Exynos 5430隶属于Exynos 5 Octa八核家族，首次采用了三星自家的20nm HKMG（高K-金属栅极）制程工艺，在目前的移动处理器中是最先进的工艺，高通、MTK、海思等还停留在28nm工艺，之前最好的还是Intel的22nm了。三星的20nm工艺将可以带来更好的续航表现，功耗相比28nm降低了25%。

处理器部分是拥有4个1.8GHz的Cortex-A15核心和4个1.3GHz的Cortex-A7核心，基于ARM big.LITTLE HMP异构多处理器解决方案，八颗核心可根据系统负载分配任务。图形核心部分的资料还没有讲，不过早上的新闻已经确认是Mali-T628MP6了。支持内存类型还没讲，不过带宽高达17GB/s（p.s.高通骁龙805是25.6GB/s）。

Exynos 5430在多媒体性能上有不小的提升，现在支持2K级别分辨率，包括WQHD（2560×1440）和WQXGA（2560×1660），还支持包括H.265（HEVC）在内的多媒体格式编解码，摄像头方面同样也拥有双通道ISP。

这颗处理器依然没有内置基带，因此还需要外带一个自家的Exynos Modem 303或者Intel XMM 7260 LTE基带搭配，前者也是新推出的基带，相比上个月发布的Modem 300，Modem 303现在也支持LTE Cat.6网络了。

Exynos 5430还是挺有看头的，采用最先进的20nm制程工艺，A15核心频率和图形核心规格都比海思Kirin 920高，后者的安兔兔测试成绩甚至还可以跟上骁龙805，这么来看的话，Exynos 5430在这个跑分软件可以和骁龙805并肩，说不定还能超越呢。

Digitimes援引台湾《经济日报》的消息，UMC今年Q2季度开始向美国博通公司提供了28nm HKMG工艺的芯片，该公司也证实了28nm工艺的良率已经大幅提升了，但是他们拒绝评论客户的订单数量。

此外，UMC还准备在今年底试产14nm FinFET工艺，预计2015年Q2季度正式量产，时间进度差不多追上了TSMC的14nm FinFET工艺。

UMC的28nm HKMG工艺量产多少也为全球晶圆代工市场带来一些新变化，此前高通、联发科都表示准备转移部分28nm工艺订单给别的代工厂以便降低成本，其中高通还准备与国内的中芯国际合作，后者的28nm工艺也在今年初量产了，而Globalfoundries已经接获了瑞芯微等国产厂商的28nm订单。

　　三星表示，他们已经成功为意法半导体代工28nm/32nm HKMG工艺的SoC芯片，未来他们也会在工艺改进上仅继续保持合作，为客户提供更先进的工艺解决方案。意法半导体则称，他们和三星之间一直就制程工艺的研发进行合作，以满足不断变化的市场需求，而三星代工的SoC芯片产品将用在消费级移动设备上。

　　现在这两家厂商都加入了ISDA国际半导体开发联盟，这是一个由IBM、AMD、飞思卡尔、英飞凌、东芝等多家厂商组成的联盟，28nm/32nm HKMG工艺就是在该联盟多个成员的协助下完成的。目前意法半导体拥有每月一万片300mm晶圆的生产能力，但是无法承担28nm/32nm HKMG工艺产品的生产设备，选择合作伙伴帮忙代工自然是意料之内情理之中了。

　　在日前与金融分析师进行的电话会议中，AMD临时首席执行官Thomas Seifert称，他们已经完成了准备工作，预计将会在今年年底发布新款的28nm工艺图形核心，再度成为业界的领军人。这意味着，28nm图形核心的诞生时间很可能要早于目前的业界普遍的猜测，至于具体日期则仍然需要我们静静等待。

　　在经过尔必达研究团队的努力后，他们成功降低了高K金属栅极的热处理温度，并克服了DRAM芯片结构限制的难题，最终成为业界首家将高K金属栅极技术引入DRAM芯片的厂商。据尔必达表示，新技术的引入将令产品的性能有较大提升，同时待机功耗亦得以大幅下降。

　　目前尔必达已经在40nm级别的工艺中应用高K金属栅极技术，未来还将对该技术进行评估和改进，争取尽快应用在30nm和25nm工艺上。