美光5210 ION是一款企业级的SATA硬盘，2.5寸7mm的盘型，容量有1.92TB、3.84TB和7.68TB三种，使用美光64层堆叠3D QLC闪存，各个容量的连续读取速度均是540MB/s，写入速度分别为260MB/s、350 MB/s和360MB/s，4K随机读写性能分别为70k/13k、83k/6.5k、90k/4.5k IOPS。

它的主要目标是取代现在服务器上的万转硬盘，与之相比5210 ION的随机读取速度提高了175倍，随机写入速度提高了30倍，连续传输速度提升了两倍，每TB能效比提升了三倍，更重要的是体积小巧，2.5英寸的盘型可以让用户把两倍数量的5210 ION SSD装到一个2U机架里面，更节约空间，非常适合密集型工作负载，比如人工智能、机械学习、深度学习和实时分析、大数据、对象存储、商业智能、NoSQL数据库和媒体流等。

美光以TensorFlow负载为例，用5210 ION的时候TFRecord创建，摄取和图像分类速度是万转硬盘的八倍，100,000个图片2.3TB的数据在硬盘平台上耗时15.17，而美光5210 ION只用了1.87小时就完成了任务。

美光5210 ION目前已经大规模生产，已经向全球的分销商、经销商和系统制作商供货，具体价格没有说，不过美光表示可以与万转硬盘相媲美。

三星的QLC会采用第四代V-NAND技术，也就是64层3D堆叠生产，Die Size直接达到了1Tb，而三星推出的首款消费级QLC SSD的最大容量是4TB，同时也有2TB和1TB的产品，接口依然是SATA的，盘体是传统的2.5英寸7mm，连续读写速度为540/520MB/s，质保期三年，而现在的860 PRO/EVO则为5年。

QLC相比TLC来说由于电位增加了一位，在存储密度增加的同时对电荷处理的的难度也在增加，控制器也会花更多时间去除了这些电荷信息，不过三星表示使用TurboWrite技术的话可以使QLC SSD的性能维持到和TLC SSD一个水平。

而且大家有没有发现三星这次拿出的QLC SSD都是大容量的，直接从1TB起步，因为它的Die Size是1Tb，所以即使是4TB容量的产品也就总共32个Die，到了1TB的就剩下8个Die了，如果进一步降低容量减少Die数量的话就很难维持SSD的读写速度了，再加上QLC闪存性能本能就不怎么样，所以应该不太可能会见到小容量的QLC SSD。

三星暂时还没有公布他们QLC SSD的具体命名还有价格和上市时间，可能在本周在加州圣克拉拉举行的闪存峰会上会公布进一步信息。

AnandTech表示Intel已经在开始使用3D QLC闪存生产他们的第一款数据中心SSD，会直接使用PCI-E接口，应该会有PCI-E卡的版本和U.2的版本，目前还不知道这款SSD的正确名字，知确定它会是数据中心产品中新D5系列产品的一部分，这也预示着Intel会采用全新的SSD命名方法。

这款产品预计会在8月7日到9日的闪存峰会上发表更多的信息，Intel副总裁Rob Crooke会在8月8日发表主题演讲，其实早些时候Intel就表示过要开发20TB的2.5寸QLC SSD，容量非常大，不过厚度可能达到15mm，而这些3D NAND将会在中国大连的Fab 68工厂生产，该工厂即将完成扩产，产能将增加75%。

预计Intel这款产品会成为市场上第一款采用QLC闪存的NVMe SSD，而美光之前推出的那款产品是用SATA接口的，目前两家都没有推出消费级QLC SSD的意愿，其实三星、东芝与西数都已经展示过他们的QLC闪存很长一段时间了，不过就只有东芝已经确认在生产64层堆叠的3D QLC NAND，三星已经把QLC推到新一代96层堆叠的产品中去了，然而96层堆叠工艺才刚刚投产，目前只生产小型的TLC闪存，三星今年内明年初都不大可能生产QLC闪存的SSD。