iNAND 7232升级至eMMC 5.1接口，采用新的15nm工艺TLC NAND，容量从32GB起步，往上还有64GB和128GB，根据容量不同会搭配500MB至1GB容量的SLC缓存用于加速。支持命令队列，可提升随机I/O读取性能。

作为对比，上一代的iNAND 7132方案为eMMC 5.0 HS400接口，采用1Ynm TLC NAND，容量16GB起步，往上是32GB和64GB，同样拥有SmartSLC技术。

性能方面，iNAND 7232连续读取性能是280MB/s，和iNAND 7132一样，而连续写入性能则从125MB/s提高到150MB/s。另外，新的eMMC 5.1接口还支持命令队列技术，这将会为iNAND 7232带来更好的随机读取性能。

或许大家会联想到三星和SK Hynix的UFS 2.0接口闪存方案，这种方案性能更加暴力，不过闪迪的iNAND 7232要解决的是那些想要高性能的同时又希望成本能尽量低的需求，定位是不一样的。闪迪目前已经向合作伙伴送出iNAND 7232测试样品，相信搭载这种方案的产品将会在秋季陆续发布。

eMMC 5.1支持命令行序列，能够大幅度提升闪存的性能表现，另外还支持安全写保护功能，可提升安全性。东芝这次推出了四款eMMC 5.1的产品，容量从16GB到128GB，封装尺寸为11.5*13mm，厚度则根据容量从0.8mm到1.2mm不等。

东芝预计在今年第二季度开始量产这些eMMC 5.1闪存，在不久的将来我们可以看到高端移动设备中大量使用eMMC 5.1的产品。