作为IT界的龙头老大，英特尔对HMC内存技术抱有很大的期望，其在IDF 2011大会的最后一天与美光联合宣布，两者已经决定携手发展HMC内存技术，目前已经有相应的样品出炉了。据双方称，现有的HMC内存样品能耗与低电压版DDR3内存大致相同，但是能够提供高达128GB/s内存带宽，是主流DDR3内存系统的10倍。

　　尽管HMC内存性能强悍，但是英特尔和美光并未有相应的量产计划，毕竟兼容性、封装难度等问题仍未解决。不过双方非常有信心，当业界真的需要这种技术的时候，一切难题都能迎刃而解。

　　消息来源：[Xbit-Labs]

　　美光方面表示，HMC内存技术最大的突破就是内存带宽，目前DDR3-1600内存可以提供的带宽为12.8GB/s，但是在展会上的HMC内存则可以提供128GB/s的带宽，而且功耗和体积仅有DDR3内存的10%。

　　当然，这并不是HMC内存的最终形态。据目前资料显示，HMC内存技术采用的是堆叠封装技术，将多层DRAM和一层逻辑电路共同封装，并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层起重要作用，其将扮演内存控制器的角色，以超高带宽总线与CPU连接，带宽最高可达DDR3内存的20倍。

　　HMC技术采用的是堆叠封装技术，将多层DRAM和一层逻辑电路共同封装，并采用TSV硅穿孔技术进行互联。其中逻辑电路层其重要作用，其将扮演内存控制器的角色，以超高带宽总线与CPU连接。

　　根据美光内存业务副总裁Brian M.Shirley表示，如今内存已经成为了电脑系统瓶颈之一，但归根到底是内存与CPU之间的总线带宽不足，内存芯片的数据无法即使传送至CPU进行处理。HMC技术将为电脑系统带来超高的内存总线带宽，这方面的系统瓶颈将不再存在。

　　据称，HMC内存芯片的性能将是DDR3内存芯片20倍以上，同时功耗和体积仅现有DRAM内存芯片的十分之一。HMC技术将首先应用于超级计算机等高性能领域，预计在2015-2016年进入消费级市场。

　　美光官方网站