28nm的四核心Cortex-A15处理器在核心面积上仅仅与双核心的Tegra 2相近，但功耗是只少不高，性能比起NVIDIA的Kal-El也是只强不弱，因此大部分的厂商都宁愿放弃四核心Cortex-A9处理器的计划，而静候28nmCortex-A15处理器的到来。不过，后者最快都要到2012年下半年正式出货，例如德州仪器的OMPA5系列产品就要2012年秋天方能面世。

　　在经过尔必达研究团队的努力后，他们成功降低了高K金属栅极的热处理温度，并克服了DRAM芯片结构限制的难题，最终成为业界首家将高K金属栅极技术引入DRAM芯片的厂商。据尔必达表示，新技术的引入将令产品的性能有较大提升，同时待机功耗亦得以大幅下降。

　　目前尔必达已经在40nm级别的工艺中应用高K金属栅极技术，未来还将对该技术进行评估和改进，争取尽快应用在30nm和25nm工艺上。

　　另一方面，NVIDIA的新一代双核心显卡相信也很快出炉，将与AMD的这款新双核旗舰上演一场王者对决，谁将是最后的赢家，让我们拭目以待。

　　 信息来源：[Fudzilla]

　　和60nm DRAM芯片相比，40nm DDR3芯片功耗降低40%。三星目前主要生产1Gb、2Gb和4Gb DDR3芯片，这些芯片将用于1GB、2GB、4GB、8GB、16GB和32GB服务器内存条。

　　三星半导体内存营销部门副总裁Jim Elliott表示，Xeon 5600系列服务器处理器搭配该DDR3内存提高数据传输率的同时还能降低服务器功耗。

　　日前在日本横滨举行的台积电日本高管论坛上，台积电研发部门高级副总裁蒋尚义谈及了近来招受热议的多个话题，包括40nm产能和良品率、28nm工艺、高K材料技术以及未来的22nm工艺等。

1、40nm工艺产能

　　蒋尚义表示，40nm工艺推出初期客户需求量就非常高，远远超过此前任何一代工艺，因此在产能上很难及时满足。

　　目前台积电Fab 12工厂每季度能够生产约8万块基于40nm工艺的12英寸晶圆，Fab 14也将很快加入生产行列，到今年底产能预计将翻一番，达到16万块。

2、40nm工艺良品率

　　蒋尚义称，40nm工艺的良率问题已经在去年下半年得以解决，目前台积电正在迅速扩充产能以满足客户的大量需求。

　　他指出，向45/40nm过渡过程中所遭遇的挑战是前所未有的，这是台积电第一次运用193nm沉浸式光刻技术，出现缺陷的几率更高。一开始台积电使用的是K值为2.5的第二代低K材料，材料非常脆弱，因此40nm量产初期很有难度。

3、28nm工艺

　　台积电28nm工艺的第一个版本是低功耗的28nm LP，引入了多晶硅栅和二氧化硅硝酸盐，将于今年六月底开始投产。

4、高K金属栅极

　　高性能版本的28nm HP工艺将首次引入高K金属栅极（HKMG）技术，预计在今年九月份投产，十二月还将增加28nm HPL。

5、22nm工艺计划

　　台积电计划在推出28nm工艺两年后过渡到22nm技术，因此，22nm技术的首次投产应该会在2012年第三季度前后，初期为高性能版本，2013年第一季度末再发布低功耗版本。6、光刻技术

　　在短期内台积电将继续使用193nm沉浸式光刻技术，如果超远紫外线（EUV）或多重电子束直接写入技术发展更成熟、成本更低的话，台积电会考虑引入。

　　蒋尚义透露，新技术的利用成本相当高，单单一套EUV设备就需要8000万美元左右。

右一：台积电营运副总经理刘德音

　　台积电营运副总经理刘德音在昨天的公司庆典上宣布，之前影响良率的设备腔体接合（chamber matching）问题已经得到妥善解决，但是他并没有透露目前良品率的具体水平。

　　此次庆典是为了庆祝公司Fab 12晶圆厂第五阶段（Phase 5）的建设工作完成，据介绍，该工厂将于今年第三季度开始28nm工艺的量产。同时，台积电也已经开始了Fab 12第六阶段（Phase 6）的建设规划，为未来的22nm制程做准备。

　　该芯片的工作电压仅为1.2V，传输速度可达1066Mbps，采用MCP多芯片和PoP层叠堆装两种封装方式，通过32-bit I/O每秒可处理4.26GB的数据，功耗仅为目前其他移动存储方案的一半，并符合JEDEC标准。

　　海力士计划在上半年开始量产该内存芯片，以满足市场对高密度移动内存芯片的需求。

　　与之前的50nm内存颗粒相比，新的2Gb DDR3颗粒将每个晶圆的产量提高了44%，1.6Gbps数据传输率下的良品率达到了100%。除了标准的1.5V电压之外，该款DDR3颗粒还支持1.2V和1.35V电压，功耗仅为之前的一半。

　　根据内存市场的实际情况，尔必达有可能会将40nm技术交给其合作厂商华邦和茂德来代工，以增加尔必达的总体产能。

　　近日Techreport向AMD提到HD5000系列货源的问题，AMD表示TSMC目前的40nm良率已经达到了稳定，而现时HD5000系列产品的供应量也呈上升趋势。TSMC作为AMD和NVIDIA的晶圆代工厂，其晶圆的良品率将直接影响这两家GPU巨头。在10月底TSMC 40nm晶圆良率仅有40%，导致了AMD初上市的HD5800系列货源紧缺，而TSMC的CEO当时承诺良率问题将会在今年年底前得到改善，而现在也该是其兑现承诺的时候了。

　　目前HD5000系列产品的供应量的确有所增长，在newegg上HD5870/5850都有大量存货，不过价格却不会因此而有所下降，售价依然高于AMD当时的建议零售价。

　　按正常速度来计算，在新工艺晶圆投产1年左右达到90%以上的良品率才能满足供应需求，而这次的40nm良品率仅有50%左右，这对AMD目前及未来推出的40nm产品以及NVIDIA即将推出的GF100显卡产量均会造成一定的影响。

　　预计TSMC 40nm芯片良率将会在明年第二季度达到正常水平，而在明年4月份以后我们将能够在市面上看到货源充足的40nm产品。