引官方评论称这是谣言，否认了召回事件。不过该网站并没有提到官方说法的链接，我也搜索了下相关报道，这两天报道三星召回18nm芯片的新闻较多，而辟谣的还不多，只是有一点可以肯定，DRAM芯片召回的先例太少了，因为真是OEM厂商那边的产品出了问题，召回的往往也是整机产品，OME厂商跟供应商如何处理就是他们内部的问题了。

三星是首家采用18nm工艺生产DRAM的厂商，相应的产品目前已经占据三星DRAM业务20%的产值，因此这次召回对于三星的影响不亚于Note 7的自燃。据TechNews的消息显示，这次需要召回的18nm工艺DRAM芯片主要用于生产4GB以及8GB容量的内存，产品主要流向OEM厂商，召回的数量规模达到十万以上。这些采用问题芯片打造内存会导致系统蓝屏等问题，目前华硕、惠普、联想和戴尔等多家厂商均有中招，而且从现有状况来看影响范围还在扩大。

有业内人士分析，先前由于内存产品售价持续走低，DRAM芯片存在明显的成本压力，为此三星积极地推进18nm工艺，希望进一步降低生产成本，提升自家产品竞争力并维持足够的利润。不过由于随后内存产品的缺货以及DRAM芯片的高需求，三星可能为了加速18nm工艺产品的出货速度，强行缩短了部分流程，导致产品存在瑕疵和隐患，最终引发这次召回事件。

如果你对三星还有什么其他问题的疑问，可以咨询小超哥（微信：18680462854），说不定比三星更快知道原因哦~

DRAM内存芯片的工艺“代”数跟我们常见的22nm、14nm、10nm处理器工艺不同，25nm工艺之后是20nm，有的厂商则是21nm，再往下就是18nm，不过目前只有三星量产了18nm工艺，SK Hynix及美光目前还挣扎在20nm节点，18nm工艺要等到明年。

内存芯片的工艺路线图

三星今年初率先量产了18nm工艺，但是明年就要推出新一代工艺了。韩国Business Korea网站援引业界消息称三星明年下半年将量产15-16nm工艺的DRAM内存。从这一点上来看，三星去年宣布的2020年前实现10nm级内存工艺的进度可能会提前，2019年就有可能了。

除了继续领先新工艺，三星的18nm工艺产能也会扩大，到了明年下半年，18nm内存将占到30-40%的产能——那个时候，SK Hynix和美光的18nm大概才会量产吧。

在DRAM内存领先，虽然目前只剩下了三星、SK Hynix和美光三家厂商，但三星一家独大的情况并没有改变，甚至还可能会继续领先。iHS统计的数据显示三星在内存市场上的份额高达46.6%，不仅产能大，而且技术领先，在20nm、18nm上已经甩开对手一年到一年半时间。

美国调研公司IHS日前公布了2015年全球DRAM内存市场报告，三星在全球的占有率达到了45.3%，其次是SK Hynix的27.7%，这两家韩国公司加起来就占据了全球DRAM市场的73%，Q4季度更是达到了74.5%，创造了历史新高。

具体细分上，服务器内存芯片市场中，三星份额高达50.3%，SK Hynix达到了32.2%，两家合计82.5%，美光的份额只有17%。

移动内存市场上，三星占有率达到了52.7%，SK Hynix大约是27.1%，两家分走了8成份额，留给其他厂商的空间也不大。

这两家不光是份额上领先，技术上的优势也在加大。三星前几天宣布率先量产18nm工艺的DRAM内存芯片，这是2014年三星率先量产20nnm工艺的DRAM之后再一次领先其他厂商。SK Hynix的18nm工艺还在研发中，预计今年底完成技术研发，明年可以量产。

但是美光与前两家的差距就大多了，上月底公布的财报中美光录的净亏损9700万美元，DRAM及NAND营收都在下滑，20nm DRAM内存芯片虽然已经量产了，但所占比例并不高，预计到今年Q3季度才能占到内存芯片一半的比例，新一代的18nm工艺遥遥无期。

跟处理器芯片一样，制程工艺越先进，每一代工艺的进步在外人看来感觉是越来越小了，CPU工艺好歹是从22nm进步到14/16nm、NAND也是从20nm进步到16/15nm，内存工艺这次只是从20nm进步到了18nm，线宽只缩小了2nm，是不是感觉没什么变化。

实际上并不是这样，虽然集成电路的生产制造过程都差不多，但具体到不同产品上又有很大不同。在20nm节点上，三星、SK Hynix及美光还可以使用45nm工艺级别的半导体印刷设备，但再往下就难了，工艺需要改进，三星已经开始启用双重曝光工艺，很多制造设备都是需要改进或者升级的。从20nm到18nm，三星的DRAM内存能效据称提升了20%。

现在的情况是，三星已经开始量产18nm工艺DRAM内存，为了进一步提升产能，三星还在安装更多的半导体设备，预计今年夏天产能会大幅提升。

其他两家对手的进度没这么快，他们的20nm工艺才量产不久，SK Hynix的18nm级别工艺还在开发中，而美光这两年的日子不好过，研发进度就更慢了，20nm工艺才刚量产，18nm工艺还很遥远，消息称美光有可能落后三星2年左右。

不过对内存厂商来说，今年最大的问题恐怕不是产能和工艺，而是市场和价格。PC需求不断下降，智能设备市场增速也没之前那么高了，但20nm产能不断扩大，所以之前有预测称今年DRAM内存市场会迎来大降价，最高甚至会降40%。

　　图中的ITRS（半导体国际技术路线图）并非一家公司，而是国际组织制定的、反应NAND整体工艺进展的路线图。从ITRS的路线图来看，业界在2012年的主流是20nm工艺阶段，今年的主流则是18nm，年底则会升级到16nm。

　　还是来看各个厂商的具体工艺路线图吧。美光、Intel合资的IMFT会在2013年Q3季度升级到18nm工艺，三星及SK Hynix升级新工艺的节点也在Q3季度，但是前者会升级到16nm工艺，SK Hynix则会升级到15nm。

　　东芝、SanDisk合资的NAND厂升级19nm比其他厂商要晚一些，不过升级到未来的1xnm工艺进度要比其他厂商快，今年Q2季度就会开始制程转换，只是现在还不知道东芝的1xnm工艺到底是多少。

　　虽然制程工艺在升级，MLC依然会是四大NAND厂商的主要选择，但是线宽的降低也给MLC带来更多的挑战，漏电流控制栅极都会导致可靠性进一步减少。低电压及低线宽（工艺越高线宽刻度越小）都会给MLC带来严重挑战。

　　为了进一步提高芯片密度，厂商们还准备将目前的2D工艺升级到3D工艺，这样可以在一个上硅芯片上布置2层电路，这就是常说的3D堆叠工艺。

　　期待在2013年晚些时候见到3D堆叠的NAND。