在本周的ISSCC会议上，三星半导体业务总裁金己男（Kim Ki-nam）在主题报告中展示三星正在开发的10nm工艺，这是全球首个针对移动芯片开发的10nm FinFET技术。不过他并没有提到10nm FinFET工艺的具体细节，预计该工艺会在2016年底到2017年期间问世，进度跟Intel的10nm 3D晶体管工艺差不多了。

此外，10nm工艺之后还会进入7nm及5nm节点，由于晶体管变得越来越薄，金己男表示7nm之后人们应该会使用新一代的晶体管结构，比如GAA FinFET（gate-all-around，全环栅）技术，这种晶体管会有2-4个等效栅极，它不仅可以使用硅基材料制作，还可以使用InGaAs铟镓砷材料制造。

台积电与ARM公司已经开展多年合作，他们早前在20nm和16nm工艺上就已经有相当丰富的合作经验，双方确信未来10nm FinFET工艺将为ARM处理器行业带来更加的效能和功耗优势。早前台积电与ARM已经完成16nm FinFET工艺下的64位big.LITTLE架构ARM处理器的生产验证，华为海思也成为了台积电16nm FinFET工艺的首个客户。

目前台积电和ARM公司正在就10nm FinFET工艺展开紧密合作，双方对此次合作都充满信心，都希望合作成果可以为客户提供先进的制程工艺，同时为客户产品的开发加速。

TSMC上周公告称他们目前已经在试产16nm FinFET工艺，商业化量产预计在2015年早些时候。与此同时，TSMC还开发出了改进型的16nm FinFET+工艺，预计在2015年晚些时候量产。TSMC预计大多数客户会从16nm FinFET工艺升级到16nm FinFET+工艺，因为后者的优势更大。

与16nm FinFET相比，16nm FinFET+工艺在同样的功耗下性能提高了15%，在同样的频率下功耗则降低了30%，相比20nm工艺则会有40%的速度优势。

此外，16nm FinFET+与16nm FinFET的设计规则是一样的，大部分要求都是互相兼容的，16nm FinFET的芯片设计只需要非常小的改动（如果需要的话）就能用到到16nm FinFET+工艺上，客户迁移到新工艺的成本及花费的时间都会很低。

TSMC预计16nm FinFET+工艺在今年9月份就会完全合格，他们还表示95%的晶圆厂都可以使用16nm FinFET+工艺，而目前正在生产以及准备生产20nm工艺的95%晶圆厂都可以上马16nm FinFET工艺，因此TSMC预计未来转移到16nm FinFET及16nm FinFET+工艺的时间会很快。

首批16nm FinFET+工艺芯片流片会在2014年完成，其余45个芯片流片预计在2015年完成，此前TSMC公布的今年16nm FinFET工艺芯片流片数量是16个。

除了16nm FinFET及16nm FinFET+工艺之外，TSMC还规划了下下代的制程工艺——10nm FinFET，这是该公司第三代FinFET工艺，在提高性能及降低功耗上有进一步的改进。TSMC预计，与16nm FinFET+相比，同样的功耗下10nm FinFET的频率提升25%，而同样的性能下功耗降低45%，晶体管密度则是16nm FinFET+工艺的2.2倍。

目前10nm FinFET工艺还在开发中，2015年Q4季度会进行试产。

如果进展一切顺利，那么NVIDIA、AMD以及高通公司将在2015年开始使用16nm工艺，2016-2017年间使用10nm FinFET工艺。

　　UMC执行长Po Wen Yen（顏博文）表示，“IBM是半导体制造技术领域中公认的领袖，我们非常高兴在基础制造方面加入IBM联盟，这将有助于提升我们在高竞争力半导体制造技术上面的经验提升。我们是世界上最顶尖的半导体晶圆厂，迫切需要最先进的制造工艺以保证客户下一代芯片设计早日投产。我们期待与IBM深度合作以缩短我们10nm FinFET工艺的研发周期以创建UMC、客户双赢局面。”

　　2012年IBM和UMC已经达成了14nm FinFET工艺的合作协议，此番协议将深化双方的合作。在IBM的支持下，UMC会继续提升他们开发14nm FinFET工艺以提供业界领先的低功耗芯片制造技术，双方达成的10nm工艺基础技术开发协议也将满足UMC客户未来的需求。

　　根据协议，UMC将派出一位工程师到位于纽约州奥尔巴尼市的研发中心参与10nm工艺研发，UMC的14nm FinFET及10nm工艺具体实施则会在台湾的研发中心。