• 克服种种困难，尔必达首次为DRAM工艺引入HKMG技术

    Blade 发布于2011-06-16 09:59 / 关键字： 尔必达, HKMG, 高K金属栅极, DRAM, 40nm

    　　日前内存芯片厂商尔必达（Elpida）正式宣布，他们将为40nm级别的DRAM制造工艺引入高K金属栅极（High-K Metal Gate，即HKMG）技术，用于开发2Gb的LPDDR2移动平台内存颗粒。

    　　高K金属栅极技术最早出现在英特尔的45nm工艺上，随后被GlobalFoundries、台积电等厂商引入并应用在各自的产品上。不过由于高K金属栅极形成后热处理温度高较高，加上DRAM内存芯片结构的限制，因此该技术一直无法引入至DRAM芯片的生产工艺当中。

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